【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种用于板式PECVD设备的石墨框，包括复数个承载硅片的方格孔；石墨框的4条边上均设有复数个顶针结构；且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有至少1个顶针结构，使其内放置的硅片高出方格孔所在的水平面。本技术使石墨框四周边缘的方格孔内的硅片与石墨框之间保持一定的距离，从而避免了电池片与石墨框之间的鞘层效应，并以此达到改善上镀膜边缘色差和效率偏低的目的。【专利说明】-种用于板式PECVD设备的石墨框
本技术设及太阳能电池片生产领域，特别是一种用于板式PECVD设备的石墨 框，用于娃片的阳CVD锻膜工艺。
技术介绍
太阳能是一种没有污染、使用方便的可再生能源，有效地利用太阳能己经成为人 类的共识。在开发和利用太阳能的过程中，人们研制了太阳能电池，利用光伏效应直接把太 阳能转化为电能。在太阳能电池中，晶体娃太阳能电池占市场主要分额。在制备晶体娃太阳 能电池过程中，制备减反射膜是一个必不可少的工序。近几年来，氮化娃薄膜应用于晶体娃 太阳能电池的减反射膜，它不仅具有减反射膜的作用，还能起到纯化作用，其成膜工艺、纯 化及减反射性能受到人们的重视。 目前...
【技术保护点】
一种用于板式PECVD设备的石墨框，包括复数个承载硅片的方格孔(1)；其特征在于：石墨框的4条边(3)上均设有复数个顶针结构(4)；且位于石墨框四周边缘的方格孔内具有至少1个顶针结构，使其内放置的硅片高出方格孔所在的水平面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁中存，党继东，张标，沈波涛，
申请(专利权)人：盐城阿特斯阳光电力科技有限公司，苏州阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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