PE-CVD设备及方法技术

根据本发明专利技术，提供了等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备和方法，所述设备包括：包括周向泵送通道的腔室；设置在所述腔室内的基板支撑件；将气体引入到所述腔室中的一个或多个气体入口；在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置；和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件,其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙，并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁，并且，所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙，该第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口，其中，所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)设备和一种执行PE-CVD的方法。
技术介绍
PE-CVD是用于沉积各种材料的已知技术。众所周知，在生产半导体装置中使用PE-CVD。与处理半导体的其它方法共通，实现在商业上有用的方法的很重要因素是系统的处理能力。降低处理能力的主要问题是清洁过程。清洁过程是从PE-CVD处理腔室的内表面除去沉积材料所必需的。降低执行清洁过程所用的时间或清洁过程之间的时间将产生更高的处理能力和更低的购置成本(cost of ownership(COO))。现代清洁过程的清洁率在腔室的整个表面是均匀的。然而，至少一些PE-CVD工艺导致在腔室的内表面上的沉积具有不均匀分布的沉积厚度。氮化硅的沉积，特别是在低沉积温度下的沉积提供了产生厚度分布非常不均匀的沉积材料的PE-CVD工艺的实例。PE-CVD通常用于处理硅晶片。典型的PE-CVD单晶片腔室系统设计方法在于限制气体在系统中传导。这样做的意图是使得系统的净泵流量在整个晶片径向方向上。其意图是在整个晶片上提供均匀的沉积。大多数商用单晶片PE-CVD系统使用陶瓷间隔件来调整系统的接地面、影响等离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备，包括：包括周向泵送通道的腔室；设置在所述腔室内的基板支撑件；将气体引入到所述腔室内的一个或多个气体入口；在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置；和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件；其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙，并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁；并且所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙，所述第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口，其中，所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。

【技术特征摘要】
2015.03.12 GB 1504202.11.一种等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)设备，包括：包括周向泵送通道的腔室；设置在所述腔室内的基板支撑件；将气体引入到所述腔室内的一个或多个气体入口；在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置；和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件；其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙，并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁；并且所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙，所述第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口，其中，所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。2.根据权利要求1所述的PE-CVD设备，其中，所述下部元件与所述基板支撑件沿径向间隔开以界定辅助周向泵送通道，所述辅助周向泵送通道设置在所述周向泵送通道的下面，并且沿径向与所述周向泵送通道重叠，其中，所述第一周向泵送间隙用作所述辅助周向泵送通道的入口，并且所述周向泵送间隙用作所述辅助周向泵送通道的出口。3.根据权利要求1或2所述的PE-CVD设备，其中，所述下部元件包括基底部分和直立于所述基底部分的壁。4.根据权利要求3所述的PE-CVD设备，其中，所述下部元件的横截面基本呈L形。5.根据前述权利要求中任一项所述的PE-CVD设备，其中，所述下部元件是紧靠所述腔室的一部分内壁的衬垫。6.根据前述权利要求中任一项所述的PE-CVD设备，其中，所述上部元件包括向下悬垂到所述腔室中的壁。7.根据权利要求6所述的PE-CVD设备，其中，所述上部元件的壁包括上部部分和下部部分，其中，所述上部部分比所述下部部分更厚。8.根据前述权利要求中任一项所述的PE-CVD设...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔·T·阿查德，斯蒂芬·R·伯吉斯，马克·I·卡拉瑟斯，安德鲁·普赖斯，基思·E·布查恩，凯瑟琳·克鲁克，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB