熔断电阻器及其制造方法技术

技术编号:13837783 阅读:91 留言:0更新日期:2016-10-15 23:59
本发明专利技术涉及一种熔断电阻器及其制造方法,具体涉及一种设置在电子产品的电路中以防止冲击电流、内部温度上升、持续过流等引起的机器故障的熔断电阻器及其制造方法,形成为将热熔断器一体地嵌入到引线中的结构,因此,结构简单,能够实现小型化,并且能够简化制造工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种熔断电阻器及其制造方法,更具体地,涉及一种设置在电子产品的电路中以防止冲击电流、内部温度上升、持续过流等引起的机器故障的熔断电阻器及其制造方法,形成为将热熔断器一体地嵌入到引线中的结构,因此结构简单,能够实现小型化,并且能够简化制造工艺。
技术介绍
通常,在LCD TV、PDP TV等大型电子产品的电路中,为了防止接通电源时所产生的冲击电流、内部温度上升、持续过流等引起的机器故障,在电路的电源输入端设置如熔断电阻器(Thermal Fuse Resistor)的保护元件,从而保护电源电路。这样的熔断电阻器首先具备电阻体和热熔断器,电阻体和热熔断器通过引线彼此串联。此外,熔断电阻器中,为了防止其它电子零件受到熔断体熔断时所产生的碎片的影响,用壳体封装电阻体和热熔断器,并且在壳体的内部填充填料。在此,考虑耐热性、传导性、固化性等,所述填料使用包含硅石(SiO2)的浆状填料,所述壳体通常使用用作一般电阻器壳体的陶瓷材质的壳体。此外,所述引线的端部延伸而引出到壳体外部,在以往的熔断电阻器中,将所述引线的端部焊接在印刷电路板上,从而使电阻体和热熔断器以垂直设置的状态设置在印刷电路板上。因此,如上所述的熔断电阻器,当流入冲击电流时利用电阻体将其限制为规定电流,当流入过电流时使电路短路,以将电阻体发热而产生的热量通过所述填料传导至热熔断器,使得设置在热熔断器内部的、由固体状的铅或聚合物颗粒所构成的熔断体熔断,从而保护家电产品的电路。图8a以及图8b是示出现有的熔断电阻器的示意图,参照图8a以及图8b,大韩民国授权专利第10-1060013号公开了一种熔断电阻器,其具备:电阻体
10;热熔断器20,用于通过所述电阻体10的发热作用使电路短路;引线31、33,用于串联所述电阻体10和热熔断器20;壳体40,一面开放,并且在一侧的壁面上形成有用于引出所述引线的引出槽41,从而将引线32、34的端部引出到外部的状态下将所述电阻体10和热熔断器20收纳在内部;填料50,填充在所述壳体40内部,包含硅石,电阻体10和热熔断器20嵌入于其内部。但是,所述授权专利中热熔断器形成为如电阻体的结构形式,因此,难以小型化,并且需要分别将一对引线31、32以及引线33、34连接于电阻体10和热熔断器20之后,再连接电阻体10的引线31和热熔断器20的引线33,因此,存在制造工艺复杂的问题。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术是为了解决上述问题而提出的,本专利技术的目的在于,提供一种熔断电阻器及其制造方法,形成为将热熔断器一体地嵌入到引线中的结构,因此,结构简单并且能够实现小型化。此外,本专利技术的目的在于,提供一种熔断电阻器及其制造方法,将热熔断器和引线接合成一个模组形式,并通过嵌入式注塑方式形成成型部,因此,能够简化组装工艺,并且最大限度地防止接线不良。此外,本专利技术的目的在于,提供一种熔断电阻器及其制造方法,在电阻体的表面上形成硅树脂涂层或填充层的状态下收容于成型部或者壳体中,因此,即使异常电流导致电阻体爆炸,也能够明显地减小其冲击或噪音。问题的解决方法为此,本专利技术涉及的熔断电阻器,其特征在于,包括:电阻体;熔断引线,连接于所述电阻体的一端,并且嵌入有热熔断器;引线,连接于所述电阻体的另一端,所述熔断引线包括:第一电线部,其与所述电阻体接合;第二电线部,其与基板连接;所述热熔断器,其一端与所述第一电线部接合,而另一端与所述第二电线部接合。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器,其特征在于,电阻体是在陶瓷棒上卷绕导线而成的绕线电阻体,在所述陶瓷棒以及导线的表面形成有硅树脂涂层。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器,其特征在于,电阻体是在两端设有一
对端子的陶瓷棒上卷绕导线而成的绕线电阻体,向所述一对端子之间形成的空间填充硅树脂以形成填充层,所述填充层的厚度与所述端子的厚度相同。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器,其特征在于,还包括成型部,用于密封电阻体、熔断引线以及引线。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器,其特征在于,还包括壳体,其用于收容电阻体、熔断引线以及引线,所述壳体呈管状,并且在内部填装有填充材料。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器,其特征在于,热熔断器由可熔部和助熔剂部构成,所述可熔部在被加热时熔断,所述助熔剂部插入于所述可熔部的中心。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:接合第一电线部、热熔断器以及第二电线部,从而形成熔断引线;在电阻体的一端接合所述熔断引线的第一电线部,而在另一端接合引线;将接合有所述熔断引线以及引线的电阻体安放在模具中,并向所述模具注入树脂以形成成型部。