半导体装置制造方法及图纸

目的在于提供一种能够降低自感的半导体装置。半导体装置具有：树脂壳体(1)，其收容半导体元件；平行平板(3)，其与半导体元件连接并配置在树脂壳体(1)内，并且，由隔着绝缘材料(10)相互平行地配置的2片平板(4、5)构成；以及2个电极(6、7)，它们被从平行平板(3)的上端分别引出，隔开预先规定的间隔而配置在树脂壳体(1)的上表面。平行平板(3)的位于分别引出2个电极(6、7)的2个电极引出部(4a、5a)之间的上端部分别向相互远离的方向即外侧弯曲。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与降低半导体装置的自感相关。
技术介绍
关于IGBT模块或者SiC模块等功率模块，存在以彼此的合计电流相互抵消而成为大约零的方式配置了多个端子(电极)的结构。在该结构中，为了降低半导体装置的自感，多个端子隔着绝缘材料相互接近地配置，或者多个端子的接近部分平行地配置(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2013-21107号公报然而，用于与外部电路连接的端子需要从具有绝缘性的树脂壳体内向外部开放，为了确保沿面距离，多个端子间需要相互分离地配置。或者，由于为了确保沿面距离而在树脂壳体的上表面设置凹凸，因此在达到一定程度后难以进一步将半导体装置的自感降低。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种能够降低自感的半导体装置。本专利技术涉及的半导体装置具有：树脂壳体，其收容半导体元件；平行平板，其与所述半导体元件连接并配置在所述树脂壳体内，并且，由隔着绝缘材料相互平行地配置的2片平板构成；以及2个电极，它们被从所述平行平板的上端分别引出，隔开预先规定的间隔而配置在所述树脂壳体的上表面，所述平行平板的位于分别引出所述2个电极的2个电极引出部之间的上端部分别向相互远离的方向即外侧弯曲。本专利技术涉及的其他半导体装置具有：树脂壳体，其收容半导体元件；平行平板，其与所述半导体元件连接并配置在所述树脂壳体内，并且，由隔着绝缘材料相互平行地配置的2片平板构成；以及2个电
极，它们被从所述平行平板的上端分别引出，隔开预先规定的间隔而配置在所述树脂壳体的上表面，所述平行平板的位于分别引出所述2个电极的2个电极引出部之间的上部彼此的间隔比除了位于所述2个电极引出部之间的上部以外的部分彼此的间隔宽。专利技术的效果根据本专利技术涉及的半导体装置，平行平板的位于分别引出2个电极的2个电极引出部之间的上端部分别向相互远离的方向即外侧弯曲，因此平行平板的位于2个电极引出部之间的上端部的厚度增加。平行平板的上下方向的端部容易发生磁通集中，但通过增加平行平板的位于2个电极引出部之间的上端部的厚度，从而能够缓和该部分的磁通的集中，降低半导体装置的自感。根据本专利技术涉及的其他半导体装置，平行平板的位于2个电极引出部之间的上部彼此的间隔比除了位于2个电极引出部之间的上部以外的部分彼此的间隔宽，因此能够取得与增加平行平板的位于2个电极引出部之间的上部的厚度同样的效果。由此，能够降低半导体装置的自感。附图说明图1是实施方式1涉及的半导体装置的斜视图。图2是实施方式1涉及的半导体装置的平行平板以及电极的斜视图。图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的位于电极引出部之间的部位的放大斜视图。图4是实施方式1涉及的半导体装置的主视图。图5是表示实施方式1涉及的半导体装置的上端部的放大主视图。图6是实施方式2涉及的半导体装置的平行平板以及电极的斜视图。图7是实施方式3涉及的半导体装置的平行平板以及电极的斜视图。图8是表示实施方式3涉及的半导体装置的平行平板的位于电极引出部之间的部位的俯视图。图9是实施方式4涉及的半导体装置的平行平板以及电极的斜视图。图10是前提技术涉及的半导体装置的斜视图。图11是前提技术涉及的半导体装置的平行平板以及电极的斜视图。图12是表示前提技术涉及的半导体装置的位于电极引出部之间的部位的放大斜视图。标号的说明1树脂壳体，3平行平板，4、5平板，4a、5a电极引出部，6、7电极，8、9弯折部，10绝缘材料，11、12伸出部，13分割部。具体实施方式<实施方式1>下面，使用附图对本专利技术的实施方式1进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置的斜视图，图2是实施方式1涉及的半导体装置的平行平板3以及电极6、7的斜视图。如图1和图2所示，半导体装置为IGBT模块或者SiC模块等功率模块，具有树脂壳体1、平行平板3以及电极6、7。树脂壳体1形成为箱状，在内部收容有半导体元件(省略图示)。关于树脂壳体1，前部的上表面形成为位于比后部的上表面高的高度位置。在树脂壳体1的后部的上端部配置有盖2，盖2形成树脂壳体1的后部的上表面。平行平板3与半导体元件连接且配置在树脂壳体1的前部的内部。平行平板3由隔着绝缘材料10相互平行地配置的2片平板4、5构成。平板4以沿树脂壳体1的宽度方向延伸的方式形成，以主面朝
