一种薄膜开关制造技术

技术编号:14226522 阅读:74 留言:0更新日期:2016-12-20 02:39
本实用新型专利技术公开了一种薄膜开关,包括上薄膜层、下薄膜层、上导电层和下导电层,所述上导电层和下导电层分别设置在上薄膜层下面和下薄膜层上面,所述上导电层和下导电层分别设置有相对应的上键位和下键位,所述上键位外周边的上薄膜层和上导电层覆盖有上隔离层,所述下键位外周边的下薄膜层和下导电层覆盖有下隔离层,所述上隔离层和下隔离层的厚度之和大于上导电层和下导电层的厚度之和,所述上隔离层和下隔离层均至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层,其中,小隔离层套设在大隔离层内。本实用新型专利技术组装对位要求低,组装简便快速,安全性高,性能可靠,寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于开关领域,具体地涉及一种薄膜开关
技术介绍
薄膜开关又称轻触按键,其具有体积小、重量轻、操作简单、生产成本低、使用寿命长等优点,已广泛用于智能化电子仪器、医疗仪器、数控机床、通讯设备、办公用品、家电、电脑键盘等各类产品中。现有的薄膜开关的结构通常为:上薄膜层、下薄膜层,上薄膜层按键位的下面连接有上导电层,下薄膜层上面的对应位置连接有下导电层,上导电层的外周边设有上隔离层,下导电层的外周边设有下隔离层,上隔离层的厚度大于上导电层,下隔离层的厚度大于下导电层;通过手指按压上薄膜层按键使上导电层和下导电层相接触实现导通,手指放开后,由于上下隔离层作用使上导电层和下导电层脱开而断开,起到开关的作用,如公开专利:CN201527921U。但其上下隔离层均为采用UV油墨印刷的单环结构,其环线一般都较细,在组装时,上下隔离层不好对位,上下隔离层错位导致隔离厚度只有0.04-0.05mm,上下键位容易因变形而粘合在一起,造成隔离效果失效,操作要求高,效率低,且上下导电层的电路走线交叉的节点以及裸露在外的引线没有进行绝缘保护,安全性和可靠性差。
技术实现思路
本技术目的在于为解决上述为题而提供一种组装对位要求低,组装工艺简便快速,安全性高,性能可靠,寿命长的薄膜开关。为此,本技术公开了一种薄膜开关,包括上薄膜层、下薄膜层、上导电层和下导电层,所述上导电层设置在上薄膜层下面,所述下导电层设置在下薄膜层上面,所述上导电层和下导电层分别设置有相对应的上键位和下键位,所述上键位外周边的上薄膜层和上导电层覆盖有上隔离层,所述下键位外周边的下薄膜层和下导电层覆盖有下隔离层,所述上隔离层和下隔离层通过覆盖于其上的胶水层对称贴合并形成一个垫层,所述上隔离层和下隔离层的厚度之和大于上导电层和下导电层的厚度之和,所述上隔离层和下隔离层均至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层,其中,小隔离层套设在大隔离层内,薄膜开关的外围四周亦通过胶水层贴合于一体。进一步的,所述小隔离层和大隔离层具有一定间距,所述间距内设有若干连接键连接小隔离层和大隔离层。进一步的,所述上隔离层和下隔离层的厚度为0.04-0.05mm,所述上隔离层内围到上键位外围的距离以及下隔离层内围到下键位外围的距离为1.7-2.0mm。进一步的,所述上键位和下键位分别由多条相互间隔的导电线构成,所述上键位的导电线与下键位的导电线交叉设置,组装在一起后呈现网格状。进一步的,所述上键位和下键位的区域内分别设有若干上绝缘小点和下绝缘小点。更进一步的,所述的上绝缘小点和下绝缘小点为圆柱形,上绝缘小点和下绝缘小点的直径为0.6-0.8mm,厚度为0.04-0.05mm,上绝缘小点各点之间的间距和下绝缘小点之间的间距为为3-6mm。进一步的,上下导电层之间,在非键位区域通过水胶层来粘合。进一步的,上下导电层的电路走线交叉的节点上布置有绝缘油,且裸露在外的引线也印绝缘油进行保护。进一步的,所述下薄膜层下面设置有底胶层。本技术的有益技术效果:本技术的上隔离层和下隔离层均至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层,其中,小隔离层套设在大隔离层内,使得上隔离层和下隔离层的层壁变宽,双环状的隔离层在上下组装时候对组装容错许错位偏差达2mm,而平常组装上下线路偏差在0.5-1mm左右,组装对位容易,组装简便快速,降低制造成本,且上下导电层的电路走线交叉的节点以及裸露在外的引线用绝缘油进行绝缘保护,安全性高,性能可靠,寿命长。上下按键采用错开布局线,相比传统网点状布局要节省近一半的银浆用量,并且触摸的灵敏度以及按键效果并未受到影响。附图说明图1是本技术的俯视图;图2为图1的A-A剖视放大图;图3是图2的B向视图;图4是图2的E向视图;图5是图4的C-C放大图;图6是图3的D-D放大图;图7是隔离层+键位的其它结构一图;图8是隔离层+键位的其它结构二图;图9是隔离层+键位的其它结构三图;图10是隔离层+键位的其它结构四图;图11是隔离层+键位的其它结构五图;图12是隔离层+键位的其它结构六图;图13是隔离层+键位的其它结构七图;图14是隔离层+键位的其它结构八图;图15是隔离层+键位的其它结构九图;图16是隔离层+键位的其它结构十图;图17是隔离层+键位的其它结构十一图;图18是隔离层+键位的其它结构十二图;图19是隔离层+键位的其它结构十三图;图20是隔离层+键位的其它结构十四图;图21是隔离层+键位的其它结构十五图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。