本发明专利技术提供了一种四倍体石斛的培育方法，该方法包括以下步骤：先选出不同产地的霍山石斛品种作为植株亲本；植株种子无菌播种，获得二倍体原球茎；用秋水仙碱诱导二倍体原球茎；将诱导后的外植体转移到MS固体培养基上培养成苗分化；检测染色体倍数，选取染四倍体幼苗进行培养。本发明专利技术采用石斛原球茎为材料进行四倍体诱变，不受季节气候的影响，一次性可获得上万株四倍体石斛；本发明专利技术简单有效易行，缩短了传统四倍体育种时间，四倍体铁皮石斛的根、茎、叶、株高等都明显大或高于原二倍体铁皮石斛，大幅度地提高了铁皮石斛的药材产量，提高了铁皮石斛的品质和产量，另一方面为多倍体选种之用，使多倍体育种成为遗传改良、新品种培育的重要方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及植物多倍体培育
，具体地，涉及一种四倍体石斛的培育方法。
技术介绍
石斛是一种草本兰科植物，为传统名贵中药材，具有滋阴养胃，清热生精、增强免疫力、抑制癌症之功效。近年，随着社会的发展，人们生活水平逐步提高，人们日益重视生活质量。然而，由于环境恶化，人们过度采挖，现有的二倍体石斛生长缓慢、成活率低，品质难以保证，而人工种植投入高，农户种植积极性不高，使得石斛资源已濒临枯竭，国内市场供需矛盾严重。多倍体育种是植物新品种培育的重要手段，多倍体育种起源于20 世纪初，现已广泛应用于植物培育。多倍体由于基因组倍性的增加，往往表现出形态上的巨大性和抗性增强等特点。植物多倍化后，其根、茎、叶等营养器官的变大，次生代谢物含量的提高，通过多倍体育种技术可大大提升铁皮石斛的种植积极性，促进我国石斛产业的发展。 因此，培育四倍体铁皮石斛，可以较大幅度地提高铁皮石斛药材产量。专利200710061225.8报道了铁皮石斛四倍体的培育方法，此法诱变率较高但存在一定的缺陷：育种周期长，从育种到产业化应用需五年以上；四倍体植株中嵌合四倍体的频率较高，种质难以保证；获得植株少，限制产业化生产。专利201210244240.7报道了一种大量繁育同源纯合四倍体铁皮石斛方法，此法虽产量高但存在一定的缺陷：原球茎需要多次续代培养，选出四倍体植株后仍需要续代3次，进行诱导分化再生四倍体植株，操作繁琐；诱导时间长达72小时等问题。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种四倍体石斛简单易行的培育方法。本专利技术通过如下技术方案实现：提供一种四倍体石斛的培育方法，包括如下步骤：（1）优选出抗逆性好、生长快、茎秆粗、茎高长、分蘖多、纤维含量低、药效成分含量高的不同产地的霍山石斛品种作为多倍体培育原植株亲本；（2）对不同品种原植株种子在固体培养基中进行无菌播种，获得二倍体原球茎；（3）将获得的二倍体原球茎转入含有150-200mg/L秋水仙碱的1/2MS液体培养基中于30℃下进行诱变处理12小时；（4）将诱导完毕的外植体用无菌水冲洗干净后，转移到MS固体培养基上在光照下继续培养直至成苗分化；（5）四倍体的鉴定：移栽时，按株编号，取新生长的根尖，采用常规染色镜检办法检测染色体倍数，选取染色体数目2n=4x=76的幼苗，是加倍成功的四倍体；其他染色体数目的幼苗，为非整倍体，加倍不成功，不能使用；（6）待植株长至3～5cm移栽进行正常管理栽培。优选地，步骤（2）所述培养为在固体培养基静止培养，适合兰科植物的不同培养基均可，首选MS培养基，培养温度为20-26℃，光照时间10-12小时，光照强度1500-3000lux，色温在4000-5000K。优选地，步骤（3）所述1/2MS培养基中含有150-200mg/L秋水仙碱、0.5-1mg/L NAA（萘乙酸）、1-2mg/L 6-BA（6-苄基氨基嘌呤），且调节pH值为5.6±0.2。优选地，步骤（4）所述光照强度为1500-3000lux，色温为4000-5000K，在光周期为16小时/天，培养温度为20-26℃。与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：1、本专利技术采用石斛原球茎为材料进行四倍体诱变，不受季节气候的影响，一次性可获得上万株四倍体石斛。2、本专利技术简单有效易行，缩短了传统四倍体育种时间，四倍体铁皮石斛的根、茎、叶、株高等都明显大或高于原二倍体铁皮石斛，大幅度地提高了铁皮石斛的药材产量，提高了铁皮石斛的品质和产量，另一方面为多倍体选种之用，使多倍体育种成为石斛遗传改良、新品种培育的重要方法。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。品种A表示高纬度、高海拔地区的染色体核型指数为2n=38的霍山石斛品种，该品种具有抗逆性强、茎秆粗、药效成分含量高的特点；品种B表示低纬度、低海拔地区的染色体核型指数为2n=38的霍山石斛品种，该品种具有生长速度快、茎高长、分蘖多、纤维含量低的特点。