纳米线交叉结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及纳米线交叉结构的制备方法，包括：（ａ）提供一基体；（ｂ）在其上沉积包含具有等距的核酸－催化剂结合位置的核酸－嵌段共聚物和为特定地结合至共聚物核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；（ｃ）将定向气流和／或交变电场施加至复合结构上；和（ｄ）应用化学气相沉积技术。所述结构的用途以及通过所述方法或获得的结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米线交叉结构的制备方法，包括：（ａ）提供基体；（ｂ）在其上沉积包含具有等距的核酸－催化剂结合位置的核酸嵌段共聚物和为特定地结合至该共聚物的核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；（ｃ）将定向气流和／或交变电场 施加至该复合结构上；和（ｄ）应用化学气相沉积技术。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：J维泽尔斯，WE福德，安田章夫，
申请(专利权)人：索尼德国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]