一种石斛盆栽种植方法技术

本发明专利技术公开了一种石斛盆栽种植方法，包括以下步骤：栽培容器的选择及处理，石斛种苗预处理，种苗移栽，光照、温度、湿度、浇水、施肥及病虫害防治的管理。本发明专利技术的优点在于：提供了一种采用有机质栽培技术，栽培不用化肥、激素和农药，且可作为盆景的石斛盆栽种植方法；其中(1)不用化肥、激素和农药，不污染环境，绿色环保；(2)栽培容器底部开有排水孔，配以底部平铺的一层石灰岩碎石，使石斛生长过程中透气排水，不易烂根；(3)瓶苗移栽时，先将根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质，既固定了石斛，又因为空穴位置的可选择性，使其空间分布布局得以完善化。

Potted planting method of Dendrobium

The invention discloses a potted Dendrobium planting method, comprising the following steps: selecting and processing cultivation container, pretreatment of Dendrobium seedlings, seedling transplanting, illumination, temperature, humidity, watering, fertilization and pest management. The invention has the advantages of providing a used organic cultivation techniques, cultivation without chemical fertilizers, hormones and pesticides, and can be used as potted bonsai Dendrobium planting methods; one (1) without chemical fertilizers, hormones and pesticides, no environmental pollution, green environmental protection; (2) the bottom of Zai Peirong is provided with drainage holes, with with a layer of crushed limestone at the bottom of the tile, the growth process of Dendrobium in ventilation and drainage, not easy to rot; (3) when transplanting, the root in the hole in the fixed position, and then around again filled with a layer of Dendrobium seedlings cultivation medium, not only because of the fixed Dendrobium, optional hole the position of the spatial layout to perfect.

