一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法，该电极结构包括第一层网版和第二层网版，其中，该第一层网版包括第一网框，该第一网框内设置第一网布，该第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线，该主栅线上设置第一Mark点，该主栅线与第一网布的钢丝形成第一夹角，该第一夹角为20°至30°；该第二层网版包括第二网框，该第二网框内设置第二网布，该第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线，该副栅线上设置第二Mark点，且所述副栅线之间间隔且垂直设置防EL断栅，该副栅线与第二网布的钢丝形成第二夹角，该第二夹角为90°，该第二Mark点与该第一Mark点位置对应。该方案可降低晶体硅太阳电池正面栅线遮光面积，提高电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术晶硅太阳电池
，尤其涉及一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法。
技术介绍
太阳能光伏产业的迅速发展，需要不断降低生产成本，提高晶硅太阳电池的转换效率，提高发电量。晶体硅太阳电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要印刷更细的副栅线，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。在晶硅太阳电池的生产中，正面电极的图形根据工艺水平，需要不断的优化改进，降低遮光面积，提高转换效率，因此，有必要对晶硅太阳电池的正面电极网版进行改进。
技术实现思路
本专利技术提出了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法，可降低晶体硅太阳电池正面栅线遮光面积，提高电池的转换效率。本专利技术提供如下技术方案：一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，设置在晶硅太阳电池的正面，所述电极结构包括第一层网版和第二层网版，其中，所述第一层网版包括第一网框，所述第一网框内设置第一网布，所述第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线，所述主栅线上设置第一Ｍａｒｋ点，所述主栅线与所述第一网布的钢丝形成第一夹角，所述第一夹角为20°至30°；所述第二层网版包括第二网框，所述第二网框内设置第二网布，所述第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线，所述副栅线上设置第二Ｍａｒｋ点，且所述副栅线之间间隔且垂直设置防ＥＬ断栅，所述副栅线与所述第二网布的钢丝形成第二夹角，所述第二夹角为90°，所述第二Ｍａｒｋ点与所述第一Ｍａｒｋ点位置对应。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述第一Ｍａｒｋ点数量为4个、6个或8个，直径在0．2至1．2ｍｍ。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述主栅线的宽度为0．1至1．5ｍｍ，所述主栅线的长度为155至165ｍｍ，所述主栅线的数量为3至20条。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述第二Ｍａｒｋ点数量为4个、6个或8个，直径在0．2至1．2ｍｍ。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述防ＥＬ断栅在两根主栅线之间，数量为2至15排。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述副栅线的宽度为10至40ｕｍ，所述副栅线的长度为155至165ｍｍ，所述副栅线的数量为90至180条。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述第二网布为无网结网布。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200ｍｍ。优选的，在上述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构中，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。本专利技术还公开了一种如上所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1，所述第一网布的钢丝采用与所述主栅线20°至30°的夹角方向进行排布；步骤2，所述第二网布的钢丝采用与所述副栅线90°的夹角方向进行排布；步骤3，所述第一层网版与所述第二层网版通过所述第一Ｍａｒｋ点与第二Ｍａｒｋ点对准。采用上述方案，由于所述第一层网版只印刷所述主栅线，对所述第一网布透墨能力要求不高，因此可以选择常规的成本较低的网布进行制作，从而降低生产成本；所述第二网布采用无网结网布，从而提高第二网布的透墨能力，这样制作出的网版可以满足更细线的印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。所述第一层网版与所述第二层网版通过所述第一Ｍａｒｋ点与第二Ｍａｒｋ点对准，可以避免套印产生的偏移现象，提高晶硅太阳电池制作的合格率。