一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块制造技术

本发明专利技术公开了一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，包括：信号输入端和信号输出端；设置于信号输入端与信号输出端之间的晶体管，晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；通过电连接方式串联于晶体管输出端与信号输出端之间的第一薄膜体声波谐振器组阵列和/或通过电连接方式串联于晶体管输入端与信号输入端之间的第二薄膜体声波谐振器组阵列；所述薄膜体声波谐振器组阵列用于晶体管高次谐波开路；薄膜体声波谐振器组阵列包括至少一个薄膜体声波谐振器组；薄膜体声波谐振器包括第一电极、第二电极以及设置于两电极之间的介质薄膜层。薄膜体声波谐振器对放大模块进行谐波调谐，提高基于该放大模块的放大器效率，改善线性度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体、微电子及通讯
，特别是涉及一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块。
技术介绍
现代无线通讯技术发展迅速，高效率、高线性度和小型化等指标对功率放大器的性能提出越来越高的要求。放大器的漏极效率公式如下所示： D E = P O u t , f P D C = P O u t , f P d i s s + P O u t , f + ΣP O u t , n f ]]>由上式可知，放大器漏极效率与谐波功率，特别是二次谐波和三次谐波存在很大的关系。对放大器进行谐波处理能够抑制谐波功率，可以有效的提升放大器效率和线性度。常用的放大器谐波处理方法主要是使用短截线或电容和电感构成的集总谐振器实现放大器谐波调谐，对高次谐波进行开路或者短路处理，将高次谐波能量全部反射回晶体管或包括晶体管的放大电路，提高放大器效率。上述方法缺点是放大器的工作频段不太高时，短截线或集总谐振器的体积较大，很难在管壳内实现谐波内匹配设计，只能在放大器封装管壳外的电路板上才能进行谐波调谐，实现晶体管或包括晶体管的放大电路谐波短路。然而在放大器封装管壳外的电路板上进行谐波调谐，存在以下问题：一、谐波匹配网络需要占据大量的空间，不利于小型化。二、谐波匹配网络离功率放大器的核心元件晶体管距离较远，损耗较高，导致功率放大器效率降低。三、谐波匹配网络和基波匹配网络之间相互干扰，设计难度较大。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，该放大模块采用薄膜体声波谐振器对晶体管进行谐波调谐，提高放大模块效率，改善放大模块线性度。为实现上述目的，本专利技术提供了一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，包括：信号输入端和信号输出端；设置于所述信号输入端与所述信号输出端之间的晶体管，所述晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；通过电连接方式串联于所述晶体管输出端与所述信号输出端之间的第一薄膜体声波谐振器组阵列和/或通过电连接方式串联于所述晶体管输入端与所述信号输入端之间的第二薄膜体声波谐振器组阵列，所述薄膜体声波谐振器组阵列用于晶体管高次谐波开路；；固定放置所述晶体管以及所述薄膜体声波谐振器阵列组的底座；所述薄膜体声波谐振器组阵列包括至少一个薄膜体声波谐振器组；所述薄膜体声波谐振器组包括至少一个薄膜体声波谐振器；所述薄膜体声波谐振器包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的介质薄膜层。优选地，所述薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块还包括封装管壳，所述封装管壳包括管壳输入端、管壳输出端和直流偏置端；所述管壳输入端与所述信号输入端相连接，所述管壳输出端与所述信号输出端相连接。优选地，所述底座接地。优选地，所述电连接方式包括通过键合线连接和通过电容、电阻或电感组成的电路连接。优选地，所述薄膜体声波谐振器为固态封装型薄膜体声波谐振器、空腔型薄膜体声波谐振器或隔膜型薄膜体声波谐振器。优选地，所述介质薄膜层为氮化铝压电介质薄膜、氧化锌介质薄膜或钛酸锶钡铁电介质薄膜。应用本专利技术提供的薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，包括：信号输入端和信号输出端；设置于所述信号输入端与所述信号输出端之间的晶体管，所述晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；通过电连接方式串联于所述晶体管输出端与所述信号输出端之间的第一薄膜体声波谐振器组阵列和/或通过电连接方式串联于所述晶体管输入端与所述信号输入端之
间的第二薄膜体声波谐振器组阵列，所述薄膜体声波谐振器组阵列用于晶体管高次谐波开路；固定放置所述晶体管以及所述薄膜体声波谐振器阵列组的底座；所述薄膜体声波谐振器组阵列包括至少一个薄膜体声波谐振器组；所述薄膜体声波谐振器组包括至少一个薄膜体声波谐振器；所述薄膜体声波谐振器包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的介质薄膜层。所述薄膜体声波谐振器对放大器进行谐波调谐，将高次谐波全部反射回晶体管或包括晶体管的放大模块，进而能够提高放大器效率，改善放大器线性度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例一的俯视图；图2为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例一的剖视图；图3为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例一的等效电路图；图4为本专利技术薄膜体声波谐振器中的固态封装型薄膜体声波谐振器的剖视图；图5为本专利技术薄膜体声波谐振器中的空腔型薄膜体声波谐振器的剖视图；图6为本专利技术薄膜体声波谐振器中的隔膜型薄膜体声波谐振器的剖视图；图7为本专利技术薄膜体声波谐振器的等效电路图；图8为本专利技术薄膜体声波谐振器的理想的薄膜体声波谐振器的阻抗结果；图9为本专利技术谐波调谐放大模块的实施例一的串联谐振器的剖视图；图10为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例二的剖视图；图11为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例二的等效电路图；图12为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例三的剖视
图；图13为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例三的等效电路图；图14为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例四的薄膜体声波谐振器剖视图；图15为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例五的薄膜体声波谐振器剖视图；图16为本专利技术薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块的实施例五的薄膜体声波谐振器的等效电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，其特征在于，包括：信号输入端和信号输出端；设置于所述信号输入端与所述信号输出端之间的晶体管，所述晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；通过电连接方式串联于所述晶体管输出端与所述信号输出端之间的第一薄膜体声波谐振器组阵列和/或通过电连接方式串联于所述晶体管输入端与所述信号输入端之间的第二薄膜体声波谐振器组阵列，所述薄膜体声波谐振器组阵列用于晶体管高次谐波开路；用于固定放置所述晶体管以及所述薄膜体声波谐振器阵列组的底座；所述薄膜体声波谐振器组阵列包括至少一个薄膜体声波谐振器组；所述薄膜体声波谐振器组包括至少一个薄膜体声波谐振器；所述薄膜体声波谐振器包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的介质薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器谐波调谐放大模块，其特征在于，包括：信号输入端和信号输出端；设置于所述信号输入端与所述信号输出端之间的晶体管，所述晶体管包括晶体管输入端、晶体管输出端和晶体管接地端；通过电连接方式串联于所述晶体管输出端与所述信号输出端之间的第一薄膜体声波谐振器组阵列和/或通过电连接方式串联于所述晶体管输入端与所述信号输入端之间的第二薄膜体声波谐振器组阵列，所述薄膜体声波谐振器组阵列用于晶体管高次谐波开路；用于固定放置所述晶体管以及所述薄膜体声波谐振器阵列组的底座；所述薄膜体声波谐振器组阵列包括至少一个薄膜体声波谐振器组；所述薄膜体声波谐振器组包括至少一个薄膜体声波谐振器；所述薄膜体声波谐振器包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的介质薄膜层。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，张乃千，张永胜，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32