通过组成变化具有Tzc梯度的低膨胀氧化硅-氧化钛制品制造技术

提供了用于极紫外光刻(EUVL)的玻璃制品。玻璃制品包括氧化硅‑氧化钛玻璃，其具有贯穿玻璃制品的组成梯度，组成梯度由如下函数定义：[TiO2]＝(c+f(x,y,z))以及[SiO2]＝(100‑{c+f(x,y,z)}‑δ(x,y,z))，其中，[TiO2]是氧化钛的浓度(单位，重量％)，[SiO2]是氧化硅的浓度(单位，重量％)，c是对于预定的零交叉温度(Tzc)的氧化钛的浓度(单位，重量％)，f(x,y,z)是三维空间中的函数，其限定了中心位于坐标(x,y,z)的体积元素相对于c的平均组成的差异，以及δ(x,y,z)是三维空间中的函数，其限定了中心位于坐标(x,y,z)的体积元素的所有其他组成的总和。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请根据35U.S.C.§119，要求2014年1月31日提交的美国临时申请系列第61/934,276号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
本文涉及低热膨胀的氧化硅-氧化钛玻璃制品，更具体地，涉及具有零交叉温度(Tzc)梯度的低热膨胀氧化硅-氧化钛玻璃制品。技术背景极紫外光刻(EUVL)是用于13nm模式及以上的领先新兴技术，用于生产微处理单元和动态随机存取存储器(MPU/DRAM)集成芯片。目前，产生这些集成芯片(IC)的EUVL扫描仪以小规模生产，以证实该新兴技术。光学系统(包括反射光学元件)是这些扫描仪的重要部件。随着EUVL的持续发展，对于光学系统部件的规定变得更为严格。在EUVL扫描仪中，将光学元件暴露于强烈的极紫外(EUV)辐射。EUVL系统中所使用的一些EUV辐射部分被系统的光学元件上的反射涂层吸收，这导致碰撞辐射引起的光学元件的顶表面的加热。这引起光学元件的表面比光学元件的本体更热，并且导致贯穿光学元件的温度梯度。此外，为了使得图案在半导体晶片上成像，光学元件的表面没有被均匀加热，并且形成贯穿光学元件的厚度以及沿着接收辐射的光学元件表面的复杂温度梯度。这些温度梯度导致光学元件的变形，这进而导致在晶片上形成的图像的拖尾效应。用于EUVL扫描仪的投射系统中的光学元件的材料的低导热性，它们的大尺寸以及真空操作的要求，抑制了有效的热传输和去除。预期通过增加光学元件尺寸会加剧热消散的难度，并且预期增加的功率水平符合未来EUVL发展的要求。
技术实现思路
根据本文的一个实施方式，提供了用于极紫外光刻(EUVL)的玻璃制品。玻璃制品包括氧化硅-氧化钛玻璃，其具有贯穿玻璃制品的组成梯度，该组成梯度由如下函数所限定：[TiO2]＝(c+f(x,y,z))，以及[SiO2]＝(100-{c+f(x,y,z)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于极紫外光刻(EUVL)的玻璃制品，所述玻璃制品包括氧化硅‑氧化钛玻璃，其具有贯穿所述玻璃制品的组成梯度，所述组成梯度由如下函数所限定：[TiO2]＝(c+f(x,y,z))，以及[SiO2]＝(100‑{c+f(x,y,z)}‑δ(x,y,z))其中，[TiO2]是氧化钛的浓度，单位是重量％，[SiO2]是氧化硅的浓度，单位是重量％，c是对于预定的零交叉温度(Tzc)的氧化钛的浓度，单位是重量％，f(x,y,z)是三维空间中的函数，其限定了中心位于坐标(x,y,z)的体积元素相对于c的平均组成的差异，以及δ(x,y,z)是三维空间中的函数，其限定了中心位于坐标(x,y,z)的体积元素的所有其他组分的总和。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.31 US 61/934,2761.一种用于极紫外光刻(EUVL)的玻璃制品，所述玻璃制品包括氧化硅-...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·R·安格尔四世，S·安纳马莱，C·A·杜兰，J·E·马克森，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US