含有包含式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、包含磷钨酸的掺杂剂物质和有机溶剂并且掺杂剂物质的质量(WD)与电荷传输性物质的质量(WH)之比(WD/WH)满足3.5≤WD/WH≤15.0的电荷传输性清漆能够在非活性气体气氛下、减压下这样的氧不充分地存在的条件下、低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性且高电荷传输性，在应用于有机EL元件的情形下能够发挥优异的EL元件特性。(式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、氨基等，m和n各自独立地为1～5的整数)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电荷传输性清漆，更详细地说，涉及含有包含苯胺衍生物的电荷传输 性物质和包含磷钨酸的掺杂剂物质的电荷传输性清漆。
技术介绍
有机电致发光（以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用了由有 机化合物形成的电荷传输性薄膜。 该电荷传输性薄膜的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代 表的湿法。将干法和湿法进行比较，由于湿法能够高效率地制造大面积、平坦性高的薄膜， 因此在如有机EL等的希望薄膜的大面积化的领域中，多采用湿法形成薄膜。 鉴于这点，本专利技术人已进行了用于采用湿法制作能够应用于各种电子器件的电荷 传输性薄膜的电荷传输性清漆的开发（参照专利文献1等）。 但是，近年来的有机EL元件领域中，为了以高收率、高效率地制造元件，即使是采 用湿法的成膜，对于能够在非活性气体气氛下、减压下烧成的清漆的要求不断高涨。 此外，由于器件的轻量化、薄型化的潮流，逐渐开始代替玻璃基板而使用由有机化 合物制成的基板，因此也要求与以往相比能够在低温下烧成、而且在这种情形下也给予具 有良好的的电荷传输性的薄膜的清漆，对于现有的清漆，有时不能充分应对这些要求。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:特开2002-151272号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供能够在如非活性气体气氛下、减 压下等氧不充分存在的条件下或低温下烧成，同时在这样的烧成条件下制作的薄膜具有高 平坦性和高电荷传输性，应用于有机EL元件的情形下能够发挥优异的EL元件特性的电荷 传输性清漆。 用于解决课题的手段 本专利技术人为了实现上述目的而反复深入研宄，结果发现：在含有包含苯胺衍生物 的电荷传输性物质、包含磷钨酸的掺杂剂物质和有机溶剂的清漆中，通过将清漆中所含的 磷钨酸的质量（WD)与电荷传输性物质的质量（WH)之比（WD/WH)调节到规定范围，能够在如 非活性气体气氛下、减压下等氧不充分存在的条件下或低温下烧成，同时在这样的烧成条 件下制作的薄膜具有高平坦性和高电荷传输性，以及将该薄膜应用于空穴注入层的情况下 得到能够实现优异的亮度特性的有机EL元件，完成了本专利技术。 gp，本专利技术提供： 1.电荷传输性清漆，其特征在于，含有：包含式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输 性物质、包含磷钨酸的掺杂剂物质、和有机溶剂，上述掺杂剂物质的质量（WD)与上述电荷传 输性物质的质量（WH)之比（WD/WH)满足3. 5彡WD/WH< 15. 0，(式中，R1~R6各自独立地表示氢原子，卤素原子，硝基，氰基，氨基，可用Z1取代 的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基，可用Z2取代的、碳数6~ 20的芳基或碳数2~20的杂芳基，-NHY1，-NY2Y3, -0Y4,或-SY5基，Y1~Y5各自独立地表示 可被Z1取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基，或者可被 Z2取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基，Z1表示卤素原子，硝基，氰基，氨基， 或者可被Z3取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基，Z2表示卤素原子，硝基， 氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的 炔基，Z3表示卤素原子、硝基、氰基、或氨基，m和n各自独立地为1~5的整数。） 2. 1所述的电荷传输性清漆，其中，上述R1~R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、 可被Z1取代的碳数1~20的烷基、可被Z2取代的碳数6~20的芳基、-NHY^-NfY^-OY4、 或-SY5,上述Y1~Y5各自独立地表示可被Z1取代的碳数1~10的烷基或可被Z2取代的碳 数6~10的芳基，上述Z1表示卤素原子或者可被Z3取代的碳数6~10的芳基，上述Z2表 示卤素原子或者可被Z3取代的碳数1~10的烷基， 3.使用1或2所述的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜， 4.