一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法技术

本发明专利技术公开了一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，本发明专利技术在普通CdS量子点合成上更换了封端剂，以提高光致发光效率；在CdS量子点水溶液中加入了Triton X‑100活性剂，以减小去离子水的表面张力，使得CdS量子点水溶液在超疏水的PVK层表面的接触角大大减小，使CdS量子点溶液能在PVK层上更好的铺展，实现均匀的旋涂，完成QLED结构；在CdS量子点层高温退火过程中设定不同温度测其发光效率，得到最佳退火温度，完善CdS量子点的改良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法。
技术介绍
量子点发光二极管作为最新一代的发光二极管，吸引了人们极大的注意力。市面上存在这量子点大小可调、窄带发射、发光效率高的QLED，但用这种量子点合成发白光的QLED工艺复杂。而现在存在的CdS量子点合成材料昂贵，合成步骤含有有毒物质。因此现在缺少一种发射白光、色域纯净、工艺简单、性能稳定的量子点发光二极管。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术所要解决的技术问题是：找到一种简便的近白光QLED的CdS量子点的合成方法，解决含有超亲水CdS量子点的水溶液不能均匀旋涂在超疏水PVK层的问题，进一步改进，增加其发光效率。技术方案：提供一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，简化了合成步骤，避免有毒步骤的操作，用TGA代替TG作封端剂，提高量子产率；解决了超亲水CdS量子点水溶液无法在超疏水PVK层表面均匀旋涂的困难，找到一个合适的退火温度，使用CdS量子点旋涂在PVK层上之后，能够稳定存在，用Mg:Ag代替Al作阴极，提高发光效率。有益效果：与现有技术相比，本专利技术的近白光QLED的CdS量子点的改良方法器件结构更简单，操作步骤更方便；实现了超亲水的CdS量子点水溶液在超疏水PVK层表面的均匀铺展；适宜的退火温度增加了CdS量子点的稳定性，提高了发光效率；阴极电极用Mg:Ag替代Al，改善了发光效率。附图说明图1是QLED结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做更进一步解释。如图1所示为QLED结构示意图，在刻蚀有ITO导电电极2的玻璃1上，旋涂PEDOT-PSS，110℃退火烘烤1h得到25nm的3；旋涂PVK，100℃退火烘烤1h得到4；旋涂CdS量子点，190℃退火烘烤1h得到5；最后度上Al或Mg:Ag电极得到6。CdS量子点溶液制备方法为取50ml混合有5mMCdSO4,65mMNa2S2O3和15mMTGA的溶液，其PH调节至8.5，加热至80℃搅拌1h，离心后分散在去离子水中；按体积比2000:1的比例加入TritonX-100，得到最后的CdS量子点溶液。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，包括在常规热化学方法制备CdS量子点的ZnO量子的基础上，用hioglycolic acid(TGA)代替thiogelycerol(TG)作为封端剂，更好的保护发射近白光的CdS量子点，以提高CdS量子点量子产率；所述CdS量子点制备的水溶液中加入一定比例的Triton X‑100作为活性剂，减小溶有超亲水CdS量子点的去离子水的表面张力，使其能均匀附着于超疏水的PVK层之上。

【技术特征摘要】
1.一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，包括在常规热化学方法制备CdS量子点的ZnO量子的基础上，用hioglycolicacid(TGA)代替thiogelycerol(TG)作为封端剂，更好的保护发射近白光的CdS量子点，以提高CdS量子点量子产率；所述CdS量子点制备的水溶液中加入一定比例的TritonX-100作为活性剂，减小溶有超亲水CdS量子点的去离子水的表面张...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢为友，逯利军，钱培专，
申请(专利权)人：赛特斯信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32