【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前广视角显示技术成为人们研究的热点。广视角液晶显示器按照显示模式可以分为:平面转换(In Plane Switching,IPS)型和高级超维场开关(Advanced Super Dimens1n Switch,ADS)型。其中,ADS模式液晶显示器通过液晶显示器中同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,该多维电场使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。而ADS模式液晶显示器,其阵列基板中由像素电极与公共电极交叠区域形成 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的扫描线、数据线,以及由所述扫描线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元,所述像素单元内设置有公共电极和位于所述公共电极之上的像素电极,其特征在于,所述公共电极与所述像素电极成一夹角设置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:栗鹏,金熙哲,朴正淏,金在光,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,重庆京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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