一种阻容降压电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种阻容降压电路，其包括电阻R1、电容C1、电阻R2、桥堆D、稳压管ZD、电容C2、发热丝W、电阻R3、可控硅T、电阻R4和光电耦合器MOC。本实施例只使用0.47μF电容和47R电阻组合的阻容降压电路，就能满足现有技术的1μF电容和47R电阻组合的电路所提供的电流，并且完全符合欧规新法的小于0.5W的待机功耗。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种阻容降压电路，其包括电阻R1、电容C1、电阻R2、桥堆D、稳压管ZD、电容C2、发热丝W、电阻R3、可控硅T、电阻R4和光电耦合器MOC。本实施例只使用0.47μF电容和47R电阻组合的阻容降压电路，就能满足现有技术的1μF电容和47R电阻组合的电路所提供的电流，并且完全符合欧规新法的小于0.5W的待机功耗。【专利说明】—种阻容降压电路
本技术涉及阻容降压电路。
技术介绍
欧盟自2010年对进口电器提出了能耗要求，及ERP指令(《确立能源相关产品生态涉及要求的框架》)。其中要求电器待机功耗要低于0.5W。而目前IuF阻容降压电路并不符合ERP要求，其用半波整流电路提供的电流时30mA左右，能满足小家电行业的大部分工作控制需求，但IuF阻容降压电路，无法通过欧规的待机小于0.5W的要求，大家常用的替换方法是开关电源，但开关电源的体积，对于手持式的小家电过大。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种阻容降压电路，其能替代IuF阻容降压电路不符合ERP要求的问题。为了达到上述目的，本技术所采用的技术方案如下:一种阻容降压电路，其包括电阻R1、电容Cl、电阻R2、桥堆D、稳压管ZD、电容C2、发热丝W、电阻R3、可控硅T、电阻R4和光电耦合器M0C，电容Cl与电阻R2并联连接，电阻Rl的一端与市电的火线端连接，电阻Rl的另一端通过电容Cl与桥堆D的第一交流输入端连接，桥堆D的第二交流输入端与市电的零线端连接,发热丝W的一端与市电的火线端连接，发热丝W的另一端通过可控硅T与市电的零线端连接，电阻R3的一端连接在发热丝W与可控娃T之间，电阻R3的另一端与光电稱合器MOC的双向二极管输入端连接,光电I禹合器MOC的双向二极管输出端与可控娃T的控制端连接,光电I禹合器MOC的发光二极管输入端通过电阻R4与桥堆D的第一直流输出端连接,光电I禹合器MOC的发光二极管输出端与一芯片IC的电源端连接，芯片IC的接地端与桥堆D的第二直流输出端连接，桥堆D的第二直流输出端接地，所述稳压管ZD连接在桥堆D的第一直流输出端与第二直流输出端之间，稳压管ZD与电容C2并联连接。优选的，电容Cl的电容为0.47uF。优选的，所述电容C2为电解电容。本技术具有如下有益效果:在不增加体积的情况下，减小降压电容的体积和容量，方便装配和通过ERP法规。【专利附图】【附图说明】图1为本技术较佳实施例的阻容降压电路的电路图。【具体实施方式】下面，结合附图以及【具体实施方式】，对本技术做进一步描述。如图1所示，一种阻容降压电路，其包括电阻R1、电容Cl、电阻R2、桥堆D、稳压管ZD、电容C2、发热丝W、电阻R3、可控硅T、电阻R4和光电耦合器MOC，电容Cl与电阻R2并联连接，电阻Rl的一端与市电的火线端ACL连接，电阻Rl的另一端通过电容Cl与桥堆D的第一交流输入端连接，桥堆D的第二交流输入端与市电的零线端ACN连接,发热丝W的一端与市电的火线端ACL连接，发热丝W的另一端通过可控硅T与市电的零线端ACN连接，电阻R3的一端连接在发热丝W与可控硅T之间，电阻R3的另一端与光电耦合器MOC的双向二极管输入端连接，光电I禹合器MOC的双向二极管输出端与可控娃T的控制端连接,光电I禹合器MOC的发光二极管输入端通过电阻R4与桥堆D的第一直流输出端连接,光电稱合器MOC的发光二极管输出端与一芯片IC的电源端连接，芯片IC的接地端与桥堆D的第二直流输出端连接，桥堆D的第二直流输出端接地，所述稳压管ZD连接在桥堆D的第一直流输出端与第二直流输出端之间，稳压管ZD与电容C2并联连接。电容Cl的电容为0.47uF、电阻Rl的阻值为47R、电阻R2的阻值为1ΜΩ、电阻R3的阻值为330R、电阻R4的阻值为620R、电容C2的电容为470uF。