一种半导体器件和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。所述半导体器件包括：P型半导体衬底；一可控硅整流器，形成于所述P型半导体衬底上，所述可控硅整流器为环形；一二极管串，位于所述环形的可控硅整流器以内区域的所述P型半导体衬底上，与所述可控硅整流器彼此间隔，该二极管串包含若干个环形的二极管，其中位于外侧的环形的二极管包围其内侧的环形的二极管并互相间隔，且所述环形的二极管从外到内宽度逐渐减小。本发明专利技术的半导体器件为一种改进了的环形二极管辅助激发SCR器件，其具有高的触发电压以及相对较小的衬底面积消耗，因此该半导体器件可实现优异的ESD保护性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件和电子装置。
技术介绍
在半导体
中，静电放电(ESD)现象是对集成电路(IC)的一大威胁。随着半导体制程工艺尺寸的不断减小，ESD防护设计在纳米级的CMOS技术中变得越来越具有挑战性和难度。SCR(可控硅整流器)器件由于其强的ESD鲁棒性(robustness)和在单位面积下具有最强的电流泄放能力被广泛应用于IC的片上静电放电(ESD)保护。当其被用作低工作功率源ICs时，SCR器件高的触发电压限制了其应用范围。因此一些先进技术例如二极管辅助触发SCR器件(DTSCR)被提出用来增强SCR器件的开启效率。然而常规的DTSCR器件仍然存在漏电流大和硅衬底面积消耗等问题。图1A、图1B和图1C分别示出了现有的一种DTSCR器件的剖面示意图、平面布局图和等效电路图。图1A示出了一个外接了三个二极管的DTSCR器件，该DTSCR器件包括主SCR器件部分和一个用于辅助触发的二极管串,图中右边部分为主SCR器件部分，图中左边部分为三个P+/N阱二极管。SCR器件部分N阱中的P+/N阱以及右边的三个P+/N阱二极管则组成了这个DTS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：P型半导体衬底；一可控硅整流器，形成于所述P型半导体衬底上，所述可控硅整流器为环形；一二极管串，位于所述环形的可控硅整流器以内区域的所述P型半导体衬底上，与所述可控硅整流器彼此间隔，该二极管串包含若干个环形的二极管，其中位于外侧的环形的二极管包围其内侧的环形的二极管并互相间隔，且所述环形的二极管从外到内宽度逐渐减小。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：P型半导体衬底；一可控硅整流器，形成于所述P型半导体衬底上，所述可控硅整流器为环形；一二极管串，位于所述环形的可控硅整流器以内区域的所述P型半导体衬底上，与所述可控硅整流器彼此间隔，该二极管串包含若干个环形的二极管，其中位于外侧的环形的二极管包围其内侧的环形的二极管并互相间隔，且所述环形的二极管从外到内宽度逐渐减小。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述可控硅整流器包括：位于所述P型半导体衬底内的由内到外或由外到内相邻接的环形的第一P阱和环形的第一N阱；位于所述第一P阱内的由内到外或由外到内相邻排布的环形的第一N+注入区和环形的第一P+注入区，以及位于所述第一N阱内的由内到外或由外到内相邻排布的环形的第二N+注入区和环形的第二P+注入区，其中所述第一N+注入区和第一P+注入区作为所述可控硅整流器的阴极，所述第二P+注入区作为所述可控硅整流器的阳极。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述第一N阱内的环形的第三P+注入区。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三P+注入区和所述第二P+注入区作为所述可控硅整流器的阳极。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述环形的二极管至少包括：位于所述P型半导体衬底内的环形的第二N阱；位于所述第二N阱内的由内到外或由外到内依次排布的环形的第三N+注入区、环形...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟雷，李宏伟，陈光，王京京，程惠娟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31