【技术实现步骤摘要】
紫外光制备碳纳米管的方法一、
：本专利技术涉及一种碳的沉积，特别涉及一种紫外光制备碳纳米管的方法。二、
技术介绍
：目前制备碳纳米管的工艺中，普遍采用直流辉光放电(射频、微波激励等)方式分解原料气体和对生长衬底加热以保证生长衬底所需的温度，其缺点是分解效率低，能耗高。三、
技术实现思路
：本专利技术的目的就在于提供一种利用紫外光子分解原料气体，具有分解效率高、能耗少的紫外光制备碳纳米管的方法。本专利技术的技术解决方案是：将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内，将沉积腔内抽真空到≤10Pa后通入原料气体包括氢气、甲烷(或其它含碳气体化合物)，控制气体压强在3～6KPa，生长衬底的温度为400～600℃，把波长小于等于350nm的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上从而生长出碳纳米管。催化纳米粉为铁纳米粉或钴纳米粉或镍纳米粉。本专利技术能快速分解原料气体，具有分解效率高，能耗少，无污染的优点，能大大提高碳纳米管的生长速度和质量。此外，本方法可在一定气氛(如金属蒸气)中进行沉积，可实现碳纳米管包覆纳米线生长。四、具体实施方式：实施例：将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，-->预沉积一层具有催化作用的铁纳米粉，把该衬底置入沉积腔内，将沉积腔内抽真空到≤10Pa后通入原料气体包括氢气、甲烷(或其它含碳气体化合物)，控制气体压强在3～6KPa，生长衬底的温度为400～600℃，把波长小于等于350nm的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上，这样在衬底上方一定的空间内形成紫外光通道，紫外光通道内的原料气体在紫外光的断键作用下迅速分解...
【技术保护点】
一种紫外光制备碳纳米管的方法，其特征是将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内，将沉积腔内抽真空到≤１０Ｐａ后通入原料气体包括氢气、甲烷（或其它含碳气体化合物），控制气体压强在３～６ＫＰａ，生长衬底的温度为４００～６００℃，把波长小于等于３５０ｎｍ的紫外光经反射镜反射后会聚照射在衬底上从而生长出碳纳米管。
【技术特征摘要】
1、一种紫外光制备碳纳米管的方法，其特征是将用于作生长衬底的硅片经超声清洗后，预沉积一层催化纳米粉，把该衬底置入沉积腔内，将沉积腔内抽真空到≤10Pa后通入原料气体包括氢气、甲烷(或其它含碳气体化合物)，控制气体压强在3～6K...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭鸿雁，申家镜，申辉，
申请(专利权)人：黑龙江省光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：23[中国|黑龙江]
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