一种液晶显示面板及其显示装置制造方法及图纸

技术编号:13706507 阅读:48 留言:0更新日期:2016-09-13 06:45
本实用新型专利技术一种液晶显示面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板和/或彩膜基板包括基底和接触所述液晶层的配向层,所述液晶层相对于所述配向层接触所述液晶层的一侧表面具有一预倾角,所述配向层接触所述液晶层的一侧表面相对于所述基底背离液晶层的一侧表面具有一倾斜角,所述倾斜角与所述预倾角相等,所述液晶层的排列方向与所述基底背离所述液晶层的表面平行。本实用新型专利技术通过调整液晶分子排列角度可有效提升液晶显示面板的对比度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种显示面板及显示装置,特别是一种高对比度的液晶显示面板以及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置因为具有空间占用率低、能耗较低的特点,从而被广泛应用于移动信息交换终端以及各种显示领域。液晶显示装置通过电场控制来自光源的光透过液晶层时的液晶分子排列方向,改变透射率来显示图像。根据具体的原理不同,液晶显示装置由早期的TN模式发展到现在的IPS模式以及FFS模式。IPS(In plane switch)模式液晶显示面板的结构中液晶的扭曲方向平行于基板的表面。IPS(In plane switch)模式液晶显示面板备通常包括液晶层、在其间夹着液晶层的一对玻璃衬底,以及在其间将玻璃衬底和液晶层夹在一起的一对配向层。在IPS面板中,对液晶层施加平行于衬底的横向电场以控制用于图像显示的液晶分子的方向。如图1a所示,包括基底1’、像素电极4’、公共电极5’、液晶层2’、配向层3’,由于工艺能力的问题,在对IPS面板配向时不可避免会产生一定的预倾角φ1,使得液晶分子相对于基板平行方向具有一个预倾角φ1,从而产生了双折射效应,导致了黑态的部分漏光,从而影响对比度。扭转向列(Twisted Nematic,TN)模式下,不加电压时液晶分子由水平排列,在上下基板间施加电场,液晶分子则受到电场作用而立起来。如图1b所示为典型的TN模式液晶显示面板结构示意图,包括基底1’、电极6’、液晶层2’、配向层3’,为保证液晶层受到垂直电场的作用向同一方向旋转立起来,液晶层2’与配向层3’之间会设计制作一定预倾角φ2,使得液晶分子相对于基板平行方向具有一个预倾角φ2,从而影响液晶分子的旋光效应,使得白态亮度不能达到最大值,对比度值还有进一步提高的空间。
技术实现思路
本技术目的提供一种液晶显示面板与液晶显示装置,有效解决了由于预倾角的存在而导致的白态亮度达不到最大值和黑态漏光的问题。为实现以上目的,本技术一种液晶显示面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,所述液晶层由液晶分子组成,所述阵列基板和/或彩膜基板包括基底和接触所述液晶层的配向层,所述液晶层中的液晶分子相对于所述配向层接触所述液晶层的一侧表面具有一定的预倾角,所述配向层接触所述液晶层的一侧表面相对于所述基底背离液晶层的一侧表面具有一倾斜角,所述倾斜角与所述预倾角相等。所述倾斜角与所述预倾角倾斜方向相反,所述液晶层的排列方向与所述基底背离所述液晶层的表面平行。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a为现有TN模式液晶显示面板的结构示意图;图1b为现有IPS模式液晶显示面板的结构示意图;图2a为本技术提供的基底具有倾斜面的IPS模式液晶显示面板的结构示意图;图2b为本技术提供的基底具有倾斜面的TN模式液晶显示面板的结构示意图;图3a为本技术提供的具有倾斜涂层的IPS模式液晶显示面板的结构示意图;图3b为本技术提供的具有倾斜涂层且电极倾斜的IPS模式液晶显示面板的结构示意图;图3c为本技术提供的具有倾斜涂层的FFS模式液晶显示面板的结构示意图;图3d为本技术提供的具有倾斜涂层且电极倾斜的TN模式液晶显示面板的结构示意图;图4为本技术提供的配向层倾斜的液晶显示面板的结构示意图;图5为本技术提供的每个单独的子像素制作倾斜涂层的结构示意图;图6为本技术提供的多个子像素共用倾斜涂层的结构示意图;具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术,但是本技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广,因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。图2a为本技术提供的基底具有倾斜面的IPS模式液晶显示面板的结构示意图。如图所示,液晶显示面板包括阵列基板11、彩膜基板12以及位于阵列基板11与彩膜基板12之间的液晶层2,液晶层2由液晶分子20组成,阵列基板11包括基底131以及接触液晶层的配向层31,彩膜基板12包括基底132以及接触液晶层的配向层32。液晶层2相对于配向层3接触所述液晶层的一侧表面具有一定的预倾角φ1,预倾角范围为0.5~3.0度。