实施例1（1）将品种A和品种B的植株按常规方法种植栽培；（2）对不同品种原植株种子在固体培养基中进行无菌播种，获得品种A和品种B植株的二倍体原球茎，所述培养为在MS固体培养基上静止培养，培养温度为22℃，光照时间10小时，光照强度1500lux，色温在4000K；（3）将获得的二倍体原球茎转入含有200mg/L秋水仙碱、0.5mg/L NAA（萘乙酸）、1mg/L 6-BA（6-苄基氨基嘌呤），pH值为5.6±0.2的1/2MS液体培养基中于30℃下进行诱变处理12小时；（4）将上述处理完毕的外植体用无菌水冲洗干净后，转移到MS固体培养基上在光照强度为1500lux，色温为4000K，在光周期为16小时/天，培养温度为22℃条件下继续培养直至成苗分化；（5）四倍体的鉴定：移栽时，按株编号，取新生长的根尖，采用常规染色镜检办法检测染色体倍数，选取染色体数目2n=4x=76的幼苗，是加倍成功的四倍体；其他染色体数目的幼苗，为非整倍体，加倍不成功，不能使用；（6）待植株长至3～5cm移栽进行正常管理栽培。本实施例中四倍体成株后，四倍体植株根系更为发达、其平均茎粗是二倍体石斛的1.3倍，平均株高是二倍体石斛株高的1.5倍，其中总多糖含量较二倍体石斛高出3.1 %。实施例2（1）将品种A和品种B的植株按常规方法种植栽培；（2）对不同品种原植株种子在固体培养基中进行无菌播种，获得品种A和品种B植株的二倍体原球茎，所述培养为在MS固体培养基上静止培养，培养温度为25℃，光照时间12小时，光照强度3000lux，色温在5000K；（3）将获得的二倍体原球茎转入含有150mg/L秋水仙碱、、1mg/L NAA（萘乙酸）、2mg/L 6-BA（6-苄基氨基嘌呤），pH值为5.6±0.2的1/2MS液体培养基中于30℃下进行诱变处理12小时；（4）将上述处理完毕的外植体用无菌水冲洗干净后，转移到MS固体培养基上在光照强度为3000lux，色温为5000K，在光周期为16小时/天，培养温度为25℃条件下继续培养直至成苗分化；（5）四倍体的鉴定：移栽时，按株编号，取新生长的根尖，采用常规染色镜检办法检测染色体倍数，选取染色体数目2n=4x=76的幼苗，是加倍成功的四倍体；其他染色体数目的幼苗，为非整倍体，加倍不成功，不能使用；（6）待植株长至3～5cm移栽进行正常管理栽培。本实施例中四倍体成株后，四倍体植株根系更为发达、其平均茎粗是二倍体石斛的1.2倍，平均株高是二倍体石斛株高的1.4倍，其中总多糖含量较二倍体石斛高出2.9 %。以上对本专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本专利技术并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本专利技术的实质内容。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种四倍体石斛的培育方法，其特征在于，所述石斛四倍体的培育方法，包括如下步骤：（1）优选出抗逆性好、生长快、茎秆粗、茎高长、分蘖多、纤维含量低、药效成分含量高的不同产地的霍山石斛品种作为四倍体培育原植株亲本；（2）对不同品种原植株种子在固体培养基中进行无菌播种，获得二倍体原球茎；（3）将获得的二倍体原球茎转入含有150‑200mg/L秋水仙碱的1/2MS液体培养基中于30℃下进行诱变处理12小时；（4）将诱导完毕的外植体用无菌水冲洗干净后，转移到MS固体培养基上在光照下继续培养直至成苗分化；（5）四倍体的鉴定：移栽时，按株编号，取新生长的根尖，采用常规染色镜检办法检测染色体倍数，选取染色体数目2n=4x=76的幼苗，是加倍成功的四倍体；其他染色体数目的幼苗，为非整倍体，加倍不成功，不能使用；（6）待植株长至3～5cm移栽进行正常管理栽培。
【技术特征摘要】
1.一种四倍体石斛的培育方法，其特征在于，所述石斛四倍体的培育方法，包括如下步骤：（1）优选出抗逆性好、生长快、茎秆粗、茎高长、分蘖多、纤维含量低、药效成分含量高的不同产地的霍山石斛品种作为四倍体培育原植株亲本；（2）对不同品种原植株种子在固体培养基中进行无菌播种，获得二倍体原球茎；（3）将获得的二倍体原球茎转入含有150-200mg/L秋水仙碱的1/2MS液体培养基中于30℃下进行诱变处理12小时；（4）将诱导完毕的外植体用无菌水冲洗干净后，转移到MS固体培养基上在光照下继续培养直至成苗分化；（5）四倍体的鉴定：移栽时，按株编号，取新生长的根尖，采用常规染色镜检办法检测染色体倍数，选取染色体数目2n=4x=76的幼苗，是加倍成功的四倍体；其他染色体数目的幼苗，为非整倍体，加倍不成功，不能使用；（6）待植株长至3～...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩冬，
申请(专利权)人：安徽斛生记生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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