具有上覆栅极结构的鳍式电阻器制造技术

本发明专利技术涉及一种具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。一种电阻器装置，包括掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种方法，包括对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面，用以影响电阻器本体的电阻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及半导体装置的制造，而且特别是指具有上覆栅极结构的鳍式电阻器。
技术介绍
诸如CPU、储存装置、ASIC(特定应用集成电路)及诸如此类的先进集成电路在制造时，需要根据指定的电路布局，在给定的芯片面积中，形成大量电路元件。场效晶体管(NMOS及PMOS晶体管)代表一种重要类型的电路元件，其实质决定此类集成电路的效能。在使用例如MOS技术制造复杂集成电路期间，例如NMOS晶体管及/或PMOS晶体管等数百万计的晶体管形成于基材上，该基材包括结晶性半导体层。无论是NMOS或PMOS装置，场效晶体管都是平面型装置，其典型包括源极区、漏极区、置于该源极区与该漏极区之间的通道区、以及置于该通道区上面的栅极结构。栅极结构典型包含非常薄的栅极绝缘层、以及一或多个作用为导电栅极电极的导电层。在场效晶体管中，通道区的导电性即是导电通道的驱动电流能力，由施加至栅极电极的适当电压所控制。在现代集成电路中，诸如CMOS、NMOS、PMOS及类似形式的场效晶体管等非常大量的个别电路元件形成于单一芯片面积上。除了大量晶体管元件以外，在集成电路中，典型还形成诸如解耦(decoupling)等多种用途所使用的诸如电容器、电阻器及诸如此类的被动电路元件。为了改进程序整合，将类似结构用于形成不同类型装置是有用处的。举例而言，若形成晶体管时所使用的结构亦可用于制造电阻器，则可提升处理效率。多晶硅线件可在制造晶体管时当作栅极电极使用。电阻器亦可使用多晶硅线件来建立。多晶硅电阻器的电阻实质上是通过其长度及截面积来决定。要在平行电阻器阵列中提供具有不同电阻的电阻器有所困难。另外，多晶硅电阻器所能携载的电流量因欧姆加热而受限。若通过电阻器的电流够高，则可能出现破坏，导致电阻值改变或断路(类似于保险丝)。本专利技术涉及各种方法及其产生的装置，可避免、或至少降低以上指认的问题中一或多者的影响。
技术实现思路
下文介绍简化的
技术实现思路
，用以对本专利技术的一些态样有基本的了解。本摘要不是本专利技术的详尽概述。目的不在于识别本专利技术的主要或关键元件，或叙述本专利技术的范畴。其唯一目的在于以简化形式介绍若干概念，作为下文所述更详细说明的引言。一般而言，本专利技术涉及形成半导体电阻器装置的各种方法及其产生的装置。一个例示性电阻器装置包括(但不限于)掺有第一类型掺质的电阻器本体、设置于电阻器本体上面的绝缘层、以及设置于绝缘层上面且设置于电阻器本体上面的至少一个栅极结构。一种例示性方法包括(但不限于)对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设置于掺有第一类型掺质的电阻器本体上面，用以影响电阻器本体的电阻。另一例示性方法包括(但不限于)在基材中形成至少一个晶鳍。该晶鳍掺有第一类型掺质并界定电阻器本体。栅极结构形成于至少一个晶鳍上面。形成第一接触部，该第一接触部连接至晶鳍的第一端。形成第二接触部，该第二接触部连接至晶鳍的第二端。附图说明可搭配附图参照底下说明以了解本专利技术，其中，相同的元件符号视为相称的元件，以及其中：图1A至图1E绘示一种方法，该方法形成具有至少一个上覆栅极结构的鳍式电阻器；图2A至图2G绘示一种方法，该方法形成具有至少一个上覆栅极结构的电阻器装置；以及图3A至图3F绘示一种方法，该方法形成具有至少一个上覆栅极结构的电阻器装置的另一具体实施例。尽管本文所揭示的专利标的(subjectmatter)容许各种改进和替代形式，但其特定具体实施例仍已通过附图中的实施例予以表示并且在本文中予以详述。然而，应理解的是，本文对特定具体实施例的说明其用意不在于限制本专利技术于所披露的特殊形式，相反地，用意在于含括落于如权利要求书所界定本专利技术精神与范畴内的所有修改、均等件、以及替代。