一种降低多晶硅铸锭含氧量的Ar分流装置制造方法及图纸

技术编号:13275890 阅读:47 留言:0更新日期:2016-05-19 01:23
本实用新型专利技术提供一种降低多晶硅铸锭含氧量的Ar分流装置,所述Ar分流装置设于坩埚上方,其包括Ar气主管道以及与主管道底部相通的Ar气分流管道;所述的Ar气分流管道位于坩埚对角线的正上方,且与Ar气主管道中心线水平间距为250-350mm;本实用新型专利技术结构简单,针对铸锭过程中硅锭四周SiO在液气界面挥发通量较低而增强四周杂质浓度与中心区域的杂质浓度的差距问题进行改善,降低硅锭四周氧杂质浓度,从而提高硅锭边区少子寿命;将Ar气主管道设置为分流管道,可使Ar气流在整个液气界面分布均匀,使对流热传递沿径向分布更加均匀,提高多晶硅铸锭品质。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种Ar分流装置,尤其是一种降低多晶硅铸锭含氧量的Ar分流装置
技术介绍
目前晶体娃太阳电池在光伏行业中仍旧占据着90%的市场份额,而多晶娃电池以较低的铸锭成本占据着晶体硅电池的50%以上的市场份额,但相对于单晶硅电池而言它的电池效率是偏低的。目前多晶硅铸锭采用喷有氮化硅涂层的石英坩祸,并使用石墨加热器进行加热。在高温下,石英坩祸和氮化硅涂层里的氧、碳杂质以Si0、0、C的形式扩散进硅锭里,这些导致硅锭里含有大量的氧、碳杂质,降低了少子寿命从而降低了电池的转换效率。通常在铸锭过程中,会通入Ar气作为保护气,一般情况下S1会挥发进入炉腔气氛中,随着Ar流而被带出铸锭炉中,这样可以降低O含量,也可以减少S1与石墨件的反应而降低C含量。目前我们是从硅锭正上方通入Ar气,这样导致硅锭四周的Ar气流较弱,而硅锭四周由于和坩祸接触而具有较高的氧、碳杂质浓度,较弱的Ar气流使得S1的挥发也相对较少,导致四周的氧杂质浓度相对于中心区域更高了。因此,研究出一种能够有效降低多晶硅铸锭含氧量的方法是目前太阳能电池生产领域需要解决的重要问题之一。
技术实现思路
技术目的:针对上述问题,本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低多晶硅铸锭含氧量的Ar分流装置,其特征在于:所述Ar分流装置设于坩埚上方,其包括Ar气主管道(1)以及与主管道底部相通的Ar气分流管道(12);所述的Ar气分流管道(1)位于坩埚对角线的正上方,且与Ar气主管道(1)中心线水平间距为250‑350mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴小元宋江郭宽新张斌
申请(专利权)人:奥特斯维能源太仓有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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