荧光体及其制造方法、以及使用了该荧光体的发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供发光效率较高的红色发光荧光体、发光器件以及荧光体的制造方法。所述红色发光荧光体的特征在于：其基本组成用式：Ka(Si1‑x,Mnx)Fb表示，在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度之比为0.09～0.22。该荧光体可以通过使硅源与氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127的反应溶液接触来制造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种荧光体，其特征在于，所述荧光体的基本组成用下述式(A)表示：Ka(Si1‑x，Mnx)Fb   (A)式中，1.5≤a≤2.5、5.5≤b≤6.5、且0＜x≤0.06；在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度I1相对于出现在拉曼位移为650±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度I0之比I1/I0为0.09～0.22。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：平松亮介，田村淳，石田邦夫，阿尔贝萨惠子，加藤雅礼，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP