导电粒子、各向异性导电膜层及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置制备技术领域，公开了一种导电粒子、各向异性导电膜层及其制备方法和显示装置，可以便于对热压过程中导电粒子的破裂程度进行监测，提高显示装置在制备过程中的成品率。其中上述导电粒子的内核为荧光树脂核。本发明专利技术提供的导电粒子，通过采用荧光树脂核作为导电粒子的内核，可以通过监测热压过程中荧光的变化来监控导电粒子的破裂程度，从而减少导电粒子因压力不够导电连接性不好或压力过大致使导电粒子破裂失去导电性的现象的发生。所以，本发明专利技术提供的导电粒子，具有较好的导通性，可以提高显示装置在制备过程中的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别涉及一种导电粒子、各向异性导电膜层及其制备方法和显示装置。
技术介绍
在对阵列基板的外引脚进行贴合的技术中，将集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚作脚对脚的接合，中间使用各向异性导电膜层作为媒介，利用热压的方式使集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚导通。在对各向异性导电膜层进行加热、加压过程中，各向异性导电膜层中的导电粒子被压扁，可使得集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚连通。导电粒子自身的电阻小，导通电阻取决于导电粒子与阵列基板的外引脚的接触电阻以及阵列基板的外引脚上的导电粒子数目，压缩率在一定范围内越大，接触面积越大，接触电阻越小。但是，在对各向异性导电膜层进行热压过程中，如果压力太小，热传导不够，树脂不能反应完全，各向异性导电膜层中的导电粒子形变较小，压缩率较小，导电粒子的接触电阻较大，导致集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚不能导通；如果压力太大，各向异性导电膜层中的导电粒子碎裂程度太过，容易使得集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚连接后又断开，而且当显示装置在高温环境下工作时，集成电路芯片变形，将导致集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚之间的距离增大，导电粒子弹性消失，集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚之间出现短路。现有技术中，不便于对导电粒子的受损情况进行实时监测，也就不便于控制对阵列基板的外引脚进行贴合时的压力的大小，故容易造成显示装置在制备过程中成品率较低。
技术实现思路
本专利技术提供了一种导电粒子、各向异性导电膜层及其制备方法和显示装置，可以便于对热压过程中导电粒子的破裂程度进行监测，提高显示装置在制备过程中的成品率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种导电粒子，所述导电粒子的内核为荧光树脂核。本专利技术提供的导电粒子，通过采用荧光树脂核作为导电粒子的内核，可以通过监测热压过程中荧光的变化来监控导电粒子的破裂程度，从而减少导电粒子因压力不够导电连接性不好或压力过大致使导电粒子破裂失去导电性的现象的发生。所以，本专利技术提供的导电粒子，具有较好的导通性，可以提高显示装置在制备过程中的成品率。在一些可选的实施方式中，所述荧光树脂核的材料为荧光高分子材料。在一些可选的实施方式中，所述荧光高分子材料为聚苯胺或聚噻吩。在一些可选的实施方式中，每个所述导电粒子的内核外包覆有镍层，所述镍层外包覆有镀金层。本专利技术还提供了一种各向异性导电膜层，包括粘合层，所述粘合层内设有多个如上述任一项所述的导电粒子。本专利技术还提供了一种显示装置，包括阵列基板和集成电路芯片，还包括：上述所述的各向异性导电膜层，所述各向异性导电膜层用于将所述阵列基板的外引脚和所述集成电路芯片的引脚连通。本专利技术还提供了一种各向异性导电膜层的制备方法，包括：形成多个内核为荧光树脂核的导电粒子；将多个所述导电粒子之间通过粘合胶粘合形成粘合层。在一些可选的实施方式中，所述荧光树脂核通过将荧光粉和量子点荧光物掺杂入树脂中形成。在一些可选的实施方式中，所述荧光树脂核通过将荧光小分子接枝于树脂链段中形成。在一些可选的实施方式中，所述荧光树脂核采用荧光高分子材料形成。在一些可选的实施方式中，所述荧光高分子材料为聚苯胺或聚噻吩。