快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法技术

本发明专利技术公开了快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法。其中，所述快速检测电极移位的印刷网版包括丝网版本体，所述丝网版本体上设置有多个平行交错的内电极图形，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形之间设置有用于检测电极移位的标识图形，通过在印刷网版的空白留边处设置标识图形，该标识图形在印刷时随着内电极同时印刷在陶瓷膜片上形成标识部，经过后续叠层、切割后该标识部会在芯片侧面显示，可通过检测标识部的图形排列，直接判断出内部电极的对位情况，实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位，大大提高检测效率，保证产品质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷元件丝网设计领域，特别涉及机快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法。
技术介绍
在MLCC（Multi-layer Ceramic Chip Capacitors，片式多层陶瓷电容器）等陶瓷元件的印刷过程中，传统印刷图形由MLCC内电极（001）与短轴空白留边（002）及长轴空白留边（003）组成（如图1所示），印刷后的膜片经过叠层、切割后形成芯片。可在切割芯片两个端面看到短轴方向的内电极排列，可迅速检查短轴切偏或短轴移位，而长轴方向的内部电极排列被切割芯片侧面留边挡住（如图2所示），导致无法通过芯片侧面外观直接检验内部电极排列情况。目前检验切割芯片长轴方向内部电极排列的做法是使用刀片把芯片沿长轴方向切开，再检查内部电极是否存在长轴切偏或长轴移位情况，该长轴方向检查操作繁琐，效率低下，检出不良几率低，并且存在长轴切偏或长轴移位流入下工序的风险，影响产品质量。因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法，通过在印刷网版的空白留边处设置标识图形，该标识图形在印刷时随着内电极同时印刷在陶瓷膜片上形成标识部，经过后续叠层、切割后该标识部会在芯片侧面显示，可通过检测标识部的图形排列，直接判断出内部电极的对位情况，实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位，大大提高检测效率，保证产品质量。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种快速检测电极移位的印刷网版，包括丝网版本体，其中，所述丝网版本体上设置有多个平行交错的内电极图形，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形之间设置有用于检测电极移位的标识图形。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形间隔第一空白留边部，沿丝网版本体长轴方向相邻两个内电极图形间隔第二空白留边部。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，所述标识图形位于第一空白留边部和第二空白留边部的相交处，且与两侧的内电极图形子单元均不连接。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，所述标识图形位于第一空白留边部和第二空白留边部的相交处，且与上侧的内电极图形子单元连接。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，所述标识图形位于第一空白留边部，且与两侧的内电极图形子单元均连接。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，所述标识图形为正方形，且所标识图形的边长小于等于第二空白留边部的宽度。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，所述标识图形为长方形，且所述标识图形的长度与内电极图形子单元的长度相等。所述的快速检测电极移位的印刷网版中，所述标识图形的数量为4-50个。一种MLCC，其采用如上所述的快速检测电极移位的印刷网版印刷内电极和标识部。一种如上所述的MLCC的电极移位的检测方法，其包括如下步骤：A、根据所述内电极图形和标识图形同时将内电极和标识部印刷在陶瓷膜片上；B、将所述陶瓷膜片重复叠层，并在达到预设层数后进行切割形成陶瓷芯片；C、判断标识部是否排列在陶瓷芯片侧面的预设位置，若是，则判断内电极排列正确；若否，则判断内部电极发生移位。相较于现有技术，本专利技术提供的快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法中，所述快速检测电极移位的印刷网版包括丝网版本体，其中，所述丝网版本体上设置有多个平行交错的内电极图形，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形之间设置有用于检测电极移位的标识图形，通过在印刷网版的空白留边处设置标识图形，该标识图形在印刷时随着内电极同时印刷在陶瓷膜片上形成标识部，经过后续叠层、切割后该标识部会在芯片侧面显示，可通过检测标识部的图形排列，直接判断出内部电极的对位情况，实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位，大大提高检测效率，保证产品质量。