一种降低DDR4DIMM的pin脚连锡风险的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低DDR4 DIMM pin脚连锡风险的方法，属于计算机内存改进技术领域。所述降低DDR4 DIMM pin脚连锡风险的方法，将传统的DDR4 DIMM pin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%。本发明专利技术所述降低DDR4 DIMM pin脚连锡风险的方法，有效的解决了pin脚连锡问题，降低pin脚溃pin现象，具有很好的推广应用价值。

A method for reducing the risk of DDR4DIMM pin foot tin

The invention discloses a method for reducing DDR4 DIMM pin feet even tin risk, belonging to the technical field of computer memory improvement. The method of reducing the DDR4 DIMM pin feet even tin risk, the traditional DDR4 DIMM pin feet from flat structure to groove structure, the overall thickness of the groove structure than the flat structure thickness increases 10%. The method of reducing the DDR4 DIMM pin feet even tin risk, effective solution to the pin foot even tin, reducing pin pin foot collapse phenomenon, has the very good application value.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机内存改进
，具体提供一种降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法。
技术介绍
随着社会经济的发展，计算机由于其信息量大，获取信息简单方便等特点而在人们日常生活中的应用越来越广泛。随着使用需要不断的增多，使用者对计算机的内存要求越来越高，特别是大型企业对计算机的内存要求更是逐日增加。DDR4（DualDataRate）DIMM（Dual-lnline-Memory-Modules）插槽的pin脚（引脚）间距为0.8mm，在pin脚漏出PCB（PrintedCircuitBoardAssembly）长度超过0.5mm后，极易发生漏锡现象，且现有技术下传统的DDR4DIMM槽pin脚过于柔软，容易发生溃pin现象。一旦pin脚发生漏锡现象或者溃pin现象，都会对DDR4DIMM槽带来很大的影响，在使用过程中存在很大的风险，给计算机的使用带来局限性。
技术实现思路
本专利技术的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种操作方法简单方便，并且有效解决pin脚连锡问题，降低pin脚溃pin现象降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法。为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法，将传统的DDR4DIMMpin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%，有效避免了传统pin脚过于柔软的问题。作为优选，所述凹槽结构利用液态锡的液面张力，使液态锡沿着凹槽爬升，能够达到吃锡饱满且不外溢的效果，防止连锡pin脚。r>由于凹槽结构比扁平结构更容易阻挡液态锡，并且能增加液态锡的液面张力，能够达到使液锡不外溢的效果。作为优选，所述凹槽结构比偏平结构的刚性更好，可以有效增加pin脚强度，降低pin脚风险。凹槽结构的结构面积相对增大，能够增加其刚性，相应的增加pin脚强度，进一步减少pin脚发生溃pin的风险。作为优选，所述DDR4DIMMpin脚组装保持原有设备，制备方法保持不变。本专利技术具有以下突出的有益效果：极大的提高DIMM使用的良率，降低产品发生异常的概率，提高生产效率，降低返修费用；并且所述方法操作简单方便，仍然采用原来的设备及方法，具有良好的实用性。附图说明图1为扁平结构的pin脚示意图；图2为本专利技术所述凹槽结构的pin脚示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术所述降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法作进一步详细说明。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、左、右”通常是指参考附图所示的上、下、左、右；“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外。实施例如图1所示，为现有技术中扁平结构的pin脚示意图。如图2所述为本专利技术所述降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法中的凹槽结构的pin脚示意图。该方法中将传统的DDR4DIMMpin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%，有效避免了传统pin脚过于柔软的问题。凹槽结构利用液态锡的液面张力，使液态锡沿着凹槽爬升，能够达到吃锡饱满且不外溢的效果，防止连锡pin脚。由于凹槽结构比扁平结构更容易阻挡液态锡，并且能增加液态锡的液面张力，能够达到使液锡不外溢的效果。凹槽结构比偏平结构的刚性更好，可以有效增加pin脚强度，降低pin脚风险。凹槽结构的结构面积相对增大，能够增加其刚性，相应的增加pin脚强度，进一步减少pin脚发生溃pin的风险。DDR4DIMMpin脚组装保持原有设备，制备方法保持不变，在DDR4DIMM槽pin脚冲压阶段，增加成型制程，将扁平结构的pin脚加工成凹槽结构的pin脚。以上所述的实施例，只是本专利技术较优选的具体实施方式，本领域的技术人员在本专利技术技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低DDR4DIMM的pin脚连锡风险的方法，其特征在于：将传统的DDR4 DIMM pin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%。

【技术特征摘要】
1.一种降低DDR4DIMM的pin脚连锡风险的方法，其特征在于：将传统的DDR4DIMMpin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%。
2.根据权利要求1所述的一种降低DDR4DIMM的pin脚连锡风险的方法，其特征在于：所述凹槽结构利用液态锡的液面张力，使液态锡沿着凹槽爬升，能够达到吃锡饱满且不外溢的效果，防止连锡...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓澎，
申请(专利权)人：浪潮电子信息产业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37