电荷传输性薄膜，是使用包含式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质和包 含磷钨酸的掺杂剂物质制作的电荷传输性薄膜，上述掺杂剂物质的质量（WD)与上述电荷传 输性物质的质量（WH)之比（WD/WH)满足3. 5彡WD/WH< 15. 0， (式中，R1~R6各自独立地表示氢原子，卤素原子，硝基，氰基，氨基，可被Z1取代 的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基，可被Z2取代的、碳数6~ 20的芳基或碳数2~20的杂芳基，-NHY1，-NY2Y3, -0Y4,或-SY5基，Y1~Y5各自独立地表示 可被Z1取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的炔基，或者可被 Z2取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基，Z1表示卤素原子，硝基，氰基，氨基， 或者可被Z3取代的、碳数6~20的芳基或碳数2~20的杂芳基，Z2表示卤素原子，硝基， 氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数1~20的烷基、碳数2~20的烯基或碳数2~20的 炔基，Z3表示卤素原子、硝基、氰基、或氨基，m和n各自独立地为1~5的整数。） 5.电子器件，其具有3或4所述的电荷传输性薄膜， 6.有机电致发光元件，其具有3或4所述的电荷传输性薄膜， 7. 6的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输 层， 8.电荷传输性薄膜的制造方法，其特征在于，在基材上涂布1或2所述的电荷传输 性清漆，使溶剂蒸发， 9. 8所述的电荷传输性薄膜的制造方法，其中，在氮气氛下烧成，使上述溶剂蒸 发， 10. 8所述的电荷传输性薄膜的制造方法，其中，在真空下烧成，使上述溶剂蒸发， 11.有机电致发光元件的制造方法，其中，使用3或4所述的电荷传输性薄膜， 12.有机电致发光元件的制造方法，其中，使用采用8~10的任一项所述的制造方 法得到的电荷传输性薄膜。 专利技术的效果 本专利技术的电荷传输性清漆，由于含有包含苯胺衍生物的电荷传输性物质和磷钨 酸，将磷钨酸的质量（WD)与电荷传输性物质的质量（WH)之比（WD/WH)调节到规定范围，因此 能够在如非活性气体气氛下、减压下等氧不充分存在的条件下或低温下烧成，同时在这样 的烧成条件下制作的薄膜具有高平坦性和高电荷传输性，将该薄膜应用于空穴注入层的情 形下，得到可实现优异的亮度特性的有机EL元件。因此，通过使用本专利技术的电荷传输性清 漆，能够实现制造工艺的简便化等带来的元件制造的高效率化、高收率化、或者元件的轻量 化、小型化等。 此外，本专利技术的电荷传输性清漆，即使采用旋涂法、狭缝涂布法等能够大面积地成 膜的各种湿法的情形下也能够再现性良好地制造电荷传输性优异的薄膜，因此也能够充分 地应对近年来的有机EL元件的领域中的进展。 进而，由本专利技术的电荷传输性清漆得到的薄膜也能够作为抗静电膜、有机薄膜太 阳能电池的阳极缓冲层等使用。【具体实施方式】 以下对本专利技术更详细地说明。 本专利技术涉及的电荷传输性清漆含有：包含式（1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性 物质、包含磷钨酸的掺杂剂物质、和有机溶剂，掺杂剂物质的质量（WD)与电荷传输性物质的 质量（WH)之比（WD/WH)满足 3. 5 <WD/WH< 15. 0。 再有，所谓电本文档来自技高网...
【技术保护点】
电荷传输性清漆，其特征在于，含有：包含式(1)所示的苯胺衍生物的电荷传输性物质、包含磷钨酸的掺杂剂物质、和有机溶剂，上述掺杂剂物质的质量(WD)与上述电荷传输性物质的质量(WH)之比(WD/WH)满足3.5≤WD/WH≤15.0，式中，R1～R6各自独立地表示氢原子，卤素原子，硝基，氰基，氨基，可用Z1取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，可用Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，‑NHY1，‑NY2Y3，‑OY4，或‑SY5基，Y1～Y5各自独立地表示可被Z1取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，或者可被Z2取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z1表示卤素原子，硝基，氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数6～20的芳基或碳数2～20的杂芳基，Z2表示卤素原子，硝基，氰基，氨基，或者可被Z3取代的、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基或碳数2～20的炔基，Z3表示卤素原子、硝基、氰基、或氨基，m和n各自独立地为1～5的整数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：中家直树，高山祐树，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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