熔断电阻器及该熔断电阻器制造方法技术

本发明专利技术公开了一种熔断电阻器及其制造方法，更具体地讲，公开了一种安装在电子产品的电路处以防止电子产品由于突入电流、内部温度升高和连续的过载电流而被破坏的熔断电阻器及其制造方法。所述熔断电阻器通过以模块化的方式耦接温度保险丝和引线并且以集成方式使熔断引线固定在引线上以形成下模制单元而能够简化装配过程。所述熔断电阻器由于嵌入所述温度保险丝和所述引线的集成结构而具有简单结构并且能够微型化。

Fusing resistor and the manufacturing method of the fuse resistor

The invention discloses a fuse resistor and its manufacturing method, in particular discloses an installation a fuse resistor and a manufacturing method thereof for preventing electronic products damaged by overload current, inrush current and internal temperature rise continuously in the circuit of electronic products. The fuse resistor is coupled to the temperature fuse and the lead wire in a modularized way, and the fuse leads are fixed on the leads to form a lower die unit in an integrated way, so that the assembly process can be simplified. The fusing resistor has a simple structure and can be miniaturized by embedding the integrated structure of the temperature fuse and the lead wire.

【技术实现步骤摘要】
熔断电阻器及该熔断电阻器制造方法
本专利技术涉及一种熔断电阻器及该熔断电阻器制造方法，更具体地讲，涉及安装在电子产品的电路处以防止电子产品由于突入电流、内部温度升高和连续的过载电流而被破坏的熔断电阻器及其制造方法。
技术介绍
一般来说，在如LCD电视、PDP电视的大型电子产品的电路中，用于保护电路的诸如温度熔断电阻器的保护器件设置在输入端。因此，保护器件防止电子产品因接通电源时产生的突入电流、内部温度上升以及持续的过电流而发生破坏。这种熔断电阻器包括电阻器、温度保险丝、在电阻器与温度保险丝之间连接的引线。此外，当保险丝断开时，熔断电阻器内会产生碎片。为了避免其它电子器件受到碎片的影响，电阻器和温度保险丝被封装于壳体内，在壳体内部填充填料。在此，考虑到耐热性能、导电性能以及固化性能等，使用包含氧化硅(SiO2)的泥状填料作为填料。通常，由陶瓷材料形成的壳体用作所述壳体。陶瓷壳体用作一般的电阻性壳体。此外，引线的端部延伸以被引出到壳体的外部。在传统的熔断电阻器中，将引线的端部焊接到印刷电路板上，并且因此电阻器和温度保险丝竖立安装在印刷电路板处。因此，在流入突入电流的情况中，如上设置的这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔断电阻器，包括：电阻器；熔断引线，包括与所述电阻器的一侧耦接的第一导线部、与基板连接的第二导线部和温度保险丝，所述温度保险丝的一端耦接至所述第一导线部，所述温度保险丝的另一端耦接至所述第二导线部；引线，与所述电阻器的另一侧连接；下模制单元，在所述熔断引线的一部分或所述引线的一部分彼此间隔开一定距离的状态下注射成型；以及上壳，具有圆柱体形状，所述上壳在其一侧处设置有开口，所述上壳容纳所述电阻器、所述熔断引线的一部分和所述引线的一部分，并且所述开口耦接至所述下模制单元。

【技术特征摘要】
1.一种熔断电阻器，包括：电阻器；熔断引线，包括与所述电阻器的一侧耦接的第一导线部、与基板连接的第二导线部和温度保险丝，所述温度保险丝的一端耦接至所述第一导线部，所述温度保险丝的另一端耦接至所述第二导线部；引线，与所述电阻器的另一侧连接；下模制单元，在所述熔断引线的一部分或所述引线的一部分彼此间隔开一定距离的状态下注射成型；以及上壳，具有圆柱体形状，所述上壳在其一侧处设置有开口，所述上壳容纳所述电阻器、所述熔断引线的一部分和所述引线的一部分，并且所述开口耦接至所述下模制单元。2.根据权利要求1所述的熔断电阻器，其中：所述上壳用填料填充，所述填料由粘固剂形成，并且所述下模制单元由树脂形成，所述树脂的导热率比所述填料的导热率低。3.根据权利要求1所述的熔断电阻器，其中所述下模制单元形成为具有容纳所述第一导线部的一部分、所述第二导线部的一部分和所述温度保险丝的厚度。4.根据权利要求1所述的熔断电阻器，其中从所述电阻器的水平中心线到所述下模制单元的上表面的距离小于从所述电阻器的水平中心线到所述温度保险丝的上表面的距离。5.根据权利要求1所述的熔断电阻器，其中从所述电阻器的水平中心线到所述下模制单元的上表面的距离大于从所述电阻器的水平中心线到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜斗园，金炫昌，文皇帝，申雅岚，
申请(专利权)人：斯玛特电子公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR