用于磁共振成像的磁体装置以及多模态成像设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了用于磁共振成像的磁体装置以及多模态成像设备，磁体装置包括主磁场线圈、梯度线圈以及体发射线圈，所述梯度线圈设置于所述主磁场线圈内侧、所述体发射线圈设置于所述梯度线圈内侧，其特征在于，在所述梯度线圈与所述体发射线圈之间设置有第一屏蔽层以及第二屏蔽层，所述第一屏蔽层靠近所述体发射线圈，所述第二屏蔽层靠近所述梯度线圈；所述体发射线圈包括两个端环、设置于两个端环之间导线，所述两个端环被布置于第一屏蔽层、第二屏蔽层之间。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及医学成像领域，尤其涉及一种用于磁共振成像的磁体装置以及多模态成像设备。
技术介绍
在磁共振成像设备中，由于鸟笼线圈有很好的场均匀性，普遍使用在体发射线圈设计中，鸟笼线圈基本可分为低通型、高通型和高低通混合型三类。鸟笼型线圈形似鸟笼，由两端金属环形和中间N根金属腿组成。低通型鸟笼线圈的电容加载位于每条腿的中间；高通型鸟笼线圈的电容加载位于两端的金属环上；高低通混合型鸟笼线圈的电容加载在腿间和端环上都可存在。高通型鸟笼线圈比起低通型有着馈电方便的优点。高通鸟笼线圈，电容主要集中在两端环上，加之端环上有环向电流会对鸟笼式体发射线圈产生以下不利影响。1)一方面因为电容具有汇集电荷的作用，因此端环上上电荷集中，周围电场很大，往往是造成局部SAR值超标的罪魁祸首；2)由于端环环向电流的存在，会在体发射线圈中产生一个沿着轴向的磁场，这是造成体发射线圈磁场不均匀的主要原因；3)由于端环周围电磁场很大，与局部表面接收线圈联合使用的时候，距离端环比较近的接收线圈，与发射线圈耦合强烈，这一方面会造成体发射线圈工作状态发生变化，另一个方面会造成接收线圈的毁坏。另外，在PET-MR设计中需要在鸟笼式发射线圈振子和屏蔽之间增加PET探测器模块，这样就破坏了线圈空间上的对称性。也有技术方案，把PET探测器模块添加在射频屏蔽层和梯度线圈之间，但我们认为这样需要添加一层额外用于黏贴射频屏蔽层的套筒，一方面会造成空间上的浪费，另外一方面这层额外添加的套筒在空间固定方面都很难解决。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提出了一种用于磁共振成像的磁体装置。一种用于磁共振成像的磁体装置，包括主磁场线圈、梯度线圈以及体发射线圈，所述梯度线圈设置于所述主磁场线圈内侧、所述体发射线圈设置于所述梯度线圈内侧，在所述梯度线圈与所述体发射线圈之间设置有第一屏蔽层以及第二屏蔽层，所述第一屏蔽层靠近所述体发射线圈，所述第二屏蔽层靠近所述梯度线圈；所述体发射线圈包括两个端环以及设置于两个端环之间导线，所述两个端环被布置于第一屏蔽层、第二屏蔽层之间。优选地，所述端环至所述体发射线圈中心轴线的距离大于所述导线至所述体发射线圈中心轴线的距离，所述第一屏蔽层将所述端环与所述导线进行物理分隔。优选地，所述端环上设置有一个或数个的端环电容。优选地，所述第一屏蔽层的长度大于或等于所述体发射线圈的长度。优选地，所述第一屏蔽层邻近所述端环的位置上设置有开孔，所述开孔用于容纳所述端环与所述导线的连接线。优选地，包括支撑块，所述支撑块贴于所述第一屏蔽层，所述端环设置于所述支撑块上表面。优选地，包括射频线缆以及射频馈电端口，设置于所述支撑块上表面，用于给所述端环供电。优选地，所述第二屏蔽层贴于所述梯度线圈的内壁。优选地，所述第一屏蔽层的轴向长度小于第二屏蔽层的轴向长度。本技术还提供了一种多模态成像设备。所述多模态成像设备包括如上所述的用于磁共振成像的磁体装置，进一步，还包括正电子发射断层显示探测器模块，所述正电子发射断层显示探测器模块设置于所述第一屏蔽层与第二屏蔽层之间。与现有技术相比，本技术的技术优势：1、将端环设置在两个屏蔽层之间，其一解决了端环电容对于SAR值的影响；其二解决了端环产生的磁场对轴向场的不均匀性的影响；其三解决了在联合使用状态下，对部分靠近端环的接收线圈的不利影响。2、在多模态成像中，将PET模块设置在两个屏蔽层之间，解决了现有技术中PET模块对体发射线圈的干扰，改善体发射场的均匀性，同时也很大程度上屏蔽了体发射线圈的电磁场对PET模块的干扰。附图说明图1为用于磁共振成像的磁体装置的横截面结构示意图；图2为用于磁共振成像的磁体装置的剖面结构示意图；图3为用于磁共振成像的磁体装置的局部结构示意图；图4为一种多模态成像设备的结构示意图。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。其次，本技术利用示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本技术保护的范围。