一种半导体器件芯片的烧结定位工装模具制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。所述上顶盖和钼片存储腔构成存储降压二极管的钼片；所述钼片定位孔为固定降压二极管的钼片位置；所述吸气定位孔为吸取钼片所用，其定位孔与钼片定位孔对应；所述吸气盘与吸气泵连接上用做吸取钼片使用。在使用过程中一次能吸取31片钼片，比以前一次只能吸取1片钼片再效率上能提高30倍之多，并且其钼片定位更加准确，比1片钼片分别摆放时更加整齐。在生产效率上提高了数十倍之多。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件封装
，尤其涉及一种半导体器件的装配模具。
技术介绍
降压二极管，是一种小直径的二极管，具有体积小、结构相对简单、压降大、通流大等特点，是比较常用的半导体器件之一。通常在使用过程中时可将几个或是十几个甚至几十个降压二极管串联在一起使用已达到降压的效果。目前降压二极管多采用单芯片方式装配烧结，其生产效率及其低下，工艺极其繁琐，浪费很多道工序步骤操作，成品率极低。通过改进烧结方式，可以减少很多不必要的工序（如割圆、夹铝箔），同时烧结31片，可以将以前的生产效率提升31倍之多。其烧结工装要求简单，方法易于掌握，，生产成本较低而得到推广应用。
技术实现思路
本专利技术提供了一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，可以减少多道不必要的工序，本专利技术同时提供了采用此方法的封装模具。为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案实现：一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。具体过程如下：1）清理模具（钼片存储腔）内部灰尘或异物，将钼片定位孔和吸气定位孔插接好；2）将清洗好的钼片放置在钼片存储腔中，同时盖好上顶盖并旋转锁死；3）轻轻晃动钼片存储腔内的钼片，使钼片落在钼片定位孔内，确保每个定位孔内有钼片；4）将吸气盘和吸气泵用乳胶管连接好，启动吸气泵，堵好放气口，轻轻旋转模具架180度，旋转过程中确保钼片要吸住不能掉下；5）在此之前准备好烧结石墨筒，用吸气泵吸取硅片放置在石墨垫上，再吸取铝泊放置在硅片上；6）将吸气盘垂直向上轻轻提起后，将吸气盘垂直向下落到石墨筒内与铝箔接触；再松开放气孔使钼片落在铝箔上；将吸气盘垂直向上轻轻提起；再将吸气盘垂直向下落到钼片定位孔内；7）在重复3）-6）步重复装配。8）重复装配满一炉后，将石墨筒放置在烧结炉内进行烧结。一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。所述上顶盖和钼片存储腔构成存储降压二极管的钼片，可存放大量的钼片，使操作时简单方便。所述钼片定位孔为固定降压二极管的钼片位置，每次操作时使钼片落到定位孔内，同时可放置31片钼片。所述吸气定位孔为吸取钼片所用，其定位孔与钼片定位孔对应；能同时吸取到31片钼片。所述钼片定位孔和吸气盘定位孔必须是对应的，特在其两个的边缘位置增加定位削和定位槽。所述吸气盘与吸气泵连接上用做吸取钼片使用。所述所用材料为普通塑料，使用清洁方便。与现在技术相比，本专利技术的有益效果是：1）采取在大片硅片上同时烧结，比单片烧结时，由于铝箔充足，烧结后边沿沾润提高很多。2）同时装配31片钼片，比以前人工每片装配，在生产效率上提高很多工效。附图说明图1是本专利技术所述工装模具的结构示意图。图2是本专利技术所述钼片定位孔示意图。图3是本专利技术所述吸气定位孔示意图。图4是本专利技术所述上顶盖示意图。图5是本专利技术所述吸气盘示意图。图中：1.上顶盖2.钼片存储腔3.钼片定位孔4.吸气定位孔5.吸气盘6.放气孔7.吸气泵。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明：见图1，是本专利技术所述可控硅封装过程示意图。本专利技术一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。具体过程如下：1）清理模具（钼片存储腔）内部灰尘或异物，将钼片定位孔（如图2所示）和吸气定位孔（如图3所示）插接好；2）将清洗好的钼片放置在钼片存储腔中，同时盖好上顶盖并旋转锁死（如图4所示）；3）轻轻晃动钼片存储腔内的钼片，使钼片落在钼片定位孔内（如图2所示），确保每个定位孔内有钼片；4）将吸气盘（如图5所示）和吸气泵用乳胶管连接好，启动吸气泵，堵好放气口，轻轻旋转模具架180度，旋转过程中确保钼片要吸住不能掉下；5）在此之前准备好烧结石墨筒，用吸气泵吸取硅片放置在石墨垫上，再吸取铝泊放置在硅片上；6）将吸气盘垂直向上轻轻提起后，将吸气盘垂直向下落到石墨筒内与铝箔接触；再松开放气孔使钼片落在铝箔上；将吸气盘垂直向上轻轻提起；再将吸气盘垂直向下落到钼片定位孔内；7）在重复3）-6）步重复装配。8）重复装配满一炉后，将石墨筒放置在烧结炉内进行烧结。见图1，是本专利技术所述工装模具的结构示意图。本专利技术所述一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。所述上顶盖和钼片存储腔构成存储降压二极管的钼片，可存放大量的钼片，使操作时简单方便。所述钼片定位孔为固定降压二极管的钼片位置，每次操作时使钼片落到定位孔内，同时可放置31片钼片。所述吸气定位孔为吸取钼片所用，其定位孔与钼片定位孔对应；能同时吸取到31片钼片。所述钼片定位孔和吸气盘定位孔必须是对应的，特在其两个的边缘位置增加定位削和定位槽。所述吸气盘与吸气泵连接上用做吸取钼片使用。所述所用材料为普通塑料，使用清洁方便。以下实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。下述实施例中所用方法如无特别说明均为常规方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，包括上顶盖、钼片存储腔、钼片定位孔、吸气定位孔、吸气盘、吸气泵等模具。2.根据权利要求1所述的一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，其特征在于，所述上顶盖和钼片存储腔构成存储降压二极管的钼片，可存放大量的钼片，使操作时简单方便。3.根据权利要求1所述的一种半导体器件芯片（降压二极管）的烧结定位的工装模具，其特征在于，所述钼片定位孔为固定降压二极管的钼片位置，每次操作时使钼片落到定位孔内，同时可放置31片钼片。4.根据权利要求1所述的一种半导体器件芯片（降压二极管）的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵巍巍，高军，孙凤军，
申请(专利权)人：鞍山市联达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21