层叠体及阻气膜制造技术

层叠体(10)具有：第一基材(11)；原子层沉积膜(12)，其是配置于所述第一基材的第一面(11a)上的无机氧化物层；第二基材(14)，其配置于所述原子层沉积膜的一面上；第一粘接剂层(13)，其配置于所述原子层沉积膜和所述第二基材之间，从而粘接所述原子层沉积膜和所述第二基材。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及层叠体及阻气膜，特别是涉及包含通过原子层沉积法形成于基材面上的原子层沉积膜的层叠体及包含该层叠体的阻气膜。本申请基于2013年12月11日在日本申请的特愿2013-256411号主张优先权，其内容以引用方式并入本文。
技术介绍
目前，利用使物质像气体那样呈在原子或分子水平上运动的状态的气相从而在物体的表面上形成薄膜的方法有化学气相沉积(称为CVD(ChemicalVaporDeposition)。以下，称为“CVD”。)法和物理气相沉积(称为PVD(PhysicalVaporDeposition)。以下，称为“PVD”。)法。作为PVD法，例如有真空蒸镀法或溅射法等。对于溅射法来说，装置成本通常较高，但可进行膜质及厚度的均匀性优异的高质量的薄膜的成膜。因此，溅射法被广泛应用于液晶显示器等显示器件中。CVD法是向真空腔室内导入原料气体，通过热能使1种或两种以上的气体在基板上分解或反应从而使固体薄膜生长的方法。此时，为了促进成膜时的反应，或为了降低反应温度，有时并用等离子体或催化剂(Catalyst)反应。其中，将使用等离子体反应的CVD法称为PECVD(PlasmaEnhancedCVD)法。另外，将利用催化剂反应的CVD法称为Cat-CVD法。当使用上述的CVD法时，成膜缺陷变少。因此，上述的CVD法适用于(例如)半导体器件的制造工序(例如，栅极绝缘膜的成膜工序)等。近年来，作为成膜方法，原子层沉积法(ALD(AtomicLayerDeposition)法。以下，称为“ALD法”。)备受关注。ALD法是将表面吸附的物质通过表面的化学反应而以原子水平逐层成膜的方法。ALD法被分类于CVD法的范畴。所谓CVD法(普通的CVD法)是使用单一气体或同时使用多种气体在基板上反应而使薄膜生长的方法。与此相对，ALD法交替使用前体(第一前体)或被称为前驱物质的富有活性的气体和反应性气体(在ALD法中被称为前体(第二前体))。由此，ALD法是通过在基板表面上的吸附和与该吸附接续的化学反应从而使薄膜以原子水平逐层生长的特殊的成膜方法。ALD法的具体的成膜方法通过以下那样的方法进行。首先，利用所谓的自限制效应(基板上的表面吸附中，当表面被某种气体覆盖时，则不再发生该气体的吸附的现象)，在基板上仅吸附一层前体后，就对未反应的前体排气(第一步骤)。接着，向腔室内导入反应性气体，使先前的前体氧化或还原而仅形成一层具有期望组成的薄膜后，将反应性气体排气(第二步骤)。在ALD法中，通过将上述第一及第二步骤设为一个循环，并重复进行该循环，从而使薄膜在基板上生长。因此，ALD法中，薄膜二维地生长。另外，与现有的真空蒸镀法或溅射法等相比，优势不言而喻，即使与一般的CVD法相比，ALD法也是成膜缺陷较少的方法。因此，期待着向食品及药品等的包装领域或电子零件领域等的广大的领域的应用。作为ALD法之一，有在分解第二前体并与吸附于基板上的第一前体反应的工序中，为了使反应活化而使用等离子体的方法。该方法被称为等离子体活化ALD(PEALD(PlasmaEnhancedALD))或简称为等离子体ALD。ALD法的技术在1974年被芬兰的Dr.TuomoSumtola所提出。一般而言，ALD法可获得高质量·高密度的成膜，因此，在半导体器件制造领域(例如，栅极绝缘膜的形成工序)中已进行应用，在ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors)中也有这种记载。与其它成膜法相比，ALD法中没有斜影效应(溅射粒子倾斜地入射于基板表面而产生成膜不均匀的现象)，因此，如果具有气体进入的间隙，则可成膜。因此，ALD法被期待着应用于具有深度和宽度之比较大的高纵横比的基板上的线或孔的覆膜，或应用于三维结构物的覆膜用途即MEMS(MicroElectroMechanicalSystems)相关技术。但是，ALD法中也有缺点。作为ALD法的缺点，例如可举出使用特殊材料的方面，或使用特殊材料带来成本提高等。作为ALD法的最大缺点，是成膜速度较慢。ALD法的成膜速度(例如)是通常真空蒸镀法或溅射法等的成膜法的成膜速度的1/5～1/10左右的速度，非常慢。作为使用上述说明的ALD法形成薄膜的基板，例如有晶片或光掩模等小型板状的基板、大面积且无挠性的基板(例如玻璃基板)、膜(film)等那样大面积且具有挠性的基板等。对于用于在这些基板上形成薄膜的量产设备，根据成本方面、处理容易程度及成膜质量等，已提出各种的基板的处理方法且已被实用化。例如，作为在晶片上成膜薄膜时的成膜装置，有单片式成膜装置或批量式成膜装置等。单片式成膜装置将一片晶片输送至成膜装置的腔室内进行成膜后，将成膜的晶片和未处理的晶片进行替换，再次进行成膜处理。批量式成膜装置在向腔室内集中放置多个晶片后，对所有的晶片进行相同的成膜处理。另外，作为在玻璃基板上成膜薄膜时的成膜装置，有在线式成膜装置。在线式成膜装置一边对成为成膜的来源的部分依次输送玻璃基板，一边同时进行成膜。另外，作为在挠性基板上成膜薄膜时的成膜装置，有采用所谓的辊对辊的涂布成膜装置。涂布成膜装置一边从辊卷出挠性基板，一边进行成膜，并利用其它辊卷取挠性基板。需要说明的是，涂布成膜装置还包括web涂布成膜装置，该web涂布成膜装置不只是将挠性基板，还可将成为成膜对象的基板载置于可以连续输送基板的挠性的片材、或一部分为挠性的托盘上从而进行连续成膜。对于由任意成膜装置进行的成膜方法或基板处理方法，根据成本方面或质量方面或处理容易程度等进行判断，可采用成膜速度最快的成膜装置的组合。目前，通过ALD法在基材的外表面上形成原子层沉积膜的层叠体已被广泛已知。这种层叠体被用于具有较高的阻气性的阻气膜等。专利文献1中公开有一种技术，通过ALD法进行原子层蒸镀，由此在塑料膜的表面上形成阻隔层。根据该技术，通过ALD法形成原子层蒸镀，由此可以实现阻隔特性优异的阻气膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本国特开2012-96432号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，通过专利文献1所记载的方法形成的原子层沉积膜由于外力而容易受损(也含针孔)。如果由于某些外力而使原子层沉积膜受损，则该损伤有时到达基材。若产生这种损伤，则在成膜后的大气中，气体透过该损伤而在原子层沉积膜和基材之间进出，因此，造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠体，其包括：第一基材；原子层沉积膜，其是配置于所述第一基材的第一面上的无机氧化物层；第二基材，其配置于所述原子层沉积膜的一面上；以及第一粘接剂层，其配置于所述原子层沉积膜与所述第二基材之间，从而粘接所述原子层沉积膜和所述第二基材。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.11 JP 2013-2564111.一种层叠体，其包括：
第一基材；
原子层沉积膜，其是配置于所述第一基材的第一面上的无机氧化物层；
第二基材，其配置于所述原子层沉积膜的一面上；以及
第一粘接剂层，其配置于所述原子层沉积膜与所述第二基材之间，从而粘接所述原子
层沉积膜和所述第二基材。
2.根据权利要求1所述的层叠体，其中，所述原子层沉积膜的一面是实施了用于提高与
所述第一粘接剂的亲和性的表面处理的面。
3.根据权利要求2所述的层叠体，其中，所述表面处理是电晕处理、等离子体处理及...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀池乔文，佐藤尽，高岛菜穗，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP