合成立方氮化硼的加热装置制造方法及图纸

技术编号:1418019 阅读:155 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种用于合成立方氮化硼的加热装置,它具有叶蜡石块合成的套筒腔,导电钢圈、导电金属片和石墨加热片,其中,在叶蜡石块套筒腔内壁嵌套有金属薄衬管,金属薄衬管与上下端部设置的石墨加热片构成加热合成腔,加热合成腔内置放有合成料柱,其中心部位设置有加热柱。使用该装置可使加热合成腔体的有效利用率达97.5%,单产立方氮化硼产量可提高10%,而且可使整个加热合成腔的温度分布更均匀。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于材料合成设施
,特别是用于合成立方氮化硼的一种加热装置。
技术介绍
目前,工业合成立方氮化硼通常采用超高压高温方法进行,它是将六方氮化硼粉末与触媒粉均匀混合组成原材料后,压制成圆柱状装入管状的石墨管中,两端各放置一片石墨加热片,形成完整的加热容器,装入叶蜡石传压密封块的圆柱形腔体中,两端再放置金属导电金属片和金属导电钢圈,整个组装块放入六面顶合成压机的高压工作腔中,通过六面加压,同时通入大电流使石墨管加热,使六方氮化硼在超高压高温条件下转化成立方氮化硼并进行晶体生长。但由于碳加热合成腔的两侧为石墨管,具有管壁为1.0~1.8mm壁厚,由于管壁的壁厚较厚,占用了高压腔体空间,造成加热合成腔体有效利用率低,尤其是在需要增大合成腔体的情况下,容易造成合成晶体芯部加热温度的不均匀,以致影响到晶种的生成效果。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构简单,成本低廉,节约生长空间、加热更均匀的用于合成立方氮化硼的加热装置。实现本技术的目的所采取的技术方案是:该装置具有叶腊石块合成的套筒腔,导电钢圈、导电金属片和石墨加热片,其中,在叶腊石块套筒腔内壁,嵌套有金属薄衬管,金属薄衬管与上下端部设置的石墨加热片构成加-->热合成腔,加热合成腔内置放有合成料柱,其中心部位设置有加热柱。所述合成料柱是由六方氮化硼粉末与触媒粉干混后压制成的中空圆柱体,其中空部分与加热合成腔中的加热柱配合。所述加热柱可采用石墨柱或其它热导体材料。按照上述方案制成的合成立方氮化硼的加热装置,由于加热合成腔体采用金属薄衬管,其腔体壁厚由1.0~1.8mm,减少至0.07~0.1mm,由此增大了加热合成腔体的面积,使加热合成腔的有效利用率由原来的85.6%提高到97.5%,比传统的加热合成腔体可多出11.9%的生长有效空间,使单产立方氮化硼产量提高10%。而且结构设计合理,增设的加热柱,可使整个合成腔的加热温度分布更均匀。附图说明图1是本技术的结构示意图具体实施方式参看图1,本技术的合成立方氮化硼的加热装置,是由叶腊石块合成的套筒腔1,导电钢圈2、导电金属片3、石墨加热片4组成,在叶腊石块套筒腔1内壁嵌套有金属薄衬管5,金属薄衬管5与上下端部设置的石墨加热片4构成加热合成腔,加热合成腔的中心部位设置有加热柱7,该加热柱7可采用石墨柱或其它热导体材料。加热合成腔的空位部分置放有合成料柱6,合成料柱6是由65%六方氮化硼粉与35%的触媒粉通过均匀干混合均匀后,造粒、压制工序而构成具有中空圆柱体的合成料柱,该合成料柱6的中空部分与石墨加热柱7配合,外圆柱表面与金属薄衬管5配合。以常用的φ40腔体为例,石墨衬管的壁厚为1.0~1.8mm,而本案中使用金属薄衬管5,其壁厚-->只有0.07~0.1mm,使加热合成腔体可多出11.9%的生长有效空间,由此带来单产立方氮化硼产量提高10%的有益效果。在合成料柱6的上下端部依次装有石墨加热片4、导电金属片3和导电钢圈2,导电钢圈2置于在叶腊石块套筒腔1的两端,其内装有白云石填料。按所述结构组装后,放入六面顶合成压机的高压工作腔中,通过六面加压形成5.0~5.5GPa的压力,同时通入大电流使加热合成腔加热形成1400~1800℃的高温,六方氮化硼在此超高压高温条件下转化成立方氮化硼并进行晶体生长。-->本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种合成立方氮化硼的加热装置,它具有叶腊石块合成的套筒腔,导电钢圈、导电金属片和石墨加热片,其特征在于:在叶腊石块套筒腔内壁嵌套有金属薄衬管,金属薄衬管与上下端部设置的石墨加热片构成加热合成腔,加热合成腔内置放有合成料柱,其中心部位设置有加热柱。

【技术特征摘要】
1.一种合成立方氮化硼的加热装置,它具有叶腊石块合成的套筒腔,导电钢圈、导电金属片和石墨加热片,其特征在于:在叶腊石块套筒腔内壁嵌套有金属薄衬管,金属薄衬管与上下端部设置的石墨加热片构成加热合成腔,加热合成腔内置放有合成料柱,其中心部位设置有加热柱。2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:张相法张奎
申请(专利权)人:河南中南工业有限责任公司
类型:实用新型
国别省市:41[中国|河南]

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