【技术实现步骤摘要】
一种石斛盆栽种植方法
本专利技术涉及石斛栽培
，尤其涉及一种石斛盆栽种植方法。
技术介绍
石斛，兰科植物之一，主要分布于亚洲热带和亚热带，澳大利亚和太平洋岛屿，我国大部分分布于西南、华南、台湾等地。石斛的主要品种有铁皮石斛、金钗石斛、密花石斛、鼓槌石斛等。可入药，对人体有驱解虚热，益精强阴等疗效。石斛是我国传统名贵的中药材，其中铁皮石斛具有滋阴养胃、润肺止咳、抗癌和延年益寿等功效，金钗石斛具有抗肿瘤、抗衰老、增强机体免疫力、抗白内障和抗菌等作用，二者均已成为世界各国防病、治病和医疗保健的极品良药，在民间享有“仙草”、“千金草”、“药界大熊猫”的美誉，在国内外均具有广阔的市场。目前，石斛只生于野外或大棚栽培作商品出售，并没有成熟、实用作盆景的栽培技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种采用有机质栽培技术，栽培不用化肥、激素和农药且可作为盆景的石斛盆栽种植方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种石斛盆栽种植方法，包括如下步骤：(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为20-30cm、15-20cm、15-20cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开2-3个排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2-4个空穴的栽培基质；(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净为止，洗净后将种苗置于阴凉处，晾至其表面不带有水滴；(3)种苗移栽①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白，把根系分开；②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质；③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物；(4)管理①光照：盆栽放在阴凉通风处，在晒太阳时需遮光，夏天切忌阳光直射；②温度：生长温度维持为25℃-30℃；③湿度：保持在60％以上；④浇水：选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水，夏秋时2-3天浇一次水，冬季时10-15天浇一次水；⑤施肥：每年4-10月的生长期内，25-30天施一次肥；⑥病虫害防治：预防为主，保证盆栽要通风良好。优选地，所述步骤(1)中排水孔的直径为0.2-0.5cm。优选地，所述步骤(2)中对石斛种苗根部进行清洗时，要避免损伤其根部与叶部。优选地，所述步骤(3)中石斛的根部不能种的太深，以刚好把石斛种苗根部埋住为最佳。优选地，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行遮光管理时，夏秋遮光50-60％，冬春遮光20-30％。优选地，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行通风管理时，夏季将盆栽放在北阳台阴凉处，冬季放在南阳台温暖处。优选地，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行浇水管理时，浇灌水具体为PH值为6.0的软水。优选地，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行浇水管理时，浇水一定要浇透。优选地，所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行施肥管理时，肥料选用有机肥，采用薄肥勤施的方法，不能重肥施用。优选地，所述栽培基质为经消毒并被打碎成颗粒状的树皮、锯末和苔藓的混合物。本专利技术的优点在于：提供了一种采用有机质栽培技术，栽培不用化肥、激素和农药，且可作为盆景的石斛盆栽种植方法；其中(1)不用化肥、激素和农药，不污染环境，绿色环保；(2)栽培容器底部开有排水孔，配以底部平铺的一层石灰岩碎石，使石斛生长过程中透气排水，不易烂根；(3)瓶苗移栽时，先将根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质，既固定了石斛，又因为空穴位置的可选择性，使其空间分布布局得以完善化。附图说明图1是本专利技术实施例1-3提供的一种石斛盆栽种植方法的流程图。具体实施方式下面对本专利技术的实施例作详细说明，本实施例在以本专利技术技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本专利技术的保护范围不限于下述的实施例。实施例1一种石斛盆栽种植方法，如图1所示，包括如下步骤：(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为20cm、15cm、15cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开2个直径为0.2cm的排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2个空穴的栽培基质；(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净为止；清洗时，避免损伤其根部与叶部；洗净后将种苗置于阴凉处，晾至其表面不带有水滴；(3)种苗移栽①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白，把根系分开；②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质，需注意的是：石斛的根部不能种的太深，以刚好把石斛种苗根部埋住为最佳；③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物；优选地，上述栽培基质为经消毒并被打碎成颗粒状的树皮、锯末和苔藓的混合物。(4)管理①光照：盆栽放在阴凉通风处，夏季将盆栽放在北阳台阴凉处，冬季放在南阳台温暖处；在晒太阳时需遮光，夏秋遮光50％，冬春遮光20％，夏天切忌阳光直射；②温度：生长温度维持为25℃；③湿度：保持在60％以上；④浇水：选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水，具体为PH值为6.0的软水；夏秋时2天浇一次水，冬季时10天浇一次水，浇水一定要浇透；⑤施肥：每年4-10月的生长期内，25天施一次肥，肥料选用有机肥，采用薄肥勤施的方法，不能重肥施用；⑥病虫害防治：预防为主，保证盆栽要通风良好。实施例2一种石斛盆栽种植方法，如图1所示，包括如下步骤：(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为30cm、20cm、20cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开3个直径为0.5cm的排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有4个空穴的栽培基质；(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净为止；清洗时，避免损伤其根部与叶部；洗净后将种苗置于阴凉处，晾至其表面不带有水滴；(3)种苗移栽①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白，把根系分开；②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质，需注意的是：石斛的根部不能种的太深，以刚好把石斛种苗根部埋住为最佳；③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物；(4)管理①光照：盆栽放在阴凉通风处，夏季将盆栽放在北阳台阴凉处，冬季放在南阳台温暖处；在晒太阳时需遮光，夏秋遮光60％，冬春遮光30％，夏天切忌阳光直射；②温度：生长温度维持为30℃；③湿度：保持在60％以上；④浇水：选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水，具体为PH值为6.0的软水；夏秋时3天浇一次水，冬季时15天浇一次水，浇水一定要浇透；⑤施肥：每年4-10月的生长期内，30天施一次肥，肥料选用有机肥，采用薄肥勤施的方法，不能重肥施用；⑥病虫害防治：预防为主，保证盆栽要通风良好。优选地，上述栽培基质为经消毒并被打碎成颗粒状的树皮、锯末和苔藓的混合物。实施例3一种石斛盆栽种植方法，如图1所示，包括如下步骤：(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为25cm、18cm、18cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开2个直径为0.3cm的排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有3个空穴的栽培基质；(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石斛盆栽种植方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为20‑30cm、15‑20cm、15‑20cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开2‑3个排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2‑4个空穴的栽培基质；(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净为止，洗净后将种苗置于阴凉处，晾至其表面不带有水滴；(3)种苗移栽①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白，把根系分开；②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质；③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物；(4)管理①光照：盆栽放在阴凉通风处，在晒太阳时需遮光，夏天切忌阳光直射；②温度：生长温度维持为25℃‑30℃；③湿度：保持在60％以上；④浇水：选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水，夏秋时2‑3天浇一次水，冬季时10‑15天浇一次水；⑤施肥：每年4‑10月的生长期内，25‑30天施一次肥；⑥病虫害防治：预防为主，保证盆栽要通风良好。

【技术特征摘要】
1.一种石斛盆栽种植方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)栽培容器的选择及处理选择长、宽、高分别为20-30cm、15-20cm、15-20cm的陶瓷盆作为栽培容器，在其底部开2-3个排水孔；待排水孔开好后，在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石，紧接着，于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2-4个空穴的栽培基质；(2)石斛种苗预处理用清水洗去石斛种苗根部的培养基，洗净为止，洗净后将种苗置于阴凉处，晾至其表面不带有水滴；(3)种苗移栽①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白，把根系分开；②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置，然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质；③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物；(4)管理①光照：盆栽放在阴凉通风处，在晒太阳时需遮光，夏天切忌阳光直射；②温度：生长温度维持为25℃-30℃；③湿度：保持在60％以上；④浇水：选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水，夏秋时2-3天浇一次水，冬季时10-15天浇一次水；⑤施肥：每年4-10月的生长期内，25-30天施一次肥；⑥病虫害防治：预防为主，保证盆栽要通风良好。2.根据权利要求1所述的石斛盆栽种植方法，其特征在于，所述步骤(1)中排水孔的直径为0.2-0.5cm。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：何三华，严结来，
申请(专利权)人：太湖县光华农业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34