向前方或者后方的方式配置。从平板4的宽度方向左端部的上端(电极引出部4a)向后方引出了电极6。平板5以沿树脂壳体1的宽度方向延伸的方式形成，以主面朝向前方或者后方的方式配置。从平板5的宽度方向右端部的上端(电极引出部5a)向后方引出了电极7。电极6及电极7隔开预先规定的间隔而配置在树脂壳体1的前部的上表面。在平行平板3的位于2个电极引出部4a、5a之间的上端部设置有弯折部8、9，该弯折部8、9分别向相互远离的方向即外侧弯曲。利用弯折部8、9增加平行平板3的位于2个电极引出部4a、5a之间的上端部的厚度，从而能够缓和该部分的磁通的集中，降低半导体装置的自感。下面，对树脂壳体1的前部的上表面的构造进行说明。图3是表示实施方式1涉及的半导体装置的位于电极引出部4a、5a之间的部位的放大斜视图，图4是实施方式1涉及的半导体装置的主视图，图5是表示实施方式1涉及的半导体装置的上端部的放大主视图。如图3所示，树脂壳体1的上表面的与电极引出部4a、5a之间的部分相对应的区域1a形成为平面状。更具体地说，树脂壳体1的前部的前侧部分的上表面形成在比前部的后侧部分的上表面高的高度位置，区域1a是树脂壳体1的前部的前侧部分的上表面的与电极引出部4a、5a之间的部分相对应的区域。此外，树脂壳体1的前部的后侧部分的上表面的与电极引出部4a、5a之间的部分相对应的区域也形成为平面状。在这里，平行平板3被收容在树脂壳体1的前部的前侧部分的内部。外部的平行平板配线(汇流条)与电极引出部4a、5a连接，由于区域1a形成为平面状，因此能够使平行平板3的位于电极引出部4a、5a之间的部分与汇流条的距离变近。如果简单地来想，则感觉是使电极引出部4a、5a彼此接近更能够降低半导体装置的自感，但本申请的专利技术人在详细地重复进行电磁场模拟后得出下述见解，即，与使电极引出部4a、5a之间的距离变近的情况相比，使平行平板3的位于电极引出部4a、5a之间的部分与汇流条的距离变近的情况下更能够降低半导体装置的自感。为此，
优选在树脂壳体1的上表面的与电极引出部4a、5a之间的部分相对应的区域1a不存在用于获得沿面距离的凹凸形状。如图4和图5所示，树脂壳体1的前部的前侧部分的上表面的与电极引出部4a、5a之间的部分相对应的区域1a位于电极6、7的上表面与下表面之间的高度位置。由于能够在树脂壳体1的前部的前侧部分的内部将平行平板3配置于上方，因此能够使平行平板3的位于电极引出部4a、5a之间的部分与汇流条的距离变近。在这里，关于树脂壳体1的上表面的与电极引出部4a、5a之间的部分相对应的区域1a，即，树脂壳体1的将平行平板3的位于电极引出部4a、5a之间的部位覆盖的部分，其高度位置在汇流条的安装公差所容许的范围内越高越好。下面，对根据实施方式1涉及的半导体装置取得的效果，一边与前提技术涉及的半导体装置的情况进行对比，一边进行说明。图10是前提技术涉及的半导体装置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具有：树脂壳体，其收容半导体元件；平行平板，其与所述半导体元件连接并配置在所述树脂壳体内，并且，由隔着绝缘材料相互平行地配置的2片平板构成；以及2个电极，它们被从所述平行平板的上端分别引出，隔开预先规定的间隔而配置在所述树脂壳体的上表面，所述平行平板的位于分别引出所述2个电极的2个电极引出部之间的上端部分别向相互远离的方向即外侧弯曲。

【技术特征摘要】
2015.03.25 JP 2015-0622411.一种半导体装置，其具有：树脂壳体，其收容半导体元件；平行平板，其与所述半导体元件连接并配置在所述树脂壳体内，并且，由隔着绝缘材料相互平行地配置的2片平板构成；以及2个电极，它们被从所述平行平板的上端分别引出，隔开预先规定的间隔而配置在所述树脂壳体的上表面，所述平行平板的位于分别引出所述2个电极的2个电极引出部之间的上端部分别向相互远离的方向即外侧弯曲。2.一种半导体装置，其具有：树脂壳体，其收容半导体元件；平行平板，其与所述半导体元件连接并配置在所述树脂壳体内，并且，由隔着绝缘材料相互平行地配置的2片平板构成；以及2个电极，它们被从所述平行平板的上端分别引出，隔开预先规定的间隔而配置在所述树脂壳体的上表面，所述平行平板的位于分别引出所述2个电极的2个电极引出部之间的上部彼此的间隔比除了位于所述2个电极引出部之间的上部以外的部分彼此的...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚本英树，田畑光晴，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP