LDO调压器、交流设备制造技术

技术编号:13543065 阅读:131 留言:0更新日期:2016-08-18 04:36
LDO调压器和交流设备,属于开关电源领域。本发明专利技术LDO调压器包括PWM控制电路、供电电路、高压MOS管、齐纳二极管、第一电阻、第一晶体管、第一二极管、外接电容;高压MOS管门极连接第一二极管阴极,第一二极管阳极分别连接供电电路和外接电容;高压MOS管门极连接齐纳二极管阴极,齐纳二极管阳极、供电电路、PWM控制电路和外结电容均接地;高压MOS管门极经第一电阻连接第一晶体管源极,第一晶体管门极接地,第一晶体管漏极连接高压MOS管漏极;高压MOS管源极分别连接PWM控制电路和供电电路。本发明专利技术交流设备,包括上述LDO调压器。本发明专利技术结构简单,克服了以往利用两个高压管分别实现供电和LED控制的问题,仅利用一个高压管实现供电和PWM控制,提高了调压器、交流设备的工作效率,减少了漏电流的产生。

【技术实现步骤摘要】
201610329372
<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/54/CN105867502.html" title="LDO调压器、交流设备原文来自X技术">LDO调压器、交流设备</a>

【技术保护点】
LDO调压器,其特征在于,包括PWM控制电路、供电电路、高压MOS管、齐纳二极管、第一电阻、第一晶体管、第一二极管、外接电容;所述高压MOS管的门极连接所述第一二极管的阴极,所述第一二极管的阳极分别连接所述供电电路和外接电容;所述高压MOS管的门极连接齐纳二极管的阴极,齐纳二极管的阳极、供电电路、PWM控制电路和外结电容均接地;所述高压MOS管的门极经第一电阻连接第一晶体管的源极,所述第一晶体管的门极接地,所述第一晶体管的漏极连接所述高压MOS管的漏极;所述高压MOS管的源极分别连接所述PWM控制电路和所述供电电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈银铭冯子宇刘沁
申请(专利权)人:湖州绿明微电子有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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