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:接合第一电线部、热熔断器以及第二电线部,从而形成熔断引线;在电阻体的一端接合所述熔断引线的第一电线部,而在另一端接合引线;准备管状的壳体,并将所述电阻体插入到其内部;将填充材料填充到所述壳体内部。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器的制造方法,其特征在于,壳体呈管状,在其一端形成有侧壁,所述侧壁上设有孔,以便插入所述熔断引线或者引线,其另一端被开放。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器的制造方法,其特征在于,壳体呈两端被开放的管状,将填充材料填充到所述壳体内部的步骤通过用密封件密封所述壳体的一端之后将填充材料填充到所述壳体内部,再用密封件密封所述壳体的另一端而实现,所述密封件上设有引出孔,以便引出所述熔断引线以及引线。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器的制造方法,其特征在于,通过熔接(soldering)、点焊或者超声波焊接来接合热熔断器与第一、第二电线部。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,其特征在于,热熔断器
由可熔部和助熔剂部构成,所述可熔部在被加热时熔断,所述助熔剂部插入于所述可熔部的中心,通过熔接(soldering)、点焊或者超声波焊接来接合所述可熔部与所述第一、第二电线部。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,其特征在于,热熔断器具有与所述第一、第二电线部相同的直径。此外,本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,其特征在于,电阻体是在两端设有一对端子的陶瓷棒上卷绕导线而成的绕线电阻体,所述方法进一步包括以下步骤:在所述陶瓷棒以及导线的表面上涂覆硅树脂的步骤,或者向所述一对端子之间形成的空间填充硅树脂,以形成厚度与所述端子的厚度相同的填充层的步骤。专利技术效果根据如上所述结构的本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,由于形成为将热熔断器一体地嵌入到引线中的结构,因此,结构简单,并且能够实现小型化。此外,根据本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,将热熔断器和引线接合成一个模组形式,并且通过嵌入式注塑法形成成型部,因此,能够简化组装工艺,并且最大限度地防止接线不良。此外,根据本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,在电阻体的表面上形成硅树脂涂层的状态下收容于成型部或者壳体中,因此,即使异常电流导致电阻体爆炸,也能够明显地减小其冲击或噪音。此外,根据本专利技术涉及的熔断电阻器及其制造方法,在电阻体表面上形成硅树脂涂层或填充层,从而能够提高防爆特性。附图说明图1是示出本专利技术涉及的熔断电阻器的第一实施例的立体图。图2a是图1的剖视图,图2b至图2d是在本专利技术的电阻体上形成有涂层本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种熔断电阻器,其特征在于,包括:电阻体;熔断引线,连接于所述电阻体的一端,并且嵌入有热熔断器;引线,连接于所述电阻体的另一端,所述熔断引线包括:第一电线部,其与所述电阻体接合;第二电线部,其与基板连接;所述热熔断器,其一端与所述第一电线部接合,而另一端与所述第二电线部接合,所述热熔断器由可熔部和助熔剂部构成,所述可熔部呈管状,与所述第一、第二电线部相接而直接接合,并且在被加热时熔断,所述助熔剂部插入于所述可熔部的中心,所述熔断电阻器还包括成型部,其通过嵌入式注塑方式一体地密封所述电阻体、熔断引线以及引线,从而防止所述可熔部氧化,提高熔断引线的接合部位的机械结合力,并且从外部冲击中进行保护。

【技术特征摘要】
2015.03.25 KR 10-2015-0041435;2015.03.27 KR 10-2011.一种熔断电阻器,其特征在于,包括:电阻体;熔断引线,连接于所述电阻体的一端,并且嵌入有热熔断器;引线,连接于所述电阻体的另一端,所述熔断引线包括:第一电线部,其与所述电阻体接合;第二电线部,其与基板连接;所述热熔断器,其一端与所述第一电线部接合,而另一端与所述第二电线部接合,所述热熔断器由可熔部和助熔剂部构成,所述可熔部呈管状,与所述第一、第二电线部相接而直接接合,并且在被加热时熔断,所述助熔剂部插入于所述可熔部的中心,所述熔断电阻器还包括成型部,其通过嵌入式注塑方式一体地密封所述电阻体、熔断引线以及引线,从而防止所述可熔部氧化,提高熔断引线的接合部位的机械结合力,并且从外部冲击中进行保护。2.根据权利要求1所述的熔断电阻器,其特征在于,所述电阻体是在两端设有一对端子的陶瓷棒上卷绕导线而成的绕线电阻体,在所述陶瓷棒以及导线的表面上涂覆硅树脂以形成涂层。3.根据权利要求1所述的熔断电阻器,其特征在于,所述电阻体是在两端设有一对端子的陶瓷棒上卷绕导线而成的绕线电阻体,向所述一对端子之间形成的空间填充硅树脂以形成填充层,所述填充层的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员:姜斗园金炫昌文皇帝申雅岚
申请(专利权)人:斯玛特电子公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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