附图说明图1为本专利技术实施例的二次印刷第一层网版示意图；图2为本专利技术实施例的二次印刷第一层网版局部放大图；图3为本专利技术实施例的二次印刷第二层网版示意图；图4为本专利技术实施例的二次印刷第二层网版局部放大图；图中：100－第一层网版、101-第一网框、102－第一网布、103－主栅线、104－第一Ｍａｒｋ点、201－第一夹角、300－第二层网版、301－第二网框、302－第二网布、303－副栅线、304－第二Ｍａｒｋ点、305－防ＥＬ断栅、401－第二夹角具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构及其制作方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参阅图1至图4，本实施例公开了一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，设置在晶硅太阳电池的正面，所述电极结构包括第一层网版100和第二层网版300，其中，所述第一层网版100包括第一网框101，所述第一网框101内设置第一网布102，所述第一网布102上设置若干根相互平行设置的主栅线103，所述主栅线103上设置第一Ｍａｒｋ点104，所述主栅线103与所述第一网布102的钢丝形成第一夹角201，所述第一夹角201为20°至30°；所述第二层网版300包括第二网框301，所述第二网框301内设置第二网布302，所述第二网布302上设置若干根相互平行设置的副栅线303，所述副栅线303上设置第二Ｍａｒｋ点304，且所述副栅线303之间间隔且垂直设置防ＥＬ断栅305，所述副栅线303与所述第二网布302的钢丝形成第二夹角401，所述第二夹角401为90°，所述第二Ｍａｒｋ点304与所述第一Ｍａｒｋ点104位置对应。在上述实施例中，所述第一Ｍａｒｋ点104数量为4个、6个或8个，直径在0．2至1．2ｍｍ。在上述实施例中，所述主栅线103的宽度为0．1至1．5ｍｍ，所述主栅线103的长度为155至165ｍｍ，所述主栅线103的数量为3至20条。在上述实施例中，所述第二Ｍａｒｋ点304数量为4个、6个或8个，直径在0．2至1．2ｍｍ。在上述实施例中，所述防ＥＬ断栅305在两根主栅线之间，数量为2至15排。在上述实施例中，所述副栅线303的宽度为10至40ｕｍ，所述副栅线303的长度为155至165ｍｍ，所述副栅线303的数量为90至180条。在上述实施例中，所述第二网布302为无网结网布。在上述实施例中，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200ｍｍ。在上述实施例中，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。上述实施例还公开了一种如上所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1，所述第一网布102的钢丝采用与所述主栅线20°至30°的夹角方向进行排布；步骤2，所述第二网布302的钢丝采用与所述副栅线90°的夹角方向进行排布；步骤3，所述第一层网版100与所述第二层网版300通过所述第一Ｍａｒｋ点104与第二Ｍａｒｋ点304对准。采用上述方案，由于所述第一层网版100只印刷所述主栅线，对所述第一网布102透墨能力要求不高，因此可以选择常规的成本较低的网布进行制作，从而降低生产成本；所述第二网布302采用无网结网布，从而提高第二网布的透墨能力，这样制作出的网版可以满足更细线的印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。所述第一层网版100与所述第二层网版300通过所述第一Ｍａ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，设置在晶硅太阳电池的正面，其特征在于，包括第一层网版和第二层网版，其中，所述第一层网版包括第一网框，所述第一网框内设置第一网布，所述第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线，所述主栅线上设置第一Mark点，所述主栅线与所述第一网布的钢丝形成第一夹角，所述第一夹角为20°至30°；所述第二层网版包括第二网框，所述第二网框内设置第二网布，所述第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线，所述副栅线上设置第二Mark点，且所述副栅线之间间隔且垂直设置防EL断栅，所述副栅线与所述第二网布的钢丝形成第二夹角，所述第二夹角为90°，所述第二Mark点与所述第一Mark点位置对应。

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，设置在晶硅太阳电池的正面，其特征在于，包括第一层网版和第二层网版，其中，所述第一层网版包括第一网框，所述第一网框内设置第一网布，所述第一网布上设置若干根相互平行设置的主栅线，所述主栅线上设置第一Mark点，所述主栅线与所述第一网布的钢丝形成第一夹角，所述第一夹角为20°至30°；所述第二层网版包括第二网框，所述第二网框内设置第二网布，所述第二网布上设置若干根相互平行设置的副栅线，所述副栅线上设置第二Mark点，且所述副栅线之间间隔且垂直设置防EL断栅，所述副栅线与所述第二网布的钢丝形成第二夹角，所述第二夹角为90°，所述第二Mark点与所述第一Mark点位置对应。2.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，其特征在于，所述第一Mark点数量为4个、6个或8个，直径在0.2至1.2mm。3.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，其特征在于，所述主栅线的宽度为0.1至1.5mm，所述主栅线的长度为155至165mm，所述主栅线的数量为3至20条。4.如权利要求1所述的晶硅太阳电池二次印刷正面电极结构，其特征在于，所述第二Mark点数量为4个...

【专利技术属性】
技术研发人员：王举亮，屈小勇，郭永刚，吴翔，刘军保，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61