电荷传输性清漆制造技术

包含式(1)所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂的电荷传输性清漆形成具有高透明性、应用于有机EL元件时可发挥良好的元件特性的电荷传输性薄膜。式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基等，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基等，n表示2～5的整数。

【技术实现步骤摘要】
本申请是基于申请号为201280045988.2，申请日为2012年9月14日，专利技术名称为“电荷传输性清漆”的原始中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及电荷传输性清漆，更详细地说，涉及能形成透明性优异的导电性薄膜的电荷传输性清漆。
技术介绍
本专利技术人已报道了：由使用了包含低分子低聚苯胺化合物的电荷传输性物质的有机溶剂系的电荷传输性清漆得到的电荷传输性薄膜显示优异的电致发光元件特性(参照专利文献1)。专利文献1的电荷传输性清漆中，构成电荷传输性材料的低分子低聚苯胺化合物在分子内具有相同的重复单元结构，其共轭系越伸长越着色，形成电荷传输性薄膜时具有可见区域的吸收变大的性质。已知电荷传输性薄膜的着色使有机电致发光(以下称为有机EL)元件的色纯度和色再现性降低。并且，该着色在3色发光法、白色法和色变换法等有机EL显示器中的各种全色化技术中成为问题，成为稳定地生产有机EL元件时的显著的障碍。因此，希望有机EL元件的电荷传输性薄膜在可见区域中的透射率高，具有高透明性。鉴于这点，本专利技术人已发现：通过使用将分子内的共轭系部分切断的低聚苯胺化合物、部分包含由与苯胺单元不同的重复单元结构构成的共轭系的低聚苯胺化合物，从而得到可见区域中的着色得到了抑制、透明性优异的电荷传输性薄膜(参照专利文献2)，但为了提高光的取出效率等，不断希望透明性更高的薄膜，而且具备专利文献2的薄膜的有机EL元件在元件特性、寿命性能等方面有改善的余地。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2002-151272号公报专利文献2：国际公开2008/032616号专利文献3：特开平10-088123号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术鉴于这样的实际情况而提出，其目的在于提供电荷传输性清漆，该电荷传输性清漆形成具有高透明性、应用于有机EL元件时可发挥良好的元件特性的电荷传输性薄膜。用于解决课题的手段本专利技术人为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现，通过使用在分子内具有不能形成醌式结构的分子结构的二胺化合物，从而得到透明性非常优异的电荷传输性薄膜，而且发现，由包含该二胺化合物和电子接受性掺杂剂的电荷传输性清漆得到的薄膜显示良好的导电性，能够适合作为有机EL元件的缓冲层利用，完成了本专利技术。再有，专利文献3中公开了使用了N，N′-二苯基联苯胺作为空穴传输材料的有机EL元件，但对于通过使用该化合物而得到透明性优异的薄膜没有公开。即，本专利技术提供：1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含式(1)所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂；[化1]{式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数
3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基(这些基团可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基取代。)、或者式(2)所示的基团(其中，R5～R8的至少1个为氢原子。)，[化2][式中，R9～R12各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R13和R14各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基(这些基团可相互结合而形成环，还可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代。)]，n表示2～5的整数。本文档来自技高网...

【技术保护点】
电荷传输性薄膜，其特征在于，包含式(1)所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂，式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、或噻吩基，这些基团可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基取代；或者R5～R8各自独立地表示式(2)所示的基团，其中，R5～R8的至少1个为氢原子，式中，R9～R12各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R13和R14各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、或噻吩基，这些基团可相互结合而形成环，还可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代；n表示2～5的整数。...

【技术特征摘要】
2011.09.21 JP 2011-2054301.电荷传输性薄膜，其特征在于，包含式(1)所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂，式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、或噻吩基，这些基团可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基取代；或者R5～R8各自独立地表示式(2)所示的基团，其中，R5～R8的至少1个为氢原子，式中，R9～R12各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数
\t1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R13和R14各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、或噻吩基，这些基团可相互结合而形成环，还可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代；n表示2～5的整数。2.根据权利要求1所述的电荷传输性薄膜，其中，上述R5和R7为氢原子，上述R6和R8...

【专利技术属性】
技术研发人员：中家直树，广井佳臣，星野稔，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP