The present invention relates to the technical field of single crystal silicon Czochralski furnace, in particular relates to specific automatic control method of single crystal furnace, in particular discloses a CZ automatic ending 80 single crystal furnace, PLC control system through the existing single crystal growth by CZ 80 single crystal furnace, the temperature correction and single crystal pulling speed parameter setting, control single end length and the diameter of single crystal, realize the automation finishing operation, can reduce the time of finishing the monocrystalline silicon in the growth process, improve the finishing efficiency, can reduce the rate of increase at the end of the tail, ending the production capacity, reduce production cost and make the closure of the closure, beautiful shape.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及单晶炉提拉法生长单晶硅棒
,尤其是涉及特定单晶炉的自动控制方法。
技术介绍
CZ-80晶体生长设备(单晶炉)主要用于拉制6-9寸大直径、低氧碳单晶硅棒,配有PLC自动控制系统,熔料量140KG,由河北晶龙阳光设备有限公司生产,具有优良的性能,已经得到广泛使用。目前没有CZ-80单晶炉自动化收尾工艺,必须由人工控制单晶炉的单晶拉速和温校等相关参数进行单晶的收尾工艺操作。单晶等径生长结束开始进行收尾,此时炉内剩料较少,收尾过程中需不断升温,从而保证炉内合适温度,防止结晶收断尾。收尾段外形要求为收尾长度达到单晶的一个直径且断面不大于30mm,收尾时间尽量短、断尾率低、收尾形状美观。然而,人工收尾操作存在较多的问题:收尾温度和拉速不能及时控制,拉速需提升时不能及时有效的提升导致收尾时间长,导致收尾时间较长在3.5h以上,效率低,收尾形状不美观;人工收尾拉速和温度调整大、失误多,容易收断尾,断尾率在30%左右,合格率低、成本高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供CZ-80单晶炉自动收尾方法,能够降低单晶硅棒生长过程中的收尾时间,提高收尾效率,能够降低收尾时的断尾率,提高收尾产能,降低收尾的生产成本,并使收尾形状美观。为解决上述技术问题,本专利技术所采取的技术方案是:CZ-80单晶炉自动收尾方法,用CZ-80单晶炉的单晶生长PLC控制系统进行收尾操作,包括:1)单晶收尾开 ...
【技术保护点】
CZ‑80单晶炉自动收尾方法,其特征在于,用CZ‑80单晶炉的单晶生长PLC控制系统进行收尾操作,包括:1)单晶收尾开始时单晶拉速和温校值的设定,以及2)单晶收尾结束前随单晶收尾长度的变化而调节单晶拉速和温校值;所述步骤1)中,收尾开始时温校值为20,收尾开始时单晶拉速a依据单晶等径生长末尾段的平均拉速设定,若该平均拉速低于0.8mm/min,则将a设为0.6mm/min,若该平均拉速高于0.8mm/min,则将a设为0.7mm/min;所述步骤2)中,单晶收尾长度达到20mm后,随单晶收尾长度增长逐次增大单晶拉速并同时降低温校值,直至单晶拉速为b且温校值为0,其中b=(a+0.61) mm/min;单晶拉速的每次增加值在总体上呈递增关系,其递增量为0.01~0.05 mm/min;温校值每次降低1~3;所述温校是CZ‑80单晶炉单晶生长PLC控制系统中的功率变化参数,满足如下关系:温校设定值为x,则每过1min,单晶炉的加热功率对应增加y,y=x×2.5(w)。
【技术特征摘要】
1.CZ-80单晶炉自动收尾方法,其特征在于,用CZ-80单晶炉的单晶生长PLC控制系统进
行收尾操作,包括:
1)单晶收尾开始时单晶拉速和温校值的设定,以及
2)单晶收尾结束前随单晶收尾长度的变化而调节单晶拉速和温校值;
所述步骤1)中,收尾开始时温校值为20,收尾开始时单晶拉速a依据单晶等径生长末尾
段的平均拉速设定,若该平均拉速低于0.8mm/min,则将a设为0.6mm/min,若该平均拉速高
于0.8mm/min,则将a设为0.7mm/min;
所述步骤2)中,单晶收尾长度达到20mm后,随单晶收尾长度增长逐次增大单晶拉速并
同时降低温校值,直至单晶拉速为b且温校值为0,其中b=(a+0.61)mm/min;
单晶拉速的每次增加值在总体上呈递增关系,其递增量为0.01~0.05mm/min;温校值
每次降低1~3;
所述温校是CZ-80单晶炉单晶生长PLC控制系统中的功率变化参数,满足如下关系:
温校设定值为x,则每过1min,单晶炉的加热功率对应增加y,y=x×2.5(w)。
2.根据权利要求1所述的CZ-80单晶炉自动收尾方法,其特征在于,所述步骤2)中,单晶
收尾长度每增长20mm,调整一次单晶拉速和温校值...
【专利技术属性】
技术研发人员:王会敏,何京辉,曹祥瑞,颜超,程志,范晓甫,周子江,赵贝,刘钦,陈二星,
申请(专利权)人:邢台晶龙电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:河北;13
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