【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种氧化铍陶瓷基板衰减片,特别涉及一种氧化铍陶瓷基板50瓦20dB的衰减片。
技术介绍
氧化铍陶瓷基板50瓦20dB的衰减片是同轴固定衰减器芯片的一种,广泛应用在微波通讯、雷达等设备中。衰减器是一个功率消耗元件,不能对两端电路有影响。目前市场上的大功率衰减片精度少数能达到4GHz,满足不了8GHz频段应用要求。
技术实现思路
本技术为了解决上述问题,从而提供一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片。为达到上述目的,本技术的技术方案如下:一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片,所述氧化铍陶瓷基板衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线,所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络,第一接地导线连接第一膜状电阻,第二接地导线连接第二膜状电阻,第三接地导线连接第三膜状电阻,所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银,所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。在本技术的一个优选实施例中,所述第一膜状电阻、第二膜状电阻和第三膜状电阻分别通过激光调阻机进行激光调阻,所述第一膜状电阻输入端和第三膜状电阻输出端分别与接地端的阻抗为50±1Ω。在本技术的一个优选实施例中,所述氧化铍基板的体积为 61*12.6*1.2mm。在本技术的一个优选实施例中,第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线分别位于第一膜状电阻、第二膜状电阻和第三膜状电阻的中心位置,为偏心结构。本技术的有益效果是:本技术结构 ...
【技术保护点】
一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片,其特征在于,所述氧化铍陶瓷基板衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线,所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络,第一接地导线连接第一膜状电阻,第二接地导线连接第二膜状电阻,第三接地导线连接第三膜状电阻,所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银,所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。
【技术特征摘要】
1.一种50瓦20dB的氧化铍陶瓷基板衰减片,其特征在于,所述氧化铍陶瓷基板衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线和第三接地导线,所述输入电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第三膜状电阻和输出电极依次串联形成卡片式衰减网络,第一接地导线连接第一膜状电阻,第二接地导线连接第二膜状电阻,第三接地导线连接第三膜状电阻,所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银,所述第三膜状电阻的输出端连接有第二焙银。2.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:周敏,戴林华,周蕾,
申请(专利权)人:上海华湘计算机通讯工程有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
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