【技术实现步骤摘要】
一种采用硅基CMOS工艺实现的太赫兹振荡器
本专利技术涉及一种太赫兹振荡器。特别是涉及一种采用硅基CMOS工艺实现的太赫兹振荡器。
技术介绍
太赫兹频段(300GHz-3THz)介于微波和红外线之间，处于宏观理论向微观量子理论的过渡区，电子学和光子学的交叉区域，特殊的位置决定了其具有同其他波段不同的特殊性质。与红外线相比，太赫兹电磁波对于非极性材料和有机大分子材料具有强的穿透能力，散射损耗小，能够通过衣物、泡沫包装、纸、干燥木材等材料。同时，太赫兹频段电磁波也具有高分辨率的成像特性，基于太赫兹频谱开展的成像技术能够得到更为高分辨率的图像。许多材料在太赫兹频段都具有独特的吸收特性，在太赫兹频段内能够对不同的材料进行有针对性地探测、示踪。太赫兹频率比红外更低，远低于X射线，其光子能量远小于X射线，因此在通常情况下，不会对生物体造成损伤，因此可以利用太赫兹对生物体进行无伤害检测。在通讯领域，太赫兹波的频带宽度是微波的1000倍，是很好的宽带信息载体，特别适合宽带无线移动通信。太赫兹波在星际空间，由于频带宽，方向性好，散射小，高频数据流可以提供10GB/s的无线传输速率，...
【技术保护点】
一种采用硅基CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，其特征在于，包括有振荡器电路(I)，所述的振荡器电路(I)的输出连接用于起到缓冲作用实现混频的缓冲电路(II)，所述的缓冲电路(II)的输出连接到输出端Vout。
【技术特征摘要】
1.一种采用硅基CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，其特征在于，包括有振荡器电路（I），所述的振荡器电路（I）的输出连接用于起到缓冲作用实现混频的缓冲电路（II），所述的缓冲电路（II）的输出连接到输出端Vout，所述的缓冲电路（II）包括有第三NMOS管（M3）和第四NMOS管（M4），所述第三NMOS管（M3）的源极连接所述第四NMOS管（M4）的漏极，所述第三NMOS管（M3）的栅极连接振荡器电路（I）的第一输出端，所述第四NMOS管（M4）的栅极连接振荡器电路（I）的第二输出端，所述第三NMOS管（M3）的漏极通过隔离电感（L3）连接缓冲级电压VCC2，所述第四NMOS管（M4）的源极接地，所述隔离电感（L3）与所述第三NMOS管（M3）漏极相连的这一端连接第三电容（C3）的一端，所述第三电容（C3）的另一端构成输...
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