For the construction of cosmic ray charged particles in the range of low quality materials on the atomic disclosed (including cosmic ray electrons and / or cosmic ray muon scattering) and stop the relationship, and based on the scattering and stop relation detection and recognition of exposure to cosmic ray charged particles of the volume of interest (VOI) technology systems and equipment contents. In one aspect, processing for low density materials to build a scattering range of exposure to cosmic rays of charged particles to stop public relations. The technique first determines the scattering parameters and stopping parameters of each material exposed to the charged particles from cosmic rays in the low density range. Then, based on the technology associated with the low density material to determine the scope of the scattering and stop parameters on the scattering, cosmic ray charged particles to establish the low density material range stop relationship.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本专利文档要求2014年2月26日提交的美国临时专利申请No.61/945,061;2014年8月11日提交的美国临时专利申请No.62/036,050;和2014年11月5日提交的美国临时专利申请No.62/075,788的优先权的权益。上述专利申请的全部内容通过引用合并为本文档的公开的一部分。
本公开中描述的主题总的涉及用于基于宇宙射线断层扫描(tomography)成像和感测的系统、设备和处理。更具体地,公开的技术提供以不仅可以检测并且特性化重核(heavy nuclei)的密集聚集(assemblage)而且可以检测并且特性化中等原子质量材料和轻原子质量材料的聚集的方式应用宇宙射线断层扫描的技术。
技术介绍
宇宙射线成像和感测是利用高穿透宇宙射线产生的诸如μ子的带电粒子的多次库仑散射以不使用人工辐射而执行材料的无损检测的技术。地球连续不断地被来自外太空的能量稳定的带电粒子、主要是质子轰击。这些带电粒子在上层大气中与原子相互作用,以产生包括很多短寿命的介子的带电粒子的簇射,其衰减产生更长寿命的μ子。μ子主要通过库仑力与物质相互作用,不具有核相互作用并且容易地比电子辐射少得多。这样的宇宙射线产生的带电粒子通过电磁相互作用缓慢地损失能量。结果,很多宇宙射线产生的μ子由于高穿透带电辐射而到达地球的表面。在海平面的μ子通量是每分钟每cm2大约1μ子。
技术实现思路
公开了用于构建在低-原子-质量材料的范围上的宇宙射线电子和μ子的散射和停止关系、并且基于构建的散射和停止关系检测和识别暴露于包括电子和μ子的宇宙射线产生的带电粒子的VOI的内容物的技 ...
【技术保护点】
一种用于识别暴露于宇宙射线带电粒子的一范围的低密度材料的散射‑停止关系的方法,所述方法包括:在带电粒子检测系统处将位于感兴趣的体积(VOI)内的所述范围的低‑密度材料暴露于宇宙射线带电粒子;确定与进入VOI、与位于VOI内的所述范围的低密度材料相互作用并且离开VOI的暴露宇宙射线带电粒子的子集相关联的散射信号;以及确定与进入VOI、与位于VOI内的所述范围的低密度材料相互作用并且在VOI内部停止的暴露宇宙射线带电粒子的子集相关联的停止力;以及至少部分基于确定的散射信号和停止力,识别所述范围的低‑密度材料的散射‑停止关系。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.26 US 61/945,061;2014.08.11 US 62/036,050;1.