【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种检测电路,具体是一种磁场强度检测电路。
技术介绍
磁场强度在历史上最先由磁荷观点引出。类比于电荷的库仑定律,人们认为存在正负两种磁荷,并提出磁荷的库仑定律。单位正点磁荷在磁场中所受的力被称为磁场强度H。后来安培提出分子电流假说,认为并不存在磁荷,磁现象的本质是分子电流。自此磁场的强度多用磁感应强度B表示。但是在磁介质的磁化问题中,磁场强度H作为一个导出的辅助量仍然发挥着重要作用。对于一些建筑、基站等,在选址和建设时磁场强度是重要的考虑参数,因此需要特定的仪器进行检测,现有的检测设备大多结构复杂,稳定性差,精度较低,因此有待于改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种磁场强度检测电路,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案: 一种磁场强度检测电路,包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4,所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC,传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3,电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V,芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4,电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1,芯片IC2的引脚3连接电容C4的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和芯片IC3的引脚3,电阻R4的另一端连接电容C2的另一端、电容C3和芯片IC2的引脚4,电容C3的另一端连接电阻R5,电阻R5的另一端连接电容C5、电阻R6和芯片IC3的引脚1,电阻R6的另一端连接电容C5的另一端、电阻R7和芯片IC3的引脚4,电阻R7的另一端连接芯片IC4 ...
【技术保护点】
一种磁场强度检测电路,包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4,其特征在于,所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC,传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3,电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V,芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4,电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1,芯片IC2的引脚3连接电容C4的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和芯片IC3的引脚3,电阻R4的另一端连接电容C2的另一端、电容C3和芯片IC2的引脚4,电容C3的另一端连接电阻R5,电阻R5的另一端连接电容C5、电阻R6和芯片IC3的引脚1,电阻R6的另一端连接电容C5的另一端、电阻R7和芯片IC3的引脚4,电阻R7的另一端连接芯片IC4的引脚1,芯片IC4的引脚3连接电阻R8的另一端、电阻R9的另一端和电阻R10,电阻R10的另一端连接电压表V的另一端和芯片IC4的引脚4,所述芯片IC1、芯片IC2、芯片IC3和芯片IC4的型号均为LM321。
【技术特征摘要】
1.一种磁场强度检测电路,包括传感器A、电阻R1、芯片IC1和电容C4,其特征在于,所述传感器A的一端连接电阻R2、电阻R8和电源VCC,传感器A的另一端连接电阻R1和芯片IC1的引脚3,电阻R1的另一端连接电阻R3、电阻R9、电容C4和电压表V,芯片IC1的引脚1连接电容C1和芯片IC1的引脚4,电容C1的另一端连接电容C2、电阻R4和芯片IC2的引脚1,芯片IC2的引脚3连接电容C4的另一端、电阻R2的另一端、电阻R3的另一端和芯片IC3的引脚3,电阻R4的另一端连接电容C2的另一端、电容C3和...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新林,
申请(专利权)人:泉州心创电子有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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