一种应用于计算器的稳压电路制造技术

本发明专利技术涉及电子技术领域，特别涉及一种应用于计算器的稳压电路，用以解决现有技术中存在的计算器的稳压电路有可能出现不能及时将高电压释放掉的情况，从而造成计算器屏幕上的数字显示不正常的问题。本发明专利技术实施例应用于计算器的稳压电路，包括至少三个二极管；所述至少三个二极管串联；其中，所述稳压电路的正向饱和压降值大于计算器电池电压且小于计算器芯片正常工作电压最大值。采用本发明专利技术实施例的电路能够避免由于不能及时将高电压释放掉，造成计算器屏幕上的数字显示不正常的情况发生，提高了计算器显示的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，特别涉及一种应用于计算器的稳压电路。
技术介绍
目前，市面上的计算器以电源类型分类有两种一种是只能用电池，另一种是电池和太阳能双用。电池和太阳能双用的计算器，即使不安装电池，在普通的室内照明光下也可以由内置太阳能电池板供电。对于电池和太阳能双用的计算器，其核心芯片的稳压电路的设计是至关重要的。 但是目前市场上大部分稳压电路的设计会出现以下问题当外部光线太强时，由于太阳能电池板的供电电压较高，而稳压电路由于正向饱和压降过高，不能及时将高电压释放掉，所以会造成计算器的屏幕上的数字显示不正常，比如忽明忽暗，时有时无现象发生。综上所述，目前计算器的稳压电路有可能出现不能及时将高电压释放掉的情况， 从而造成计算器屏幕上的数字显示不正常。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种应用于计算器的稳压电路，用以解决现有技术中存在的计算器的稳压电路有可能出现不能及时将高电压释放掉的情况，从而造成计算器屏幕上的数字显示不正常的问题。本专利技术实施例提供的一种应用于计算器的稳压电路，包括至少三个二极管；所述至少三个二极管串联；其中，所述稳压电路的正向饱和压降值大于计算器电池电压且小于计算器芯片正常工作电压最大值。所述稳压电路包括三个二极管，其中两个PN结二极管，另一个肖特基二极管。所述稳压电路包括四个二极管，其中一个PN结二极管，另三个是肖特基二极管。 所述稳压电路包括五个肖特基二极管。所述稳压电路包括三个二极管，其中两个齐纳二极管，另一个肖特基二极管。所述稳压电路包括四个二极管，其中一个齐纳二极管，另三个是肖特基二极管。所述计算器电池电压是1. 6v，计算器芯片正常工作电压最大值是1. 9v。由于本专利技术稳压电路包括至少三个二极管，至少三个二极管串联，其中稳压电路的正向饱和压降值在计算器芯片工作电压值范围内，从而能够避免由于不能及时将高电压释放掉，造成计算器屏幕上的数字显示不正常的情况发生，提高了计算器显示的稳定性。附图说明图IA为本专利技术实施例第一种稳压电路结构示意图；图IB为本专利技术实施例第二种稳压电路结构示意图；图IC为本专利技术实施例第三种稳压电路结构示意图2为本专利技术实施例测试稳压电路的工艺流程示意图；图3为本专利技术实施例片内均勻性对正向压降影响测试示意图；图4A为本专利技术实施例金属厚度300A对正向压降影响测试示意图；图4B为本专利技术实施例金属厚度500A对正向压降影响测试示意图；图5为本专利技术实施例温度对正向压降影响测试示意图一；图6为本专利技术实施例温度对正向压降影响测试示意图二。具体实施例方式本专利技术实施例稳压电路包括至少三个二极管，至少三个二极管串联，其中稳压电路的正向饱和压降值在计算器芯片工作电压值范围内，从而能够避免由于不能及时将高电压释放掉，造成计算器屏幕上的数字显示不正常的情况发生，提高了计算器显示的稳定性。下面结合说明书附图对本专利技术实施例作进一步详细描述。本专利技术实施例的稳压电路包括至少三个二极管。至少三个二极管串联，其中所述稳压电路的正向饱和压降值大于计算器电池电压且小于计算器芯片正常工作电压最大值。在具体实施中，所述计算器电池电压是1.6v，计算器芯片正常工作电压最大值是 1.9v,也就是说要保证稳压电路的正向饱和压降值在1. 6v到1. 9v之间。