液晶显示装置制造方法及图纸

实现减小了像素尺寸的高精细的液晶显示装置。一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和对置衬底，在TFT衬底与对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底中扫描线(10)沿第一方向延伸并沿第二方向排列，图像信号线(20)沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由扫描线和图像信号线包围而成的区域形成有像素电极，隔着绝缘膜相对于像素电极形成有公共电极，所述对置衬底与TFT衬底对置，第一公共电极(109)在第一扫描线与第二扫描线之间沿第一方向延伸，第二公共电极在第二扫描线与第三扫描线之间沿第一方向延伸，第一公共电极与第二公共电极通过桥(1091)电连接，桥在俯视时覆盖第一图像信号线，桥在俯视时不覆盖第二图像信号线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置，特别涉及高精细的液晶显示装置。
技术介绍
在液晶显示装置中，配置有TFT衬底和与TFT衬底对置的对置衬底，在TFT衬底与对置衬底之间夹持有液晶，TFT衬底呈矩阵状形成有具有像素电极和薄膜晶体管(TFT)等的像素。而且，通过对各像素控制利用液晶分子的光的透射率而形成图像。液晶显示装置的视角特性是一个问题。IPS(In Plane Swiching)方式的液晶显示装置利用与衬底平行的方向的电场使液晶分子旋转，从而控制液晶的光透射率，具有优异的视角特性。另一方面，在液晶显示装置，特别是中小型液晶显示装置中，正在推进高精细化。当推进高精细化时，形成于TFT衬底侧的、用于使像素电极与TFT的源电极接触的通孔的直径的面积在像素内占据的面积的比例变大。在专利文献1中，记载了IPS方式的液晶显示装置中的通孔的结构。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-146039号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题使用于智能手机或平板电脑等的液晶显示面板要求高精细。在这样的产品中，每一个像素的水平方向间距为30μm以下。此外，一
个像素有时也指示红像素、绿像素、蓝像素等的组，但在本说明书中，将红像素、绿像素、蓝像素等分别称为像素。另一方面，为了使视角特性提高，使用了IPS方式的液晶显示装置。IPS方式最多使用如下构造：在形成为平面状的公共电极之上隔着绝缘膜配置带状或梳齿状的像素电极。在这样的IPS中，为了按像素连接TFT与像素电极，需要在膜厚较大的绝缘膜上形成通孔，所以该通孔的直径变大。另一方面，需要向形成为平面状的公共电极施加各像素共用的电位。当像素间距变小时，各像素中的通孔占据的比例变大。另一方面，公共电极需要避开通孔而形成，在水平方向上相邻的通孔间，公共电极成为桥状。由于该桥和通孔的存在，像素间距的缩小化产生极限。并且，虽然公共电极利用ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)形成，但由于ITO的电阻率比较大，所以随着大画面化，公共电极的电阻会成为问题。本专利技术的问题是实现一种大画面的液晶显示装置，其能够应对高精细的像素间距，另外，抑制了公共电极的电阻的增加。用于解决问题的手段(1)一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和与所述TFT衬底对置的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底为扫描线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，图像信号线沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述图像信号线包围而成的区域形成有像素电极，经由绝缘膜相对于所述像素电极形成有公共电极而成，其特征在于，第一公共电极在第一扫描线与第二扫描线之间沿所述第一方向延伸，第二公共电极在第二扫描线与第三扫描线之间沿所述第一方向延伸，所述第一公共电极与所述第二公共电极通过桥而电连接，所述桥在俯视时覆盖第一图像信号线，所述桥在俯视时不覆盖第二图像信号线。(2)根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由金属布线形成。(3)根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第一图像信号线与所述第二图像信号线之间形成第一像素，在所述第一图像信号线与所述第一图像信号线之间形成第二像素，所述第一像素的所述第一方向上的宽度比所述第二像素的所述第一方向上的宽度大。(4)根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于，柱状间隔物形成于所述对置衬底，所述柱状间隔物在所述第二图像信号线的上方与所述TFT衬底侧接触。(5)一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底中，扫描线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，图像信号线沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述图像信号线包围而成的区域形成有像素电极，隔着第二绝缘膜相对于所述像素电极形成有公共电极，所述对置衬底与所述TFT衬底对置并具有柱状间隔物，其特征在于，第一公共电极在第一扫描线与第二扫描线之间沿所述第一方向延伸，第二公共电极在第二扫描线与第三扫描线之间沿所述第一方向延伸，所述第一公共电极与所述第二公共电极通过桥电连接，所述桥在俯视时覆盖第一图像信号线，所述桥在俯视时不覆盖第二图像信号线，所述公共电极形成于第一绝缘膜之上，在所述第一绝缘膜之下形成有第一电极，在所述第一绝缘膜上，在与所述第一电极对应的部分形成有第一通孔，与所述公共电极同时形成的连接ITO覆盖所述第一通孔，且形成为与所述公共电极绝缘，与所述连接ITO对应地在所述第二绝缘膜上形成有第二通孔，所述像素电极与所述第一电极电连接，所述连接ITO在所述第一方向上具有宽度，所述连接ITO的所述第一方向上的中心存在于比所述第一图像信号线与所述第二图像信号线的间隔的中心靠所述第二图像信号线侧。