中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法技术

本发明专利技术提出一种中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。本发明专利技术根据波导谐振频率的电调节的方法，利用在滤波器谐振腔内加载调谐导电柱，实现对谐振腔的谐振频率的扰动，并通过在顶部金属层上形成由导电膜桥形成的开关对多个调谐导电柱进行选通，从而实现了基片集成波导滤波器中心频率的调节。本发明专利技术可以大大的增加了滤波器的应用范围和可校准性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于滤波器
，具体涉及中心频率可调的基片集成波导滤波器及其制作方法。
技术介绍
对于高频通讯系统应用，例如：5G通信的高频窗口，由于频率高达27GHz以上，传统的微带滤波器带内插损比较大，而基片集成波导(SIW)实现高频滤波器由于辐射损耗很小，所以其带内插损可以将控制在很小范围，很适合应用在小型化基站。滤波器是射频系统中关键元件，由于工作的频率的增加，传统的微带滤波器由于损耗增大，很难满足现在射频系统的要求，所以基片集成波导正成为高频滤波器的首选。相比于在基板上实现基片集成波导滤波器形式，由于工程设计的方便和设计时间的需要，更需要希望直接用滤波器器件直接贴装的方法来直接实现滤波器的功能。传统的基片集成波导滤波器中心频率可以通过电调节和磁调节的方式来实现。如公开号为CN104934662A的中国专利申请，其利用集成波导铁氧体的方式来实现中心频率可调滤波器，通过铁氧体改变波导滤波器内部的磁场，从而调节波导滤波器的中心频率。该方式的优点是结构简单，利于实现，可以简单的通过调节铁氧体的状态来改变磁场，从而调节中心频率。但其缺点是体积大，调谐的线性度差，而且没有制作外部电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中心频率可调的基片集成波导滤波器，所述滤波器包括谐振腔，谐振腔包括自下而上依次叠置的底层金属层、基板、中间金属层、介质层和顶层金属层，诸振腔的侧壁由多个贯通于顶层金属层与底层金属层的侧壁金属柱构成，且谐振腔内部具有多个贯通于中间金属层与底层金属层的金属连接柱，底层金属层的连接侧壁金属柱的部分与连接金属连接柱的部分相互间隔，其特征在于：所述谐振腔内部还具有调谐导电柱，所述调谐导电柱贯通于底层金属层和顶层多属层，但与中间金属层相互间隔；顶层多属层的连接调谐导电柱的部分与连接侧壁导电柱的部分相互间隔；底层金属层的连接调谐导电柱的部分与连接金属连接柱的部分相互间隔；所述顶层多属层的连接调谐导电柱的...

【技术特征摘要】
2016.07.18 CN 20161056510311.一种中心频率可调的基片集成波导滤波器，所述滤波器包括谐振腔，谐振腔包括自下而上依次叠置的底层金属层、基板、中间金属层、介质层和顶层金属层，诸振腔的侧壁由多个贯通于顶层金属层与底层金属层的侧壁金属柱构成，且谐振腔内部具有多个贯通于中间金属层与底层金属层的金属连接柱，底层金属层的连接侧壁金属柱的部分与连接金属连接柱的部分相互间隔，其特征在于：所述谐振腔内部还具有调谐导电柱，所述调谐导电柱贯通于底层金属层和顶层多属层，但与中间金属层相互间隔；顶层多属层的连接调谐导电柱的部分与连接侧壁导电柱的部分相互间隔；底层金属层的连接调谐导电柱的部分与连接金属连接柱的部分相互间隔；所述顶层多属层的连接调谐导电柱的部分的上方由一个导电膜桥覆盖，以在所述顶层多属层的连接调谐导电柱的部分与该导电膜桥之间形成一个空腔。2.如权利要求1所述的中心频率可调的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述调谐导电柱为金属柱，或者是其他能影响该基片集成波导滤波器中心频率的半导体材料构成。3.如权利要求1所述的中心频率可调的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述基板的材料为玻璃、高阻硅、砷化镓，铟磷III-VI族半导体或有机物。4.如权利要求1所述的中心频率可调的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述导电膜桥的上方形成有保护罩。5.如权利要求4所述的中心频率可调的基片集成波导滤波器，其特征在于，所述保护罩的材料为金属或玻璃。6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏华伟，张静，李君，靖向萌，曹立强，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11