附图说明图1为现有技术中印刷网版的俯视图。图2为现有技术中陶瓷芯片的示意图。图3为本专利技术提供的第一实施例中快速检测电极移位的印刷网版的俯视图。图4为采用图3所示的快速检测电极移位的印刷网版印刷出的内电极的剖面图。图5为采用图3所示的快速检测电极移位的印刷网版印刷出的芯片切割示意图。图6为本专利技术提供的第一实施例中芯片叠层的立体示意图。图7为本专利技术提供的第一实施例中的陶瓷芯片示意图。图8为本专利技术提供的第一实施例中制作端头后的芯片示意图。图9为本专利技术提供的第二实施例中快速检测电极移位的印刷网版的俯视图。图10为本专利技术提供的第二实施例中的陶瓷芯片示意图。图11为本专利技术提供的第三实施例中快速检测电极移位的印刷网版的俯视图。图12为本专利技术提供的第三实施例中的陶瓷芯片示意图。图13为本专利技术提供的电极移位的检测方法的流程图。具体实施方式本专利技术提供的快速检测电极移位的印刷网版、MLCC及其检测方法，能通过在印刷网版的空白留边处设置标识图形，切割后检测标识部的图形排列，直接判断出内部电极的对位情况，实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位，大大提高检测效率，保证产品质量。为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参阅图3，本专利技术提供的快速检测电极移位的印刷网版包括丝网版本体（图中未标号），所述丝网版本体上设置有多个平行交错的内电极图形11，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形11之间设置有用于检测电极移位的标识图形20。即本专利技术通过在丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形11之间增加标识图形20，使得在印刷内电极时，同步将该标识图形20印刷在陶瓷膜片上形成标识部，如图4所示，之后经过后续叠层、切割后该标识部会在芯片侧面显示，可通过检测标识部的图形排列，直接判断出内部电极的对位情况，实现快速检测短轴和长轴的切偏或移位，大大提高检测效率。具体地，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形11间隔第一空白留边部101，沿丝网版本体长轴方向相邻两个内电极图形11间隔第二空白留边部102。请一并参阅图5、图6和图7，本专利技术提供的第一实施例中，所述标识图形20位于第一空白留边部101和第二空白留边部102的相交处，且与两侧的内电极图形11子单元均不连接，具体地，所述标识图形20为正方形，且所述标识图形20的边长小于等于第二空白留边处的宽度，第一实施例中，所述标识图形20的数量为4-50个，具体可根据实际需求选择，本专利技术对此不作限定。印刷内电极时，同步将该标识图形20印刷在陶瓷膜片上形成标识部，之后进行叠层切割（图5中同时覆盖四层陶瓷膜片的长方形表示切割区域），切割之后的芯片标识图形20会裸露在陶瓷芯片的端面及侧面的固定位置，由于标识图形20是随着内电极同步印刷的，若内电极在印刷时长轴方向发生了移位，则标识图形20在切割芯片的侧面位置会发生变化，从而快速检测电极对位情况，并和正常芯片进行分离，实现快速检测电极移位，保证产品质量。若内电极长轴排列正常，切割芯片可直接下传，无需剥离，待芯片制作端头后，可将该部分区域包住(如图8所示)，不会产生露电极及短路不良。不会造成损耗，不会影响产品质量，检测效率高，且减少对芯片的损伤。本专利技术提供的第二实施例中，如图9和图10所示，所述标识图形20位于第一空白留边部101和第二空白留边部102的相交处，且与上侧的内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速检测电极移位的印刷网版，包括丝网版本体，其特征在于，所述丝网版本体上设置有多个平行交错的内电极图形，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形之间设置有用于检测电极移位的标识图形。

【技术特征摘要】
1.一种快速检测电极移位的印刷网版，包括丝网版本体，其特征在于，所述丝网版本体上设置有多个平行交错的内电极图形，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形之间设置有用于检测电极移位的标识图形。2.根据权利要求1所述的快速检测电极移位的印刷网版，其特征在于，沿丝网版本体短轴方向相邻两个内电极图形间隔第一空白留边部，沿丝网版本体长轴方向相邻两个内电极图形间隔第二空白留边部。3.根据权利要求2所述的快速检测电极移位的印刷网版，其特征在于，所述标识图形位于第一空白留边部和第二空白留边部的相交处，且与两侧的内电极图形子单元均不连接。4.根据权利要求2所述的快速检测电极移位的印刷网版，其特征在于，所述标识图形位于第一空白留边部和第二空白留边部的相交处，且与上侧的内电极图形子单元连接。5.根据权利要求2所述的快速检测电极移位的印刷网版，其特征在于，所述标识图形位于第一空白留边部，且与两侧的内电极图形子单元均连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：向勇，明全友，杨俊，邓国平，敖宏，林显竣，
申请(专利权)人：深圳市宇阳科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44