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术实施例提供的导电粒子的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的导电粒子的导电率变化示意图；图3a～图3f为本专利技术实施例提供的导电粒子随压缩率变化破裂示意图；图4为本专利技术实施例提供的各向异性导电膜层的结构示意图；图5a～图5b为本专利技术实施例提供的各向异性导电膜层内的导电粒子受压前后变化示意图；图6a～图6b为本专利技术实施例提供的集成电路芯片的引脚和阵列基板的外引脚进行热压贴合的状态示意图。图中：1-导电粒子11-内核12-镍层13-镀金层2-各向异性导电膜层21-粘合层22-底模3-阵列基板31-外引脚4-彩膜基板5-压头6-集成电路芯片61-引脚7-监测装置8-缓冲材料层具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。实施例一如图1所示，图1为本专利技术实施例提供的导电粒子的结构示意图；本专利技术实施例提供了一种导电粒子1，导电粒子1的内核11为荧光树脂核。本专利技术实施例提供的导电粒子1，通过采用荧光树脂核作为导电粒子1的内核11，可以通过监测热压过程中荧光的变化来监控导电粒子1的破裂程度，从而减少导电粒子1因压力不够导电连接性不好或压力过大致使导电粒子1破裂失去导电性的现象的发生。所以，本专利技术实施例提供的导电粒子，具有较好的导通性，可以提高显示装置在制备过程中的成品率。本专利技术提供的导电粒子1，在热压过程中，导电粒子1的破损程度逐步增加，通过监测热压过程中的荧光变化来监控导电粒子1破裂程度，从而避免出现因为压力不够连接不良，抑或压力过大，压缩率过大导致的导电粒子1碎裂太多及弹性消失导致的导通性不良的现象的发生。如图2和图3a～图3f所示，其中：图2为本专利技术实施例提供的导电粒子的导电率变化示意图；图3a～图3f为本专利技术实施例提供的导电粒子随压缩率变化破裂示意图；从图2上可以看出，导电粒子1在0％-30％压缩率之间电阻随压缩率的增加迅速降低，对应的导电粒子1受压后的受损程度如图3a和图3b所示，导电粒子1在30％-55％压缩率之间电阻随压缩率的增加缓慢降低，达到最佳效果，对应的导电粒子1受压后的受损程度如图3c和图3d所示，继续增加压缩率，导电粒子1将被压碎，丧失导电能力，对应的导电粒子1受压后的受损程度如图3e和3f所示，此时导电粒子1失去连通性，将造成断路，引发显示装置中电路连接不良。上述荧光树脂核的材料可以有多种，可选的，荧光树脂核的材料为荧光高分子材料。可选的，上述荧光高分子材料可以为聚苯胺或聚噻吩。上述荧光树脂核可以通过将荧光粉和量子点荧光物掺杂入树脂中形成，也可以通过将荧光小分子接枝于树脂链段中形成。如图1所示，每个导电粒子1的内核11外包覆有镍层12，镍层12外包覆有金层13。即采用镀金工艺形成在镍层外，镍层其外的镀金层起到导电的作用。实施例二如图4所示，图4为本专利技术实施例提供的各向异性导电膜层的结构示意图；本专利技术实施例还提供了一种各向异性导电膜层2，包括粘合层21，粘合层21内设有多个如上述任一项所述的导电粒子1。粘合层功能可以防湿气、防热、绝缘、维持电极与导电粒子间的接触面积。通常各向异性导电膜层2还包括：底模22，底模22的设置可以保护在制备各向异性导电膜层时粘结层21免受外界污染。如图5a～图5b和图6a～图6b所示，在对阵列基板3的外引脚进行贴合的技术中，需要将集成电路芯片6的引脚61和阵列基板3的外引脚31作脚对脚的接合，中间使用各向异性导电膜层2作为媒介，通过压头5利用热压的方式挤压各向异性导电膜层2中的导电粒子1，通常在压头5和集成电路芯片6之间会放置缓冲材料层8，在压头挤压过程中，导电粒子1将发生形变，可以将集成电路芯片6的引脚61和阵列基板3的外引脚31导通，由于导电粒子1采用荧光树脂作为内核本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电粒子，其特征在于，所述导电粒子的内核为荧光树脂核。

【技术特征摘要】
1.一种导电粒子，其特征在于，所述导电粒子的内核为荧光树脂核。2.根据权利要求1所述的导电粒子，其特征在于，所述荧光树脂核的材料为荧光高分子材料。3.根据权利要求2所述的导电粒子，其特征在于，所述荧光高分子材料为聚苯胺或聚噻吩。4.根据权利要求1～3任一项所述的导电粒子，其特征在于，每个所述导电粒子的内核外包覆有镍层，所述镍层外包覆有金层。5.一种各向异性导电膜层，包括粘合层，其特征在于，所述粘合层内设有多个如权利要求1～4任一项所述的导电粒子。6.一种显示装置，包括阵列基板和集成电路芯片，其特征在于，还包括：如权利要求5所述的各向异性导电膜层，所述各向异性导电膜层用于将所述阵列基板的外引脚和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪欢，吕凤珍，张新霞，郭霄，李群，解晓龙，姚成鹏，李明光，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11