电容屏及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电容屏及其制备方法，通过在透明基板上设置表面为金属导电层的ITO层，对金属导电层及ITO层进行化学蚀刻形成电容屏的显示区域及其周边走线区域，并进一步对周边走线区域进行激光蚀刻，形成触控感应线路。通过上述方式，本发明专利技术可以有效降低电容屏触控感应线路所占的空间，提高产品的屏占比，从而使产品实现窄边框的外观效果，并且还有效提升了产品的制程良率及工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容触摸屏的生产
，特别是涉及一种电容屏及其制备方法。
技术介绍
伴随电子产品的日益发展成熟，触摸屏的应用范围逐步扩大，其生产制造技术也呈现出多样性。目前常见的电容式触摸屏结构有，以G+G(玻璃对玻璃电容式触摸屏)、OGS(单片玻璃电容式触摸屏)、GF(玻璃对软膜电容式触摸屏)、GFF(玻璃对双层软膜电容式触摸屏)等为代表的外挂式电容屏，以及以On cell(触摸面板功能嵌入到彩色滤光片基板和偏光板之间)、In cell(触摸面板功能嵌入到液晶像素中)为代表的嵌入式电容屏。在产品性能稳步提升的同时，产品尺寸也越做越大，不断提高产品的屏占比，尽量减少盖板BM(黑矩阵)区面积，提高显示区域面积成为业内人员不断追求的目标。传统的产品主要是通过以下两种方法制成的：第一种方法是，在已经蚀刻好VA(显示区域)图层的纯ITO(氧化铟锡)导电膜上印刷银浆，通过激光工艺蚀刻完成周边触控感应线路。然而，由于印刷银浆的膜厚不易控制，且在生产过程中因加工次数的增多导致银浆稀释剂挥发从而粘度增大、银浆颗粒的均匀性、无尘环境对线路影响大等原因，使得电容屏的制程精细化存在较大困难，生产良率较低。第二种方法是，采用金属ITO导电膜作为电容屏的导电膜，通过一次化学蚀刻完成VA区图案和周边走线，然后通过二次蚀刻去除VA区的金属，保留VA区的ITO作为导电感应层。该制程由于金属层是通过真空溅镀工艺镀在ITO层上的，金属层存在微小的透空区，正常视觉检验无法排除，透空区经过一次金属蚀刻和一次ITO蚀刻，容易发生侧蚀，导致透空区显著增大，造成触控感应线路断线，影响生产良率，给制程带来不稳定性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种电容屏及其制备方法，可以提高产品的制程良率及工艺稳定性，。本专利技术的一方面提供一种电容屏的制备方法，包括：提供一透明基板；在透明基板上形成ITO层；在ITO层上形成金属导电层；对ITO层和金属导电层进行蚀刻，以形成显示区域和位于显示区域外的周边走线区域；对周边走线区域进行激光蚀刻，以形成触控感应线路。其中，对ITO层和金属导电层进行蚀刻的步骤之后，方法进一步包括：对显示区域进行金属蚀刻，用于蚀刻掉显示区域内的金属导电层。其中，对ITO层和金属导电层进行蚀刻的步骤包括：对ITO层和金属导电层进行化学蚀刻。其中，触控感应线路的宽度为20μm，触控感应线路的距离为20μm。其中，电容屏为GFF结构窄边框电容屏。本专利技术的另一方面提供一种电容屏，包括：透明基板；ITO层，设置在透明基板上；金属导电层，设置在ITO层上；其中，ITO层和金属导电层包括蚀刻形成的显示区域和位于显示区域外的走线区域；走线区域包括激光蚀刻形成的触控感应线路。其中，显示区域进一步进行金属蚀刻，用于蚀刻掉显示区域内的金属导电层。其中，ITO层和金属导电层进行化学蚀刻。其中，触控感应线路的宽度为20μm，触控感应线路的距离为20μm。其中，电容屏为GFF结构窄边框电容屏。通过上述方案，本专利技术的有益效果是：区别于现有技术，本专利技术的电容屏通过在基板上形成表面为金属导电层的ITO层，然后对金属导电层及ITO层进行化学蚀刻，形成电容屏的显示区域及其周边走线区域，进一步对周边走线区域进行激光蚀刻形成触控感应线路，通过上述方式，可以有效提升制程良率和工艺稳定性，并且降低电容屏走线区域所占的空间，提高产品的屏占比，使产品可以实现窄边框的外观效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是本专利技术一实施例的电容屏的制备方法的流程示意图；图2是图1中透明基板的结构示意图；图3是图2中在透明基板上形成ITO层的结构示意图；图4是图3中在ITO层上形成金属导电层的结构示意图；图5是图4中对ITO层及金属导电层进行蚀刻后的结构示意图；图6是图5中对显示区域进行金属蚀刻后的结构示意图；图7是本专利技术一实施例的电容屏的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参看图1，图1是本专利技术一实施例的电容屏的制备方法的流程示意图。