电容C2为电解电容。市电通过电阻Rl限流，并被电容Cl降压后，送给桥堆D来整流为直流电，直流电通过稳压管ZD和电容C2稳压滤波为所需要的恒定电压，供给芯片IC工作。可控硅T用于控制发热元件W发热。光电耦合器MOC的作用除了驱动可控硅T外，还有就是隔离可控硅T，因为可控硅T的接地使用的是市电的ACN线，芯片IC用的是桥式整流后的地，两者不同，不可共用。现有技术的IuF阻容降压电路，是半波整流，可控硅的地和IC用的地都是市电的ACN线，所以不用隔离。本实施例只使用0.47uF电容和47R电阻组合的阻容降压电路，就能满足现有技术的IuF电容和47R电阻组合的电路所提供的电流，并且完全符合欧规新法的小于0.5W的待机功耗，现有技术的IuF电容和47R电阻组合的电路的待机功耗是大于0.5W的。现有技术的IuF阻容降压电路，常用半波整流提供的电流是30mA左右，能满意足小家电行业的大部分工作控制需求，但IuF阻容降压电路，无法通过欧规的待机小于0.5W的要求，大家常用的替换方法是开关电源，但开关电源的体积，对于手持式的小家电过大，本实施例能够替代现有技术的IuF阻容降压电路，在不增加体积的情况下，减小降压电容的体积和容量，方便装配和通过ERP法规。对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本技术权利要求的保护范围之内。【权利要求】1.一种阻容降压电路，其特征在于，包括电阻R1、电容Cl、电阻R2、桥堆D、稳压管ZD、电容C2、发热丝W、电阻R3、可控硅T、电阻R4和光电耦合器MOC，电容Cl与电阻R2并联连接，电阻Rl的一端与市电的火线端连接，电阻Rl的另一端通过电容Cl与桥堆D的第一交流输入端连接，桥堆D的第二交流输入端与市电的零线端连接，发热丝W的一端与市电的火线端连接，发热丝W的另一端通过可控硅T与市电的零线端连接，电阻R3的一端连接在发热丝W与可控娃T之间，电阻R3的另一端与光电稱合器MOC的双向二极管输入端连接,光电率禹合器MOC的双向二极管输出端与可控娃T的控制端连接,光电I禹合器MOC的发光二极管输入端通过电阻R4与桥堆D的第一直流输出端连接,光电I禹合器MOC的发光二极管输出端与一芯片IC的电源端连接，芯片IC的接地端与桥堆D的第二直流输出端连接，桥堆D的第二直流输出端接地，所述稳压管ZD连接在桥堆D的第一直流输出端与第二直流输出端之间，稳压管ZD与电容C2并联连接。2.如权利要求1所述的阻容降压电路，其特征在于，电容Cl的电容为0.47uF。3.如权利要求1所述的阻容降压电路，其特征在于，所述电容C2为电解电容。【文档编号】H02M5/06GK203734544SQ201320863627【公开日】2014年7月23日 申请日期:2013年12月24日 优先权日:2013年12月24日 【专利技术者】肖勇, 刘进 申请人:深圳市奋达电器有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻容降压电路，其特征在于，包括电阻R1、电容C1、电阻R2、桥堆D、稳压管ZD、电容C2、发热丝W、电阻R3、可控硅T、电阻R4和光电耦合器MOC，电容C1与电阻R2并联连接，电阻R1的一端与市电的火线端连接，电阻R1的另一端通过电容C1与桥堆D的第一交流输入端连接，桥堆D的第二交流输入端与市电的零线端连接，发热丝W的一端与市电的火线端连接，发热丝W的另一端通过可控硅T与市电的零线端连接，电阻R3的一端连接在发热丝W与可控硅T之间，电阻R3的另一端与光电耦合器MOC的双向二极管输入端连接，光电耦合器MOC的双向二极管输出端与可控硅T的控制端连接，光电耦合器MOC的发光二极管输入端通过电阻R4与桥堆D的第一直流输出端连接，光电耦合器MOC的发光二极管输出端与一芯片IC的电源端连接，芯片IC的接地端与桥堆D的第二直流输出端连接，桥堆D的第二直流输出端接地，所述稳压管ZD连接在桥堆D的第一直流输出端与第二直流输出端之间，稳压管ZD与电容C2并联连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖勇，刘进，
申请(专利权)人：深圳市奋达电器有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44