一种隔离器制造技术

本申请实施例提供了一种隔离器，包括：主件；所述主件包括：两组磁铁阵列、法拉第旋光组件、以及两个第一磁力线导引块；法拉第旋光组件包括：法拉第元件；两组磁铁阵列之间具有中轴，两组磁铁阵列围绕中轴对称分布；磁铁阵列包括第一部分，第一部分为磁力线与中轴平行的部分；法拉第元件位于两组磁铁阵列中的第一部分之间；两个第一磁力线导引块位于两组磁铁阵列之间，并且位于法拉第元件的两端。本申请实施例通过第一磁力线导引块收集开放传播的磁力线，提高磁场的利用率，提高法拉第元件中的磁场强度，使得在有限的法拉第元件尺寸下得到更大的旋光角度。使得的隔离器可以进一步缩小法拉第元件的尺寸，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光学器件
，特别是涉及一种隔离器。
技术介绍
隔离器大规模适用于高功率激光器的输出端，能有效避免激光束加工表面返回光束对激光器的影响。在隔离器设计中，通常通过强磁铁与法拉第旋光组件产生特定的转角使得光束反向传播时损耗较大，达到高隔离度。隔离度利用了法拉第元件在特定磁场下能使得光束的光矢量方向发生一定的角度旋转。我们通常使用以下公式表征这种特性：θ＝VBL。其中V为维尔德常数，B为磁感强度，L为法拉第元件长度，θ为长度L的法拉第元件在磁感强度B下的光矢量所产生的旋转角度。隔离器的隔离度指标需要法拉第转角准确才能达到较高的隔离度。而常规的隔离器通常由一个或者多个法拉第元件组成，他们与磁铁配合达到设计的旋转角度。但是，法拉第元件材料以及磁铁材料批次间差别较大，常规隔离器结构无法保证每批次的物料都达到准确的法拉第旋转角。因此，研发人员又设计了一种可调间距的海尔贝克磁块阵列保证了在某个温度达到准确的旋光角度，如图1所示，其中隔离器包括：海尔贝克磁块阵列101，以及位于海尔贝克磁块阵列101之间的法拉第元件102，入射光与法拉第元件102的透射面垂直。为了节省法拉第元件的成本，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种隔离器，其特征在于，包括：主件；所述主件包括：两组磁铁阵列、法拉第旋光组件、以及两个第一磁力线导引块；所述法拉第旋光组件包括：法拉第元件；所述两组磁铁阵列之间具有中轴，所述两组磁铁阵列围绕所述中轴对称分布；所述法拉第元件的光轴与所述中轴具有交点，并且所述法拉第元件的光轴与所述中轴，在所述两组磁铁阵列的对称平面上成第一角度，所述第一角度的取值范围为0°‑45°；所述磁铁阵列包括第一部分，所述第一部分为磁力线与所述中轴平行的部分；所述法拉第元件位于两组磁铁阵列中的第一部分之间；所述两个第一磁力线导引块位于所述两组磁铁阵列之间，并且位于所述法拉第元件的两端。

【技术特征摘要】
1.一种隔离器，其特征在于，包括：主件；所述主件包括：两组磁铁阵列、法拉第旋光组件、以及两个第一磁力线导引块；所述法拉第旋光组件包括：法拉第元件；所述两组磁铁阵列之间具有中轴，所述两组磁铁阵列围绕所述中轴对称分布；所述法拉第元件的光轴与所述中轴具有交点，并且所述法拉第元件的光轴与所述中轴，在所述两组磁铁阵列的对称平面上成第一角度，所述第一角度的取值范围为0°-45°；所述磁铁阵列包括第一部分，所述第一部分为磁力线与所述中轴平行的部分；所述法拉第元件位于两组磁铁阵列中的第一部分之间；所述两个第一磁力线导引块位于所述两组磁铁阵列之间，并且位于所述法拉第元件的两端。2.根据权利要求1所述的隔离器，其特征在于，所述第一磁力线导引块沿所述中轴的两个平面与所述中轴成第二角度；所述第二角度的取值范围为60°-90°。3.根据权利要求1或2所述的隔离器，其特征在于，所述第一磁力线导引块沿所述中轴的两个平面中，靠近所述法拉第元件的第一平面的面积小于远离所述法拉第元件的第二平面的面积。4.根据权利要求3所述的隔离器，其特征在于，所述第一平面的宽度满足使所述法拉第元件中的光束被两个个第一磁力线导引块的第一平面之间磁力线包围所需的宽度要求。5.根据权利要求4所述的隔离器，其特征在于，所述磁铁阵列包括：与所述中轴平行排列的第一磁块、第二磁块以及第三磁块；所述第一磁块的磁场方向与所述中轴垂直；所述第二磁块的磁场方向与所述中轴平行；所述磁铁阵列的第一部分为所述第二磁块；所述第三磁块的磁场方向与所述中轴垂直，并且与所述第一磁块的磁场方向相反。6.根据权利要求5所述的隔离器，其特征在于，所述法拉第元件沿光轴方向的第一透...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩泰，李伟，符照森，李连城，蒋峰，
申请(专利权)人：深圳市创鑫激光股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44