如图IA所示，本专利技术实施例第一种稳压电路包括三个二极管。三个二极管是两个 PN结二极管和一个肖特基二极管(也称肖特基势垒二极管)。 两个PN结二极管和一个肖特基二极管串联在一起。图IA中先是两个PN结二极管串联，然后在串联一个肖特基二极管，在实施中也可以一个PN结二极管与肖特基二极管串联，然后在串联一个PN结二极管，即肖特基二极管可以在两个PN结二极管中间或肖特基二极管一端接Rs。电阻Rs的阻值一般在5k ohm 6k ohm之间。如图IB所示，本专利技术实施例第二种稳压电路包括四个二极管。四个二极管是一个 PN结二极管和三个肖特基二极管，四个二极管串联。图IA和图IB中的PN结二极管还可以由齐纳二极管代替。如图IC所示，本专利技术实施例第三种稳压电路包括五个二极管。五个二极管是五个肖特基二极管；五个二极管串联。图IB和图IC中每个二极管的顺序可以根据需要进行变换。一个PN结二极管的正向饱和压降在0. 7v，一个肖特基二极管的正向饱和压降在 0. 35v0肖特基二极是金属(金、银、铝、钼等)为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。肖特基二极管相比PN结二极管具有大的饱和电流，更稳定的温度特性，较高的工作频率和开关速度。图IA的稳压电路的正向饱和压降等于1. 75v ；图IB的稳压电路的正向饱和压降等于1. 75v ；图IC的稳压电路的正向饱和压降等于1. 75v。为了验证本专利技术中的稳压电路的正向饱和压降在1.6v 1.9v之间，还需要进行工艺试验验证。下面以图IA的稳压电路为例进行验证，图IB和图IC的验证过程与图IA类似，在不再赘述。如图2所示，本专利技术实施例测试稳压电路的工艺流程示意图中，跳过P+注入这个过程，这样会制作成三个肖特基二极管。测试方法扫电压，从0扫到2v，同时测试电流，当电流为150微安时，此时的电压即为正向饱和压降。对3个串联的肖特基二极管的正向饱和压降测试后是1.05v，即单个肖特基二极管的正向饱和压降为0. 35v。片内均勻性测试方法一片晶圆测试20个点，上中左下右各5个点。图3的数据显示，片内的均勻性比较好，都在Iv 1. Iv间波动，平均值1. 02v。金属厚度测试方法金属厚度对正向饱和压降的影响。金属厚度300A和500A的正向饱和压降的对比。图4A和图4B的数据显示，不同的金属厚度的正向饱和压降差别很小，约0.005v。说明即使工艺(金属厚度)发生波动，对饱和压降的影响也很小，工艺上是完全可行的。温度对正向饱和压降的影响测试计算器一般的使用温度在40C以下。所以分别在测试了室温(23C)和40C时，不同金属厚度的正向饱和压降的变化。从图5和图6的数据说明，变化很小，约0. 02v。从上述试验数据验证1、跳过P+注入后，正向饱和压降的重复性和均勻性比较好，波动较小；2、不同的金属厚度(300A和500A)对正向饱和压降的影响很小；3、室温下(23C)测试和40C下测试，正向饱和压降波动较小。基于上述试验可以确定图IA的稳压电路可靠性能够满足计算器的要求。由于本专利技术实施例应用于计算器的稳压电路，包括至少三个二极管，三个二极管串联，其中稳压电路的正向饱和压降值大于计算器电池电压且小于计算器芯片正常工作电压最大值，从而能够避免由于不能及时将高电压释放掉，造成计算器屏幕上的数字显示不正常的情况发生，提高了计算器显示的稳定性。显然，本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在内。权利要求1.一种应用于计算器的稳压电路，其特征在于，该稳压电路包括至少三个二极管；所述至少三个二极管串联；其中，所述稳压电路的正向饱和压降值大于计算器电池电压且小于计算器芯片正常工作电压最大值。2.如权利要求1所述的稳压电路，其特征在于，所述稳压电路包括三个二极管，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张立荣，闻正锋，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：