叠层型陶瓷电子零件制造技术

本发明专利技术提供一种叠层型陶瓷电子零件，即便在烧结芯片具有层离及残留应力的情形时，也可确实地防止因回流焊时等所受到的热冲击而导致在该烧结芯片产生裂痕。叠层型陶瓷电容器(10‑1)在陶瓷部(11a)的筒状陶瓷部分(11a2)以不从陶瓷部(11a)的表面露出的方式包含筒形状的高空隙率部分(11d)，该高空隙率部分(11d)具有较该筒状陶瓷部分(11a2)的空隙率高的空隙率，且一体地包含与各层状导体部(11b)的左右侧缘相向的2个层状部分(11d1)及(11d2)、以及与最外侧的2个层状导体部(11b)的外侧面相向的2个层状部分(11d3)及(11d4)。

【技术实现步骤摘要】
分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2011年6月13日、申请号为201180039434.7、专利技术名称为“叠层型陶瓷电子零件”的专利技术专利申请案。
本专利技术涉及包含叠层型陶瓷电容器之叠层型陶瓷电子零件。
技术介绍
图1表示作为叠层型陶瓷电子零件而广为人知的以往的叠层型陶瓷电容器的外观，图2(Sa)表示沿图1的Sa-Sa线的截面，图2(Sb)表示沿图1的Sb-Sb线的截面。附带而言，图1中分别为L表示长度，W表示宽度，H表示高度。该叠层型陶瓷电容器10包含：大致长方体形状的烧结芯片11，在陶瓷部11a内相向配置有多个(图中为20个)层状导体部11b；以及1对外部端子12，设置在该烧结芯片11的长度方向的两端部。构成烧结芯片11的陶瓷部11a可划分为：多个(图中为19个)层状陶瓷部分11a1，存在于层状导体部11b之间；以及筒状陶瓷部分11a2，以包围层状导体部11b全体的周围的方式存在。构成烧结芯片11的多个层状导体部11b中从上方起第奇数个层状导体部11b的端缘电性连接于一方的外部端子12，且从上方起第偶数个层状导体部11b的端缘电性连接于另一方的外部端子12。所述叠层型陶瓷电容器10的烧结芯片11通常通过如下方法制作，即：将形成有未烧结的层状导体部的陶瓷生片与未形成有未烧结的层状导体部的陶瓷生片以特定顺序层叠并压接而获得未烧结芯片，其后，将该未烧结芯片投入煅烧炉中进行未烧结的层状导体部与陶瓷生片的同时烧结。该煅烧步骤中，未烧结的层状导体部与陶瓷生片的热膨胀及收缩的行为产生差异，因此制作的煅烧芯片11易于成为具有层离(层间剥离)与残留应力的芯片。所述叠层型陶瓷电容器10，一般而言通过回流焊安装在电路基板等上，因此在烧结芯片11具有层离及残留应力的情形时，有因回流焊时所受到的热冲击而导致该层离及残留应力增大，从而在该烧结芯片11产生裂痕的担忧。该层离及残留应力易于存在于各层状陶瓷部分11a1与各层状导体部11b的界面BF1(省略符号的图示)、及筒状陶瓷部分11a2与最外侧的2个层状导体部11b(最上位的层状导体部11b与最下位的层状导体部11b)的界面BF2(省略符号的图示)。因此，如果因回流焊时所受到的热冲击而导致层离及残留应力增大，从而产生将各界面BF1及BF2劈开的应力，则有该应力传递至筒状陶瓷部分11a2的主要是左右部分(即，与各层状导体部11b的两侧缘相向的部分)而导致在该左右部分产生裂痕的担忧。产生该裂痕的担忧不仅在回流焊时，即便在安装在电路基板等上的所述叠层型陶瓷电容器10置于高温下而受到热冲击的情形时，或因该叠层型陶瓷电容器10的自身的发热而产生温度上升从而受到热冲击的情形时等同样也会产生。在日本专利特开2003-309039号公报(专利文献1)中揭示有一种叠层型陶瓷电容器10'，其以烧结芯片不具有层离及残留应力的方式构成。将该叠层型陶瓷电容器10'的构成示于图3(A)及图3(B)中。如图所示，叠层型陶瓷电容器10'具有与叠层型陶瓷电容器10大致相同的构成。在叠层型陶瓷电容器10'中，构成烧结芯片11的陶瓷部11a的筒状陶瓷部分11a2的上下部分的孔隙11c的存在率，从该筒状陶瓷部分11a的上下表面向内侧越来越高。孔隙11c是通过使陶瓷生片中所含的黏合剂在煅烧步骤中消失而形成。由复数个陶瓷生片构成筒状陶瓷部分11a2的上下部分，通过使该复数个陶瓷生片的黏合剂含有率从上下表面向内侧越来越高，而使孔隙11c的存在率朝向内侧越来越高。筒状陶瓷部分11a2的左右部分的孔隙11c的存在率，与层状陶瓷部分11a1的孔隙存在率相同。该叠层型陶瓷电容器10'以使构成烧结芯片11的陶瓷部11a的筒状陶瓷部分11a2的上下部分的孔隙11c的存在率，从其上下表面向内侧越来越高的方式构成，因此即便因回流焊等导致层离及残留应力增大而使得应力从界面BF2传递至筒状陶瓷部分11a2的上下部分，该应力的传递也会通过主要与最外侧的2个层状导体部11b邻接的孔隙11c群而得到一定程度的抑制。然而，所述叠层型陶瓷电容器10'的筒状陶瓷部分11a2的左右部分的孔隙11c的存在率与层状陶瓷部分11a1的孔隙存在率相同，因此如果因回流焊时等所受到的热冲击而导致所述层离及残留应力增大，从而产生将各界面BF1及BF2劈开的应力，则该应力会直接传递至筒状陶瓷部分11a2的左右部分。总而言之，所述叠层型陶瓷电容器10'如果因回流焊时等所受到的热冲击而导致所述层离及残留应力增大，从而产生将各界面BF1及BF2劈开的应力，则有该应力传递至筒状陶瓷部分11a2的主要是左右部分，从而与所述叠层型陶瓷电容器10同样地在该左右部分产生裂痕的担忧。先前技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2003-309039号公报
技术实现思路
[专利技术所欲解决的问题]本专利技术的一实施方式的目的在于提供一种叠层型陶瓷电容器，其即便在烧结芯片具有层离及残留应力的情形时，也可确实地抑制因回流焊时等所受到的热冲击而导致在该烧结芯片产生裂痕。[解决问题的技术手段]为达成所述目的，本专利技术的一实施方式的叠层型陶瓷电子零件包含在陶瓷部内相向配置有多个层状导体部的大致长方体形状的烧结芯片；且构成该烧结芯片的陶瓷部划分为：多个层状陶瓷部分，存在于层状导体部之间；以及筒状陶瓷部分，以包围层状导体部全体的周围的方式存在；所述陶瓷部的筒状陶瓷部分以不从该筒状陶瓷部分的表面露出的方式包含高空隙率部分，该高空隙率部分具有较该筒状陶瓷部分的空隙率高的空隙率，且包含与至少各层状导体部的各侧缘相向的2个层状部分。在所述叠层型陶瓷电子零件的烧结芯片具有层离及残留应力的情形时，如果因回流焊时等所受到的热冲击而导致该层离及残留应力增大，从而产生将各层状陶瓷部分与各层状导体部的界面、及筒状陶瓷部分与最外侧的2个层状导体部的界面劈开的应力，则有该应力传递至筒状陶瓷部分的“与各层状导体部的各侧缘相向的部分”而在该部分产生裂痕的担忧。然而，所述叠层型陶瓷电子零件的筒状陶瓷部分以不从该筒状陶瓷部分的表面露出的方式包含高空隙率部分，该高空隙率部分具有较该筒状陶瓷部分的空隙率高的空隙率，且包含与至少各层状导体部的各侧缘相向的2个层状部分，因此即便因回流焊时等所受到的热冲击而导致所述层离及残留应力增大从而产生将各界面劈开的应力，基于依赖于与各层状导体部的各侧缘相向的“高空隙率的2个层状部分”的应力分散作用及应力缓冲作用，也可有效地抑制该应力传递至筒状陶瓷部分的“与各层状导体部的各侧缘相向的部分。[专利技术的效果]根据本专利技术的一实施方式，即便在烧结芯片具有层离及残留应力的情形时，也可确实地防止因回流焊时等所受到的热冲击而在该烧结芯片产生裂痕。本专利技术的目的、构成、特征及作用效果通过以下的详细说明与随附图式而变得明确。附图说明图1是以往的叠层型陶瓷电容器的外观图。图2(Sa)是沿图1的Sa-Sa线的截面图，图2(Sb)是沿图1的Sb-Sb线的截面图。图3(A)及图3(B)是专利文献1中揭示的专利技术的叠层型陶瓷电容器的图，图3(A)是与图2(Sa)对应的截面图，图3(B)是与图2(Sb)对应的截面图。图4是本专利技术的叠层型陶瓷电容器(第1实施方式)的与图2(Sa)对应的截面图。图5是本专利技术的叠层型陶瓷电容器(第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层型陶瓷电子零件，包含在陶瓷部内相向配置有多个层状导体部的大致长方体形状的烧结芯片；且构成该烧结芯片的陶瓷部划分为：多个层状陶瓷部分，存在于层状导体部之间；以及筒状陶瓷部分，以包围层状导体部全体的周围的方式存在；所述陶瓷部的筒状陶瓷部分包含高空隙率部分，该高空隙率部分具有较除了该高空隙率部分以外的筒状陶瓷部分的空隙率高的空隙率，且该高空隙率部分以不从陶瓷部的表面露出的方式包含与至少各层状导体部的侧缘相向的2个层状部分；在所述高空隙率部分，直径为大致0.1～3.0μm的孔隙无偏倚地集合。

