【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体设备领域,尤其涉及一种消除双晶等晶粒异常的晶圆裂片装置。
技术介绍
LED的生产流程包括外延和芯片两个制程,其中外延制程主要是在一衬底上通过气相沉积法将不同材料沉积于衬底上形成外延片,而芯片制程则是在外延片上制作透明导电层、电极等结构,并且通过划片机台、裂片机台将一晶圆分割成多个晶粒,供后续的封装使用。划片机台通常采用激光在晶圆的表面或者晶圆内部于相邻晶粒之间切割形成纵横交错的多条切割道,然后裂片机台沿该切割线将晶圆劈裂形成多个独立的晶粒。而划片机台若未能将相邻晶粒分割并形成相应的切割道,将形成双晶现象,进而影响后续的裂片操作。现有技术中,通常由工作人员通过肉眼分辨是否存在双晶现象,并通过吹气方式消除双晶,该方法导致检测效率和精度均较低,无法满足现代化生产作业。
技术实现思路
因此,为解决上述的问题,本技术在现有的裂片机上增设加热平台和离子风机,以消除双晶现象,实现自动化操作,具体技术方案如下:一种晶圆裂片装置,至少包括:晶圆,所述晶圆具有复数条切割道;加工平台,所述晶圆置于所述加工平台上;劈裂机构,所述劈裂机构位于所述加工平台上方;图像获取机构,所 ...
【技术保护点】
一种晶圆裂片装置,至少包括:晶圆,所述晶圆具有复数条切割道;加工平台,所述晶圆置于所述加工平台上;劈裂机构,所述劈裂机构位于所述加工平台上方;图像获取机构,所述图像获取机构位于所述加工平台的下方;其特征在于:所述裂片装置还包括用于加热晶圆以消除双晶的加热平台,位于所述加热平台一侧对所述晶圆进行吹扫的风机,以及在所述加工平台和加热平台之间转移所述晶圆的转移机构。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆裂片装置,至少包括:晶圆,所述晶圆具有复数条切割道;加工平台,所述晶圆置于所述加工平台上;劈裂机构,所述劈裂机构位于所述加工平台上方;图像获取机构,所述图像获取机构位于所述加工平台的下方;其特征在于:所述裂片装置还包括用于加热晶圆以消除双晶的加热平台,位于所述加热平台一侧对所述晶圆进行吹扫的风机,以及在所述加工平台和加热平台之间转移所述晶圆的转移机构。2.根据权利要求1所述的一种晶圆裂片装置,其特征在于:所述加工平台的上方还具有对所述晶圆提供照明的第一光源,所述第一光源位于所述劈裂机构的一侧。3.根据权利要求1所述的一种晶圆裂片装置,其特征在于:所述加工平台的下方还具有对所述晶圆提供照明的第二光源,所述第二光源位于所述图像获取机构的一侧。4.根据权利要求1所述的一种晶圆裂片装置,其特征在于:所述加工平台的上方...
【专利技术属性】
技术研发人员:马钰,梁鸿顺,吴钊,魏峰,陈文志,魏莹,蔡家豪,邱智中,张家宏,
申请(专利权)人:安徽三安光电有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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