以基底131、132背离液晶层的一侧表面为基准面,基底131、132靠近液晶层的一侧表面分别相对于基底131、132背离液晶层的一侧表面具有倾斜角β,即基底131、132靠近液晶层的一侧表面均为倾斜面,基底131、132为楔形形状。所述配向层31位于基底131的倾斜面上,配向层32位于基底132的倾斜面上。配向层31靠近所述液晶层2的一侧表面与背离所述液晶层2的一侧表面相互平行,配向层32靠近所述液晶层2的一侧表面与背离所述液晶层2的一侧表面相互平行。液晶显示面板还包括像素电极4与公共电极5,所述像素电极4与公共电极5位于同层并均位于基底131靠近液晶层的一侧,并位于配向层31与基底131之间。配向层31接触所述液晶层2的一侧表面平行于所述基底131的倾斜面,配向层32接触所述液晶层2的一侧表面平行于所述基底132的倾斜面,即配向层31接触所述液晶层2的一侧表面相对于相对于基底131背离液晶层的一侧表面具有倾斜角β,配向层32接触所述液晶层2的一侧表面相对于相对于基底132
背离液晶层的一侧表面具有倾斜角β,倾斜角β与所述预倾角φ1相等,且所述倾斜角β与所述预倾角φ1倾斜方向相反,即所述倾斜角β与所述预倾角φ1相抵消,使得液晶分子20的排列方向与所述基底13背离所述液晶层的表面平行。本实施例为IPS显示模式液晶面板,在不加电压时,液晶分子呈水平排列,完全不透光,从而避免了现有技术中由于预倾角导致液晶分子排列不水平带来的漏光问题。图2b为本技术提供的基底具有倾斜面的TN模式液晶显示面板的结构示意图。如图所示,TN模式液晶显示面板包括阵列基板11、彩膜基板12以及位于阵列基板11与彩膜基板12之间的液晶层2,液晶层2由液晶分子20组成,所述阵列基板11包括基底131以及接触所述液晶层的配向层31,彩膜基板12包括基底132以及接触所述液晶层的配向层32。液晶层2相对于所述配向层3接触所述液晶层的一侧表面具有一定的预倾角φ2,预倾角φ2范围为4~7度。以基底131、132背离液晶层的一侧表面为基准面,基底131、132靠近液晶层的一侧表面分别相对于基底131、132背离液晶层的一侧表面具有倾斜角β,即基底131、132靠近液晶层的一侧表面均为倾斜面,基底131、132为楔形形状。所述配向层31位于基底131的倾斜面上,配向层32位于基底132的倾斜本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种液晶显示面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,所述液晶层由液晶分子组成,所述阵列基板和/或彩膜基板包括基底和接触所述液晶层的配向层,所述液晶层中的液晶分子相对于所述配向层接触所述液晶层的一侧表面具有一定的预倾角,所述配向层接触所述液晶层的一侧表面相对于所述基底背离液晶层的一侧表面具有一倾斜角,所述倾斜角与所述预倾角相等。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板,包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层,所述液晶层由液晶分子组成,所述阵列基板和/或彩膜基板包括基底和接触所述液晶层的配向层,所述液晶层中的液晶分子相对于所述配向层接触所述液晶层的一侧表面具有一定的预倾角,所述配向层接触所述液晶层的一侧表面相对于所述基底背离液晶层的一侧表面具有一倾斜角,所述倾斜角与所述预倾角相等。2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述倾斜角与所述预倾角倾斜方向相反,所述液晶层的排列方向与所述基底背离所述液晶层的表面平行。3.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述基底靠近液晶层的一侧表面平行于所述配向层接触所述液晶层的一侧表面,所述配向层靠近所述液晶层的一侧表面与背离所述液晶层的一侧表面相互平行。4.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括位于所述基底与所述配向层之间的倾斜层,所述倾斜层靠近所述液晶层的一侧表面平行于所述配向层接触所述液晶层的一侧表面,所述倾斜层背离所述液晶层的一侧表面平行于所述基底背离所述液晶层的一侧表面,所述配向层靠近所述液晶层的一侧表面与背离所述液晶层的一侧表面相互平行。5.如权利要求4所述的液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括位于所述基底与所述倾斜层之间的像素电极与公共电极,所述像素电极与所述公共电极平行于所述基底背离所液晶层的一侧表面。6.如权利要求4所述的液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括位于所述倾斜层背离基底一侧的像素电极与公共电极,所述像素电极与所述公共电极平行于所述倾斜层...

【专利技术属性】
技术研发人员:李建新
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司天马微电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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