符号说明：100电阻器装置105晶鳍110基材115隔离结构120顶端晶鳍部分125PN接面130栅极结构135接触部140绝缘材料145电阻器本体150栅极接触部200电阻器装置205晶鳍210基材215末端部分220电阻器装置225图案化阻剂遮罩230电阻器本体235PN接面240栅极结构240A栅极结构240B栅极结构245栅极结构250栅极介电层300电阻器装置305晶鳍310基材320绝缘层325图案化阻剂遮罩330电阻器本体335PN接面340栅极结构345磊晶区。具体实施方式下面说明的是本专利技术的各个描述性具体实施例。为了澄清，本说明书未说明实际实现的所有特征。当然，将领会的是，在开发任何此类实际具体实施例时，可施作许多特定实现的决策以达成开发者的目的，如符合系统相关和商务相关限制条件之类，此将随不同实现而变。再次，将领会的是，此类开发上的努力可能复杂且耗时，但对于具有本专利技术利益的本领域技术人员而言，将是例行工作。现将引用附图说明本专利标的。附图中所示意的各种结构、系统及装置其目的仅在于说明而非为了以本领域技术人员所熟知的细节混淆本专利技术。虽然如此，仍含括附图以说明并且解释本专利技术的描述性实施例。应该理解并且解读本文的用字及词组与本领域技术人员所理解的用字及词组具有相容的意义。术语或词组的特殊定义，亦即，有别于本领域技术人员所理解的普通或惯用意义的定义，用意是要通过本文对于术语或词组的一致性用法予以隐喻。就术语或词组用意在于具有特殊意义(亦即，不同于本领域技术人员所理解的术语或词组)的方面来说，此特殊定义将在说明书中以直接并且明确提供术语或词组特殊定义的明确方式予以清楚提出。本专利技术基本上涉及各种形成电阻器结构的方法，所述电阻器结构具有上覆于电阻器本体的栅极结构，用以调制电阻器的电阻，并且用以为电阻器本体提供局部化的散热体。本领域技术人员若完整阅读本申请书将轻易明白的是，本方法适用于各种装置，包括但不局限于逻辑装置、记忆体装置等。请参阅附图，现将更详细地说明本文所揭露的方法及装置的各项说明性具体实施例。图1A至图1E绘示本文中所揭示用于形成电阻器装置100的各种新颖方法。图1A展示基材110中所界定的多个晶鳍105的截面图。晶鳍105的数目及晶鳍105之间的间隔可随着所形成的一(多)个装置的特定特性而改变。基材110可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻器，其包含：电阻器本体，其掺有第一类型掺质；绝缘层，其设置于该电阻器本体上面；以及至少一个栅极结构，其设置于该绝缘层上面且设置于该电阻器本体上面。

【技术特征摘要】
2014.12.29 US 14/583,9431.一种电阻器，其包含：
电阻器本体，其掺有第一类型掺质；
绝缘层，其设置于该电阻器本体上面；以及
至少一个栅极结构，其设置于该绝缘层上面且设置于该电阻器本
体上面。
2.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包含多个设置于该绝缘
层及该电阻器本体上面的栅极结构，该多个栅极结构包括该至少一个
栅极结构。
3.根据权利要求2所述的电阻器，其中，该多个栅极结构以不对
称方式相隔。
4.根据权利要求1所述的电阻器，其中，该电阻器本体包含界定
于基材中的至少一个晶鳍，而且该电阻器进一步包含：
第一接触部，其耦接至该至少一个晶鳍的第一端；以及
第二接触部，其耦接至该至少一个晶鳍的第二端。
5.根据权利要求4所述的电阻器，其中，该电阻器本体包含界定
于该基材中的多个晶鳍，该第一接触部耦接至各该多个晶鳍的第一端，
而且该第二接触部耦接至各该多个晶鳍的第二端。
6.根据权利要求4所述的电阻器，其中，该至少一个栅极结构相
对于该至少一个晶鳍垂直设置。
7.根据权利要求4所述的电阻器，其中，该至少一个晶鳍包含具
有该第一类型掺质的顶端部分、以及具有第二类型掺质的第二部分，
且该第二类型掺质与该第一类型掺质不同。
8.根据权利要求1所述的电阻器，进一步包含：
第一接触部，其耦接至该至少一个栅极结构的第一端；以及
第二接触部，其耦接至该至少一个栅极结构的第二端。
9.一种方法，其包含：
对设置于绝缘层上面的至少第一栅极结构施加偏压，该绝缘层设
置于电阻器本体上面，该电阻器本体掺有第一类型掺质，用以影响该
电阻器本体的电阻。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包含：
对设置于该绝缘层上面的第二栅极结构施加编...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·辛格，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY