生产在电容器中使用的氧化铌粉末的方法技术

本发明专利技术涉及具有高的纯度、大的比表面积、控制的氧和氮含量，和适合于在制造电容器中使用的形态的一氧化铌（ＮｂＯ）粉末的生产方法，其特征在于包括两步五氧化铌（Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］）的还原步骤，其中第一步包括通过氢气还原五氧化铌（Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］）成二氧化铌（ＮｂＯ↓［２］），和第二步包括通过使用氧吸收剂材料，在便于使得氧化铌（ＮｂＯ↓［２］）中的氧原子转移到吸收剂材料上的氛围内，在形成一氧化铌（ＮｂＯ）的合适时间和温度条件下，还原二氧化铌（ＮｂＯ↓［２］）成一氧化铌（ＮｂＯ）。使用本发明专利技术的方法所生产的一氧化铌（ＮｂＯ）粉末的颗粒小，具有大的表面积和合适的形态，且适合于生产电容器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】生产在电容器中使用的氧化铌粉末的方法专利技术简述本专利技术涉及生产一氧化铌(NbO)粉末的方法，其特征在于两步五氧化铌(Nb2O5)的还原步骤，其中第一步包括通过氢气还原五氧化铌(Nb2O5)成二氧化铌(NbO2)，和第二步包括通过使用氧吸收剂(getter)材料和在便于使得氧原子从二氧化铌(NbO2)转移到吸收剂材料上的氛围内，在适当的形成一氧化铌(NbO)的时间和温度条件下，还原二氧化铌(NbO2)成一氧化铌(NbO)。使用耐火或反应性金属和/或耐火或反应性金属的氢化物作为氧吸收剂材料，和在使得氧原子转移的氛围内，在唯一的一步内部分还原铌的氧化物是本领域已知的，例如可参见美国专利No.6391275、No.6416730和No.6462934。然而，在唯一的一步内部分还原铌的氧化物的主要问题在于难以获得其组成具有仅仅一氧化铌的产物，这可参见以上引用的专利。这是因为存在铌可能呈现的各种氧化态，亦即可在单一步骤内部分还原过程中形成的无数铌的氧化物。除了一氧化铌以外，存在大于一类铌氧化物或者甚至残留的金属铌，对其在电容器中的使用来说是有害的。此外，难以控制所得到的最终形态，且对于制造高本文档来自技高网...

【技术保护点】
生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于包括两步铌氧化物的还原步骤，其中第一步包括通过氢气还原五氧化铌成二氧化铌，和第二步包括通过使用氧吸收剂材料和在使得二氧化铌中的氧原子转移到吸收剂材料上的氛围内，还原二氧化铌成一氧化铌，其中吸收剂材料可以是耐火金属或反应性金属或耐火金属氢化物或反应性金属氢化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】BR 2003-9-25 PI 0304252-91.生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于包括两步铌氧化物的还原步骤，其中第一步包括通过氢气还原五氧化铌成二氧化铌，和第二步包括通过使用氧吸收剂材料和在使得二氧化铌中的氧原子转移到吸收剂材料上的氛围内，还原二氧化铌成一氧化铌，其中吸收剂材料可以是耐火金属或反应性金属或耐火金属氢化物或反应性金属氢化物。2.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在介于700℃-1500℃、优选介于800℃-1200℃的温度下经15-300分钟、优选30-180分钟的时间段进行第一步还原步骤。3.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在氢气或氢气与其它惰性气体，如氩气、氦气和氮气在各种比值下的混合物的氛围内进行第一步还原步骤。4.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在一氧化碳或具有合适还原能力的任何其它气体或气体混合物的氛围内进行第一步还原步骤。5.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在第一步还原步骤中，产生具有比表面积为约0.5m2/g-20m2/g的微孔结构的二氧化铌。6.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在第一步还原步骤中，产生具有至少41％孔隙度的微孔结构的二氧化铌。7.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在第一步还原步骤中，产生具有低五氧化铌残留量的微孔结构的二氧化铌。8.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在第二步还原步骤中，使用比表面积为约0.5m2/g-20m2/g的二氧化铌。9.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在第二步还原步骤中，使用具有至少41％孔隙度的二氧化铌。10.权利要求1的生产一氧化铌粉末的方法，其特征在于在第二步还原步骤中，使用粉末形式的铌金属及其合金，和/或铌金属及其合金氢化物作为氧吸收剂材料。11.权利要求1的生产一氧化铌粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：SY塔格萨格瓦，AA奥诺，FN班尼都斯，JBN费雷拉，
申请(专利权)人：巴西冶金采矿公司，圣保罗技术研究院，
类型：发明
国别省市：BR[巴西]