(6)根据(5)所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由金属布线形成。(7)根据(5)所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第一图像信号线与所述第二图像信号线之间形成第一像素，在所述第一图像信号线与所述第一图像信号线之间形成第二像素，所述第一像素的所述第一方向上的宽度比所述第二像素的所述第一方向上的宽度大。附图说明图1是应用了本专利技术的液晶显示装置的俯视图。图2是图1的A-A剖视图。图3是图1的通孔部附近的俯视图。图4是实施例1的液晶显示装置的俯视图。图5是图4的B-B剖视图。图6是表示实施例1的特征的俯视图。图7是表示实施例1的另一形态的剖视图。图8是表示实施例2的特征的俯视图。图9是图8的C-C剖视图。图10是表示实施例2的特征的另一俯视图。图11是表示实施例3的特征的俯视图。图12是实施例4的剖视图。图13是表示取向膜削减的发生原因的例子的示意剖视图。图14是表示实施例4的特征的俯视图。标号说明10…扫描线，10、20…图像信号线，30…共用金属布线，40…连接ITO，50…柱状间隔物，100…TFT衬底，101…第一底层膜，102…第二底层膜，103…半导体层，104…栅极绝缘膜，105…栅电极，106…层间绝缘膜，107…接触电极，108…有机钝化膜，109…公共电极，110…电容绝缘膜，111…像素电极，112…取向膜，115…取向轴，120…通孔，130…有机钝化膜的通孔，131…电容绝缘膜的通孔，140…通孔，200…对置衬底，201…滤色片，202…黑矩阵，
203…保护膜，300…液晶层，301…液晶分子，1091…公共电极桥，D…漏极部，S…源极部具体实施方式以下，使用实施例详细说明本专利技术。[实施例1]图1是表示在本专利技术中使用的IPS方式的液晶显示装置的像素结构的俯视图。虽然IPS方式也存在多种，但由于将公共电极形成为平面状，在其上隔着绝缘膜配置梳齿状的像素电极，利用在像素电极与公共电极之间产生的电场使液晶分子旋转的方式能够相对地加大透射率，所以当前正成为主流。在图1中，扫描线10沿横向延伸，并沿纵向以预定间距排列。扫描线10的纵向间距成为像素的纵向上的大小。另外，图像信号线20沿纵向延伸，并沿横向以预定间距排列。图像信号线20的横向间距成为像素的横向上的大小。在像素内，带状的像素电极111沿纵向延伸。由于图1的像素间距小至30μm以下，所以虽然像素成为一条带状，但是如果像素间距变大，则像素电极成为具有缝隙的梳齿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和与所述TFT衬底对置的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底形成有扫描线、图像信号线、形成于由所述扫描线和所述图像信号线包围而成的区域的像素电极以及隔着绝缘膜相对于所述像素电极形成的公共电极，所述公共电极由透明导电膜构成，其特征在于，所述公共电极具有沿所述扫描线方向延伸的第一公共电极和与所述第一公共电极分离设置的第二公共电极，所述第一公共电极与所述第二公共电极通过桥而电连接，所述图像信号线中的第一图像信号线在俯视时与所述桥重叠，第二图像信号线具有与所述桥不重叠的区域。

【技术特征摘要】
2015.05.15 JP 2015-0998201.一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和与所述TFT衬底对置的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底形成有扫描线、图像信号线、形成于由所述扫描线和所述图像信号线包围而成的区域的像素电极以及隔着绝缘膜相对于所述像素电极形成的公共电极，所述公共电极由透明导电膜构成，其特征在于，所述公共电极具有沿所述扫描线方向延伸的第一公共电极和与所述第一公共电极分离设置的第二公共电极，所述第一公共电极与所述第二公共电极通过桥而电连接，所述图像信号线中的第一图像信号线在俯视时与所述桥重叠，第二图像信号线具有与所述桥不重叠的区域。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第一图像信号线与所述第二图像信号线交替地形成。3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由金属膜形成。4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由与所述公共电极同时形成的透明导电膜形成。5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由与所述公共电极同时形成的透明导电膜和金属膜的层叠膜形成。6.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第一图像信号线与所述第二图像信号线之间形成第一像素，在所述第一图像信号线与所述第一图像信号线之间形成第二像素，所述第一像素的所述扫描线方向上的宽度比所述第二像素的所述扫描线方向上的宽度大。7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥存在于所述第一像素侧。8.根据权利要求1至权利要求5中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，间隔件形成于所述对置衬底，所述间隔件在所述第二图像信号线的上方与所述TFT衬底侧接触。9.一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底中，扫描线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，图像信号线沿第二方向延...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本素明，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP