【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电路控制领域。
技术介绍
常用的频率信号采集电路分为电压采样，电阻采样两种模式，但两种模式需要两套电路，不能复用同一套电路，必须进行更改，这样就增加了系统的复杂性。
技术实现思路
本专利技术目的是为了解决现有CPU采集频率信号在电压采样和电阻采样两种模拟之间切换时，必须同时改变电路结构，增加了系统复杂性的问题，提供了一种频率信号采集两种模式复用电路。本专利技术所述频率信号采集两种模式复用电路，它包括PMOS晶体管P1、NPN三极管VT1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8；电源VCC同时连接电阻R3的一端和PMOS晶体管P1的源极；PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1；PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R3的另一端和NPN三极管VT1的集电极，NPN三极管VT1的基极同时连接电阻R6的一端和电阻R8的一端，NPN三极管VT1的发射极连接电阻R8的另一端，并接地；电阻R6的另一端连接CPU控制端口；PMOS晶体管P1的漏极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端；电阻R1的另一端同时连接电阻R5的一端和电阻R2的另一端，并连接模拟量输入端口；电阻R5的另一端连接电阻R7的一端，并连接AD采样端口；电阻R7的另一端接地。本专利技术的优点：电路解决了在传统电路中模拟量信号输入时，硬件电路需要同时更改的缺点。本专利技术是在模拟...
【技术保护点】
频率信号采集两种模式复用电路，其特征在于，它包括PMOS晶体管P1、NPN三极管VT1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8；电源VCC同时连接电阻R3的一端和PMOS晶体管P1的源极；PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1；PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R3的另一端和NPN三极管VT1的集电极，NPN三极管VT1的基极同时连接电阻R6的一端和电阻R8的一端，NPN三极管VT1的发射极连接电阻R8的另一端，并接地；电阻R6的另一端连接CPU控制端口；PMOS晶体管P1的漏极同时连接电阻R1的一端和电阻R2的一端；电阻R1的另一端同时连接电阻R5的一端和电阻R2的另一端，并连接模拟量输入端口；电阻R5的另一端连接电阻R7的一端，并连接AD采样端口；电阻R7的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.频率信号采集两种模式复用电路，其特征在于，它包括PMOS晶体管P1、NPN三
极管VT1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电阻R8；
电源VCC同时连接电阻R3的一端和PMOS晶体管P1的源极；
PMOS晶体管P1的源极和漏极之间反向并联二极管VD1；
PMOS晶体管P1的栅极同时连接电阻R3的另一端和NPN三极管VT1的集电极，NPN
三极管VT1的基极同时连接电阻R6的一端和电阻R8的一端，NPN三极管VT1的发射极
连接电阻R8的另...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，王大伟，李天放，黄明森，王钊，
申请(专利权)人：航天科技控股集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23
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