【技术特征摘要】
2010.08.18 JP 2010-1830021.一种叠层型陶瓷电子零件，包含在陶瓷部内相向配置有多个层状导体部的大致长方体形状的烧结芯片；且构成该烧结芯片的陶瓷部划分为：多个层状陶瓷部分，存在于层状导体部之间；以及筒状陶瓷部分，以包围层状导体部全体的周围的方式存在；所述陶瓷部的筒状陶瓷部分包含高空隙率部分，该高空隙率部分具有较除了该高空隙率部分以外的筒状陶瓷部分的空隙率高的空隙率，且该高空隙率部分以不从陶瓷部的表面露出的方式包含与至少各层状导体部的侧缘相向的2个层状部分；在所述高空隙率部分，直径为大致0.1～3.0μm的孔隙无偏倚地集合。2.根据权利要求1所述的叠层型陶瓷电子零件，其特征在于：所述高空隙率部分形成筒形状，其除包含与各层状导体部的侧缘相向的2个层状部分之外，还一体地包含与最外侧的2个层状导体部的外侧面相向的2个层状部分。3.根据权利要求1或2所述的叠层型陶瓷电子零件，其特征在于：所述高空隙率部分的与各层状...

【专利技术属性】
技术研发人员：森田浩一郎，今井敦史，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP