一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法，方法包括：在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED。本发明专利技术在量子点发光层上沉积一层功能材料，然后利用飞秒激光多光束干涉法或其他方法制备出具有光子晶体结构的电子阻隔层，利用光子晶体的表面效应，从而有效利用量子点射向金属电极一侧的光，提高量子点发光二极管的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子点发光二极管
，尤其涉及一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法。
技术介绍
量子点具有发光峰窄、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。在QLED中，量子点发光层背光一侧的光往往无法有效利用，金属电极虽然有一定的反射作用，但是也有较大的吸收损耗，因此，如何有效利用量子点发光层背光一侧的光，提高QLED器件的发光效率是目前研究的一个重点。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管及制备方法，旨在解决现有量子点背光一侧的光无法有效利用，QLED器件的发光效率较低的问题。本专利技术的技术方案如下：一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：A、在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；B、然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；C、在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；D、在电子注入层上蒸镀一阴极，形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；B、然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；C、在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；D、在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED。

【技术特征摘要】
1.一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、在基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层；B、然后在量子点发光层上制备一层有机聚合物，随后将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层；C、在电子阻隔层上依次制备电子传输层和电子注入层；D、在电子注入层上蒸镀一阴极，形成QLED。2.根据权利要求1所述的基于光子晶体结构的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀、纳米压印或飞秒激光多光束干涉法将有机聚合物制成具有光子晶体结构的电子阻隔层。3.一种基于光子晶体结构的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管自下而上依次包括基板、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子阻隔层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其中，所述电子阻隔层具有光子晶体结构。4.根据权利要求3所述的基于光子晶体结构的量子点发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44