如图1所示，本技术提供了一种用于磁共振成像的磁体装置，包括主磁场线圈(图未示)、梯度线圈31以及体发射线圈32，所述梯度线圈31设置于所述主磁场线圈内侧、所述体发射线圈32设置于所述梯度线圈31的内侧，在所述梯度线圈31与所述体发射线圈32之间设置有第一屏蔽层35以及第二屏蔽层36，所述第一屏蔽层35靠近所述体发射线圈32，所述第二屏蔽层36靠近所述梯度线圈31。在一个实施例中，所述第二屏蔽层36贴于所述梯度线圈31的内壁(这里特别说明，图1所述的磁体装置的横截面位于体线圈中部的位置)。在一个实施例中，所述第一屏蔽层的轴向长度小于第二屏蔽层的轴向长度。在另一个实施例中，所述第一屏蔽层35的长度大于或等于所述体发射线圈32的长度。如图2所示，所述体发射线圈32包括两个端环321、设置于两个端环之间导线322，所述两个端环321被布置于第一屏蔽层35、第二屏蔽层36之间。所述端环321至所述体发射线圈32中心轴线的距离A大于所述导线322至所述体发射线圈32中心轴线的距离B。所述第一屏蔽层35将所述端环321与所述导线322进行物理分隔。如图3所示，所述第一屏蔽层邻近所述端环的位置上设置有开孔40，所述开孔40用于容纳所述端环321(只示出一侧的端环)与所示导线322的连接线323。所述磁体装置还包括很多支撑块37，用于支撑屏蔽层、端环以及导线等组件。如图3所示，所述第一屏蔽层35设置于底部支撑块37(1)的上表面，所述第一屏蔽层35的两侧设置有支撑块37(2)，所述端环321设置于所述支撑块37(2)的上表面。在一些实施例中，所述端环321上设置有一个或数个的用于调谐作用的端环电容(图未示)。由于采用高通鸟笼线圈，因此射频馈电点在端环上，直流馈电点分布在所述端环之间的导线上。如图3所示，在支撑块37(2)的上表面设置有射频馈电端口以及射频线缆38，其与所述端环321连接，用于给所述端环321供电。在支撑块37(1)的设置有直流供电端口以及线缆39，用于给所述导线供电。如图4所示，本技术还提出一种多模态成像设备，所述多模态成像设备5包括用于磁共振成像的磁体装置，具体地包括主磁场线圈50(图未示出)、梯度线圈51以及体发射线圈52，所述梯度线圈51设置于所述主磁场线圈50内侧、所述体发射线圈52设置于所述梯度线圈51的内侧，在所述梯度线圈51与所述发射线圈52之间设置有第一屏蔽层55以及第二屏蔽层56，所述第一屏蔽层55靠近所述体发射线圈52(图中未示出端环部分)，所述第二屏蔽层56靠近所述梯度线圈51。在一个实施例中，所述第二屏蔽层56贴于所述梯度线圈51的内壁。所述多模态设备包括进一步地，还包括正电子发射断层显示(Positron Emission Tomography，PET)探测器模块57，所述正电子发射断层显示探测器模块设置于所述第一屏蔽层55与第二屏蔽层56之间。本技术虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于磁共振成像的磁体装置，包括主磁场线圈、梯度线圈以及体发射线圈，所述梯度线圈设置于所述主磁场线圈内侧、所述体发射线圈设置于所述梯度线圈内侧，其特征在于，在所述梯度线圈与所述体发射线圈之间设置有第一屏蔽层以及第二屏蔽层，所述第一屏蔽层靠近所述体发射线圈，所述第二屏蔽层靠近所述梯度线圈；所述体发射线圈包括两个端环以及设置于两个端环之间导线，所述两个端环被布置于第一屏蔽层、第二屏蔽层之间。

【技术特征摘要】
1.一种用于磁共振成像的磁体装置，包括主磁场线圈、梯度线圈以及体发射线圈，所述梯度线圈设置于所述主磁场线圈内侧、所述体发射线圈设置于所述梯度线圈内侧，其特征在于，在所述梯度线圈与所述体发射线圈之间设置有第一屏蔽层以及第二屏蔽层，所述第一屏蔽层靠近所述体发射线圈，所述第二屏蔽层靠近所述梯度线圈；所述体发射线圈包括两个端环以及设置于两个端环之间导线，所述两个端环被布置于第一屏蔽层、第二屏蔽层之间。2.如权利要求1所述的用于磁共振成像的磁体装置，其特征在于，所述端环至所述体发射线圈中心轴线的距离大于所述导线至所述体发射线圈中心轴线的距离，所述第一屏蔽层将所述端环与所述导线进行物理分隔。3.如权利要求1所述的用于磁共振成像的磁体装置，其特征在于，所述端环上设置有一个或数个的端环电容。4.如权利要求1所述的用于磁共振成像的磁体装置，其特征在于，所述第一屏蔽层的长度大于或等于所述体发射线圈的长度。5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：方福衣，罗威，徐烽，
申请(专利权)人：上海联影医疗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31