【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅溶胶系抛光材料,特别是一种酸性二氧化硅溶胶及其制备方法和用途。技术背景随着信息产业的迅猛发展,电子器件的集成化程度越来越高,器件表面的平坦化加工 就显得十分重要,由IBM和Microtechnology公司联合开发的化学机械抛光(CMP)技术 是一种制造集成电路的优选方法,该方法能在晶片上取得整体平面化,硅溶胶(如专利 TW245789B, CN1359997, CN1822325, JP2002284516, KR20040056167, JP2005159351, US6048789, CN1727431, CN1359997, CN1194288, TW544336B)或硅溶胶包覆氧化物(如 专利JP2003193038, CA2382724, US2004211337,WO2005035688, CN1543492,)的抛光液 是目前最具代表性的CMP技术用抛光剂。硅溶胶系无定型二氧化硅聚集颗粒在水中均匀分散形成的胶体溶液。根据溶液pH值 范围可分为酸性硅溶胶及碱性硅溶胶两种。碱性二氧化硅溶胶是一种稳定体系,国内外关 于其制备和应用方 ...
【技术保护点】
一种酸性二氧化硅溶胶,其特征在于:包括水和分散于水中的以硅粉为原料制得的粒径为纳米级或亚微米级的二氧化硅胶体,溶胶的pH值为1.5~3.5,铜离子含量≤50ppb。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:许亚杰,李晓冬,
申请(专利权)人:北京国瑞升科技有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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