一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明专利技术首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒；其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位，形成ZnO纳米管；以上述ZnO纳米管为模板，采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线；最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板，不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线，也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳米制造领域，具体涉及一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法。
技术介绍
金属纳米阵列结构由于突出的电子、光学和催化性能而被广泛应用于生物传感器、气体传感器、敏化太阳能电池、光降解器和发光二极管等微纳米器件中。Ag纳米线具有比表面积大、电子传输能力强，催化效率高，化学性质稳定，等电点高等优点，因而受到了广泛地研究。Ag纳米线阵列结构的制备主要包括模板法、化学合成法、电化学沉积法等，其中，模板法简单易行，易于控制Ag纳米线的尺寸与形貌，目前使用较为广泛。常用的模板包括阳极氧化铝(AAO)模板、纳米通道玻璃和核径迹刻蚀的聚碳酸酯薄膜。AAO模板的孔径和深度易于调节，机械性能和热稳定性好，常用于制备金属纳米阵列结构。例如，Wang Lisha利用AAO模板电沉积Au纳米线阵列结构，并在其表面物理吸附葡萄糖氧化酶制备了葡萄糖传感器。Sun Xiuyu采用AAO模板电沉积长度可控、高密度的Ag纳米线阵列结构。但是，AAO模板的制备工艺较为繁琐，主要包括铝基板的高温退火、去脂、抛光、一次氧化、去除一次氧化膜、二次氧化、去除铝基板、去除阻挡层等工序。此外，AAO模板是在平面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，其特征在于，在ITO导电玻璃上化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。

【技术特征摘要】
1.一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，其特征在于，在ITO导电玻璃上化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。2.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，其特征在于，平面ITO导电玻璃的长、宽、厚分别为10mm、5mm、1.1mm，方块电阻小于7Ω/□，表面均方根粗糙度为2.2nm。3.根据权利要求1所述的一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，其特征在于，化学刻蚀的ZnO纳米管模板包括以下步骤：1)用丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗ITO导电玻璃，并在室温下干燥；2)将Zn(CH3COO)2·2H2O和NaOH溶于无水乙醇配制Zn2+浓度为0.5～1.5mmol/L的ZnO种子层溶液；3)将ITO导电玻璃浸入步骤2)配制的ZnO种子层溶液，而后退火处理，获得沉积有ZnO种子层的ITO导电玻璃；4)将Zn(NO3)2·6H2O和六次甲基四胺溶于去离子水中，搅拌并加热，得到Zn2+浓度为60～120mmol/L的ZnO生长液；5)将步骤3)沉积有ZnO种子层的ITO导电玻璃放入步骤4)配制的ZnO生长液生长2～6h...

【专利技术属性】
技术研发人员：景蔚萱，周帆，吴琼，崔奇兵，蒋庄德，高伟卓，徐志鹏，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61