如图1所示，本实施例的电容屏20的制备方法包括：S11：提供一透明基板21。如图2所示，提供一透明基板21，该透明基板21可以采用玻璃、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(有机玻璃)等材质。S12：在透明基板21上形成ITO层22。如图3所示，在透明基板21上涂覆ITO层22，涂覆的方式包括但不限于为电镀、印制或其他生产工艺，ITO层22完全覆盖在透明基板21上方。S13：在ITO层22上形成金属导电层23。如图4所示，在ITO层22的表面上涂覆金属导电层23，金属导电层23完全覆盖在ITO层22上方，金属导电层23的材料包括但不限于使用纳米银等材料。S14：对金属导电层23及ITO层22进行蚀刻，形成显示区域A和位于显示区域外的周边走线区域B。对透明基板21上的金属导电层23及ITO层22进行化学蚀刻，以形成显示区域A及位于显示区域外的周边走线区域B，如图5所示。显示区域A用于显示及触摸，周边走线区域B用于形成触控感应线路230。其中，对ITO层22及金属导电层23化学蚀刻以形成显示区域A的图案层，即使得透明基板21上的ITO层22及金属导电层23部分被蚀刻掉，部分被保留。透明基板21上覆盖有ITO层22及金属导电层23的部分，由于被金属导电层23不具有透明性，因此，被金属导电层23覆盖的透明基板21不具有透明性。S15：对显示区域A进行金属蚀刻，蚀刻掉显示区域A内的金属导电层23。仅针对显示区域A上的金属导电层23进行金属蚀刻，以将显示区域A内的金属导电层23蚀刻掉，而显示区域A外的周边走线区域B上的金属导电层23被保留，用于后期制作触控感应线路230。其中，对显示区域A内的金属导电层23进行金属蚀刻后的结构示意图如图6所示。S16：对周边走线区域B进行激光蚀刻，形成触控感应线路230。对显示区域A外的周边走线区域B进行激光蚀刻，即对周边走线区域B上的金属导电层23进行激光蚀刻，形成触控感应线路230。其中，触控感应线路230的宽度优选为20μm，任意两根触控感应线路230之间的距离为20μm，从而可以有效降低周边走线区域B所占的空间，使电容屏20实现窄边框的外观效果。在其他实施例中，触控感应线路230的宽度及触控感应线路230的距离还可以为其他数据，在此不作限制。本实施例制得的电容屏20为GFF结构窄边框电容屏，其结构如图7所示。因此，本实施例的电容屏20采用表面为金属导电层23的ITO导电层，与传统的制程相比，可以避免银浆印刷制程存在的透光点、膜厚不均匀、银浆粘度发生变化等一系列问题，降低产品成本。此外，相对于传统的金属导电ITO材料触摸屏的生产工艺，本实施例采用激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容屏的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一透明基板；在所述透明基板上形成ITO层；在所述ITO层上形成金属导电层；对所述ITO层和所述金属导电层进行蚀刻，以形成显示区域和位于所述显示区域外的周边走线区域；对所述周边走线区域进行激光蚀刻，以形成触控感应线路。

【技术特征摘要】
1.一种电容屏的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一透明基板；在所述透明基板上形成ITO层；在所述ITO层上形成金属导电层；对所述ITO层和所述金属导电层进行蚀刻，以形成显示区域和位于所述显示区域外的周边走线区域；对所述周边走线区域进行激光蚀刻，以形成触控感应线路。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述ITO层和所述金属导电层进行蚀刻的步骤之后，所述方法进一步包括：对所述显示区域进行金属蚀刻，用于蚀刻掉所述显示区域内的金属导电层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述ITO层和所述金属导电层进行蚀刻的步骤包括：对所述ITO层和所述金属导电层进行化学蚀刻。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述触控感应线路的宽度为20μm，所述触控感应线路的距离为20μm。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42