如图1至图6所示,一种薄膜开关,包括上薄膜层11、下薄膜层21、上导电层和下导电层,所述上导电层设置在上薄膜层11下表面上,所述下导电层设置在下薄膜层21的上表面上,所述上导电层和下导电层分别设置有相对应的上键位12和下键位22,所述上键位12外周边的上薄膜层11和上导电层覆盖有上隔离层13,所述下键位22外周边的下薄膜层21和下导电层覆盖有下隔离层23,上隔离层13和下隔离层23为UV胶采用丝印方式形成,上隔离层13和下隔离层23通过覆盖于其上的胶水层对称贴合并形成一个垫层,上隔离层13和下隔离层23的厚度之和大于上导电层和下导电层的厚度之和,上隔离层13至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层131和132,其中,小隔离层132套设在大隔离层131内,本具体实施例中,小隔离层132和大隔离层131均是由4个弧线段构成类似环形结构的,弧线段之间具有一间距16,作为走线缺口,当然,在其它实施例中,小隔离层132和大隔离层131可以均是闭合环形结构,覆盖在导电层的电路走线上,小隔离层132和大隔离层131具有一定间距,间距可以根据实际情况进行设置,当间距较大时,间距内可以设有若干连接键133连接小隔离层132和大隔离层133,这样使得小隔离层132和大隔离层133的结构更稳定,小隔离层132和大隔离层131的线粗0.7-1.0mm,连接键133为45度不等斜角线,并且左右上下轴对称,连接键133与连接键133的间隔为1.7-2mm左右。下隔离层23至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层231和232,其中,小隔离层232套设在大隔离层231内,本具体实施例中,小隔离层232和大隔离层231均是由4个弧线段构成类似环形结构的,弧线段之间具有一间距26,作为走线缺口,当然,在其它实施例中,小隔离层232和大隔离层231可以均是闭合环形结构,覆盖在导电层的电路走线上,小隔离层232和大隔离层231具有一定间距,间距可以根据实际情况进行设置,当间距较大时,间距内可以设有若干连接键233连接小隔离层232和大隔离层233,这样使得小隔离层232和大隔离层233的结构更稳定,小隔离层232和大隔离层231的线粗0.7-1.0mm,连接键233为a=45度不等斜角线,并且左右上下轴对称,连接键233与连接键233的间隔L1=1.7-2mm左右。薄膜开关的外围四周亦通过丝印胶水层14、24贴合于一体,使整个薄膜开关为一个密封区域,将上下导电层与外界完全隔离,下薄膜层21的底部亦丝印底胶层26来贴于与整机其他部件上。进一步的,上本文档来自技高网...
一种薄膜开关

【技术保护点】
一种薄膜开关,包括上薄膜层、下薄膜层、上导电层和下导电层,所述上导电层设置在上薄膜层下面,所述下导电层设置在下薄膜层上面,所述上导电层和下导电层分别设置有相对应的上键位和下键位,所述上键位外周边的上薄膜层和上导电层覆盖有上隔离层,所述下键位外周边的下薄膜层和下导电层覆盖有下隔离层,所述上隔离层和下隔离层通过覆盖于其上的胶水层对称贴合并形成一个垫层,所述上隔离层和下隔离层的厚度之和大于上导电层和下导电层的厚度之和,其特征在于:所述上隔离层和下隔离层均至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层,其中,小隔离层套设在大隔离层内,薄膜开关的外围四周亦通过胶水层贴合于一体。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜开关,包括上薄膜层、下薄膜层、上导电层和下导电层,所述上导电层设置在上薄膜层下面,所述下导电层设置在下薄膜层上面,所述上导电层和下导电层分别设置有相对应的上键位和下键位,所述上键位外周边的上薄膜层和上导电层覆盖有上隔离层,所述下键位外周边的下薄膜层和下导电层覆盖有下隔离层,所述上隔离层和下隔离层通过覆盖于其上的胶水层对称贴合并形成一个垫层,所述上隔离层和下隔离层的厚度之和大于上导电层和下导电层的厚度之和,其特征在于:所述上隔离层和下隔离层均至少包括一大一小的环形或至少由一弧线段构成类似环形的两隔离层,其中,小隔离层套设在大隔离层内,薄膜开关的外围四周亦通过胶水层贴合于一体。2.根据权利要求1所述的薄膜开关,其特征在于:所述小环形隔离层和大环形隔离层具有一定间距,所述间距内设有若干连接键连接小隔离层和大隔离层。3.根据权利要求1所述的薄膜开关,其特征在于:所述上隔离层和下隔离层的厚度为0.04-0.05mm,所述上隔离层内围到上键位外...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁承庆
申请(专利权)人:厦门鑫铭科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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