【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种具有复合结构的氮化物缓冲层，其特征在于：在衬底上生长AlN缓冲层，在AlN缓冲层上依次生长由下层为AlN层和上层为GaN层构成的多组复合结构缓冲层，每一组复合结构缓冲层的厚度相同，多组复合结构缓冲层中的AlN层的厚度沿生长方向逐渐减小直至为零，多组复合结构缓冲层中的GaN层的厚度沿生长方向逐渐增大。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈凯轩，姜伟，卓祥景，方天足，汪洋，童吉楚，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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