一种用于识别暴露于宇宙射线带电粒子的一范围的低密度材料的散射-停止关系的方法,所述方法包括:在带电粒子检测系统处将位于感兴趣的体积(VOI)内的所述范围的低-密度材料暴露于宇宙射线带电粒子;确定与进入VOI、与位于VOI内的所述范围的低密度材料相互作用并且离开VOI的暴露宇宙射线带电粒子的子集相关联的散射信号;以及确定与进入VOI、与位于VOI内的所述范围的低密度材料相互作用并且在VOI内部停止的暴露宇宙射线带电粒子的子集相关联的停止力;以及至少部分基于确定的散射信号和停止力,识别所述范围的低-密度材料的散射-停止关系。2.如权利要求1所述的方法,其中,将位于感兴趣的体积(VOI)内的所述范围的低-密度材料暴露于宇宙射线带电粒子包括将位于感兴趣的体积(VOI)内的所述范围的低-密度材料暴露于自然发生的宇宙射线产生的μ子或电子或者二者。3.如权利要求2所述的方法,其中,一次一种材料地对于所述范围的低-密度材料执行所述暴露、确定散射信号、确定停止力和识别。4.如权利要求2所述的方法,还包括:通过分别测量与空集装箱相关联的散射信号和停止力来确定限定VOI的集装箱的影响。5.如权利要求1所述的方法,其中,所述范围的低密度材料中的至少一种材料具有基本等于或者小于铝的密度的密度。6.如权利要求1所述的方法,其中,所述散射信号和停止力的值随着所述范围的低-密度材料的密度而基本上单调增加。7.如权利要求1所述的方法,其中,确定散射信号包括:从所述带电粒子检测系统的第一组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器检测来自所述暴露宇宙射线带电粒子的、穿透所述第一组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器并且进入VOI的入射带电粒子的事件;从所述带电粒子检测系统的第二组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器检测来自所述暴露宇宙射线带电粒子的、离开VOI的离去带电粒子的事件;在所述带电粒子检测系统的信号处理单元处,接收来自所述第一组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器的与入射宇宙射线带电粒子的事件相关联的信号、以及来自所述第二组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器的与离去宇宙射线带电粒子的事件相关联的信号;以及由所述信号处理单元至少基于接收到的来自所述第二组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器的与离去宇宙射线带电粒子的事件相关联的信号,确定所述散射信号。8.如权利要求7所述的方法,其中,确定与VOI相互作用的宇宙射线带电粒子的停止力包括:使用接收到的来自所述第一组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器的与入射宇宙射线带电粒子的事件相关联的信号来确定入射宇宙射线带电粒子的数目,并且使用接收到的来自所述第二组位置敏感宇宙射线带电粒子检测器的与离去宇宙射线带电粒子的事件相关联的信号来确定散射宇宙射线带电粒子的数目;以及通过从所述入射宇宙射线带电粒子的数目中减去所述散射宇宙射线带电粒子的数目来计算停止宇宙射线带电粒子的原始数目。9.如权利要求8所述的方法,还包括校正停止宇宙射线带电粒子的原始数目,以补偿VOI在所述带电粒子检测器内部的放置位置的影响。10.如权利要求9所述的方法,其中,校正停止宇宙射线带电粒子的原始数目以补偿VOI的放置位置的影响包括将停止宇宙射线带电粒子的原始数目除以确定的散射宇宙射线带电粒子的数目,以对于在所述宇宙射线检测器的不同位置处的检测效率的变化归一化。11.如权利要求8所述的方法,还包括校正停止宇宙射线带电粒子的原始数目,以补偿VOI的厚度的影响。12.如权利要求7所述的方法,还包括校正确定的散射信号和停止力,以补偿VOI的几何形状影响。13.如权利要求1所述的方法,其中,宇宙射线带电粒子包括宇宙射线电子和/或宇宙射线μ子。14.一种用于识别暴露于宇宙射线带电粒子的感兴趣的体积(VOI)的内容物的方法,所述方法包括:由带电粒子检测系统从与VOI相互作用的宇宙射线带电粒子确定散射宇宙射线带电粒子的数目;从与VOI相互作用的宇宙射线带电粒子确定停止宇宙射线带电粒子的数目;以及将确定的散射和停止宇宙射线带电粒子的数目与暴露于宇宙射线带电粒子的一范围的低密度材料的宇宙射线带电粒子的预定散射-停止关系相比较,以确定VOI的内容物是否匹配所述范围的低-密度材料中的材料。15.如权利要求14所述的方法,其中,VOI被暴露于来自集装箱内部的宇宙射线带电粒子。16.如权利要求15所述的方法,其中,集装箱包括出货集装箱、...
【专利技术属性】
技术研发人员:G布兰皮德,S库马尔,D多罗,C摩根,MJ索桑,
申请(专利权)人:决策科学国际公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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