一种MEMS器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2：在所述凹槽里面形成MEMS图案；步骤S3：在所述MEMS晶圆的正面上形成保护层，以得到包含所述MEMS图案的空腔；步骤S4：反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺。本发明专利技术所述方法在去除所述胶带的过程中不会对所述MEMS图案造成影响，改善了MEMS器件在去除胶带(Detape)工艺中产生损坏(Damage)的现象，提高了所述MEMS器件的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
201410742327

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆的正面形成有凹槽；步骤S2：在所述凹槽里面形成MEMS图案；步骤S3：在所述MEMS晶圆的正面上形成保护层，以得到包含所述MEMS图案的空腔；步骤S4：反转所述MEMS晶圆，执行背面工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31